利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

5 条记录 (耗时 0.03 秒)

    SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
    1.
    发明申请
    SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD 审中-公开
    太阳能电池和太阳能电池制造方法

    公开(公告)号：US20110290310A1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：US13116404

    申请日：2011-05-26

    申请人： Teruhiko KURAMACHI ,  Makoto Kikuchi ,  Takeshi Hama ,  Atsushi Tanaka ,  Youichi Hosoya

    发明人： Teruhiko KURAMACHI ,  Makoto Kikuchi ,  Takeshi Hama ,  Atsushi Tanaka ,  Youichi Hosoya

    IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/18 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L31/035218 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

    摘要： A solar cell capable of restricting carrier loss and yields higher energy conversion efficiency than was conventionally possible and a method of producing a solar cell enabling formation of a light absorbing layer containing quantum dots through a low-temperature process using a coating or printing method requiring no vacuum equipment or complicated apparatuses. The solar cell includes a light absorbing layer containing quantum dots in a matrix layer, and the light absorbing layer is connected to an N-type semiconductor layer on one side and to a P-type semiconductor layer on the other side. In the light absorbing layer, the quantum dots are made of nanocrystalline semiconductor and arranged 3-dimensionally uniformly enough and spaced regularly so that a plurality of wave functions lie on one another between adjacent quantum dots to form intermediate bands. The matrix layer is formed of amorphous IGZO.

    摘要翻译： 一种能够限制载流子损失并且产生比传统可能的更高的能量转换效率的太阳能电池，以及一种制造太阳能电池的方法，该太阳能电池能够通过使用不需要的涂层或印刷方法的低温工艺形成含有量子点的光吸收层 真空设备或复杂的设备。 太阳能电池包括在矩阵层中含有量子点的光吸收层，并且光吸收层连接到一侧的N型半导体层和另一侧的P型半导体层。 在光吸收层中，量子点由纳米晶体半导体制成，并且三维均匀地布置并且规则地间隔开，使得多个波函数彼此位于相邻量子点之间以形成中间带。 基体层由无定形IGZO形成。

    SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL
    4.
    发明申请
    SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL 审中-公开
    太阳能电池和太阳能电池基板

    公开(公告)号：US20100236627A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：US12680498

    申请日：2008-09-26

    申请人： Haruo Yago ,  Naruhiko Aono ,  Youichi Hosoya ,  Tadanobu Sato

    发明人： Haruo Yago ,  Naruhiko Aono ,  Youichi Hosoya ,  Tadanobu Sato

    IPC分类号： H01L31/00 ,  B32B3/00 ,  B32B3/30

    CPC分类号： H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24612

    摘要： A substrate for a solar cell, containing a metal substrate and an insulating anodic oxidation film provided on the metal substrate, wherein the thickness TO of the anodic oxidation film and the thickness TB of a barrier layer of the anodic oxidation film are inside a region I surrounded by the point A (TO=0.01 μm, TB=0.01 μm), the point B (TO=2 μm, TB=2 μm), the point C (TO=100 μm, TB=2 μm) and the point D (TO=100 μM, TB=0.01 μm) shown in FIG. 1 (provided that the region includes its boundary lines); and a solar cell using the same.

    摘要翻译： 一种用于太阳能电池的基板，其包含设置在金属基板上的金属基板和绝缘阳极氧化膜，其中阳极氧化膜的厚度TO和阳极氧化膜的阻挡层的厚度TB位于区域I内 点A（TO =0.01μm，TB =0.01μm），点B（TO =2μm，TB =2μm），点C（TO =100μm，TB =2μm）和点D （TO =100μM，TB =0.01μm）。 1（条件是该区域包括其边界线）; 和使用其的太阳能电池。

    SOLAR CELL
    5.
    发明申请
    SOLAR CELL 审中-公开
    太阳能电池

    公开(公告)号：US20100252110A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：US12680441

    申请日：2008-09-26

    申请人： Haruo Yago ,  Naruhiko Aono ,  Youichi Hosoya ,  Tadanobu Sato

    发明人： Haruo Yago ,  Naruhiko Aono ,  Youichi Hosoya ,  Tadanobu Sato

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/0749 ,  Y02E10/541

    摘要： A solar cell, comprising: a metal substrate having an insulating anodic oxidation film; and a photoelectric conversion layer provided on the metal substrate, whereon the anodic oxidation film has a surface roughness of 0.5 nm to 2 μm and the photoelectric conversion layer comprises a chalcopyrite semiconductor material having a band gap of 1.3 eV to 1.5 eV.

    摘要翻译： 一种太阳能电池，包括：具有绝缘阳极氧化膜的金属基板; 以及设置在金属基板上的光电转换层，阳极氧化膜的表面粗糙度为0.5nm〜2μm，光电转换层由带隙为1.3eV〜1.5eV的黄铜矿半导体材料构成。