公开(公告)号：US06180320B2

公开(公告)日：2001-01-30

申请号：US09371499

申请日：1999-08-10

申请人： Takayuki Saito ,  Takeo Ishibashi ,  Toshiyuki Toyoshima ,  Kanji Sugino ,  Naoki Yasuda ,  Tadashi Miyagi

发明人： Takayuki Saito ,  Takeo Ishibashi ,  Toshiyuki Toyoshima ,  Kanji Sugino ,  Naoki Yasuda ,  Tadashi Miyagi

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338

摘要： There is described a method of stably manufacturing a fine resist pattern narrower than the wavelength of exposing light from a stepper. Under the method, a resist pattern is formed on a semiconductor substrate through use of an acid catalyst chemically-amplified photoresist, and an organic film which includes an acid or which produces an acid on exposure to light is formed on the surface of the semiconductor substrate including the resist pattern. The organic film is then subjected to a heat treatment to thereby diffuse an acid. The surface layer of the resist pattern is made soluble in an alkaline developer, and the surface layer of the resist pattern is removed through use of the alkaline developer. As a result, a fine resist pattern is formed.

摘要翻译： 描述了一种稳定地制造比曝光来自步进器的光的波长窄的精细抗蚀剂图案的方法。 在该方法下，通过使用酸催化剂化学扩增的光致抗蚀剂在半导体衬底上形成抗蚀剂图案，并且在半导体衬底的表面上形成包含酸或在曝光时产生酸的有机膜 包括抗蚀剂图案。 然后对有机膜进行热处理，从而扩散酸。 抗蚀剂图案的表面层可溶于碱性显影剂，通过使用碱性显影剂除去抗蚀剂图案的表面层。 结果，形成精细的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US06566040B1

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US09233217

申请日：1999-01-20

申请人： Kanji Sugino ,  Takeo Ishibashi ,  Takayuki Shoya

发明人： Kanji Sugino ,  Takeo Ishibashi ,  Takayuki Shoya

IPC分类号： G03C556

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76816

摘要： First, a hole pattern or a separation pattern of a first resist that is capable of supplying acid is formed on a semiconductor substrate. Then, a crosslinked film (organic frame) is formed on the side wall of the first resist pattern to obtain a resist pattern having a reduced hole diameter or separation width. Then, the hole diameter or the separation width is further reduced by causing thermal reflow of the crosslinked film. Finally, the semiconductor substrate is etched by using a resulting resist pattern as a mask.

摘要翻译： 首先，在半导体基板上形成能够供给酸的第一抗蚀剂的孔图案或分离图案。 然后，在第一抗蚀剂图案的侧壁上形成交联膜（有机框架），以获得具有减小的孔直径或分离宽度的抗蚀剂图案。 然后，通过引起交联膜的热回流，孔直径或分离宽度进一步降低。 最后，通过使用得到的抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻半导体衬底。

公开(公告)号：US08932882B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13081675

申请日：2011-04-07

申请人： Katsushi Takano ,  Hiroaki Izumi ,  Kanji Sugino

发明人： Katsushi Takano ,  Hiroaki Izumi ,  Kanji Sugino

IPC分类号： H01L21/66 ,  G05B19/12

CPC分类号： G05B19/128 ,  G05B2219/32055 ,  G05B2219/32067 ,  G05B2219/32127 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/10

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device may include, but is not limited to the following processes. A first group identifier allocated to a first group of semiconductor wafers is detected. The first group of semiconductor wafers includes a first semiconductor wafer to be processed first among the first group. A first processor of a plurality of processors, which process respective ones of the first group of semiconductor wafers, are determined based on the first group identifier. The first processor is used for processing the first semiconductor wafer. The first semiconductor wafer is supplied to the first processor.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括但不限于以下处理。 检测分配给第一组半导体晶片的第一组标识符。 第一组半导体晶片包括在第一组中首先被处理的第一半导体晶片。 基于第一组标识符来确定处理第一组半导体晶片中的相应处理器的多个处理器的第一处理器。 第一处理器用于处理第一半导体晶片。 第一半导体晶片被提供给第一处理器。