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    Integrated sensor array with offset reduction
    3.
    发明授权
    Integrated sensor array with offset reduction 有权
    具有偏移减少的集成传感器阵列

    公开(公告)号：US09274179B2

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：US12329961

    申请日：2008-12-08

    申请人： Sam Kavusi ,  Christoph Lang ,  Thomas Rocznik ,  Chinwuba Ezekwe

    发明人： Sam Kavusi ,  Christoph Lang ,  Thomas Rocznik ,  Chinwuba Ezekwe

    IPC分类号： G01D18/00 ,  G01R33/00 ,  G01R33/07

    CPC分类号： G01R33/0029 ,  G01D18/008 ,  G01R33/072 ,  G01R33/075

    摘要： A method and system for providing increased accuracy in a CMOS sensor system in one embodiment includes a plurality of sensor elements having a first terminal and a second terminal on a complementary metal oxide semiconductor substrate, a first plurality of switches configured to selectively connect the first terminal to a power source and to selectively connect the first terminal to a readout circuit, and a second plurality of switches configured to selectively connect the second terminal to the power source and to selectively connect the second terminal to the readout circuit.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在CMOS传感器系统中提供更高精度的方法和系统包括多个传感器元件，其具有在互补金属氧化物半导体衬底上的第一端子和第二端子，第一多个开关被配置为选择性地将第一端子 并且将第一端子选择性地连接到读出电路，以及第二多个开关，其被配置为选择性地将第二端子连接到电源并且将第二端子选择性地连接到读出电路。

    VERTICAL HALL EFFECT SENSOR
    4.
    发明申请
    VERTICAL HALL EFFECT SENSOR 有权
    垂直霍尔效应传感器

    公开(公告)号：US20100219821A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12396204

    申请日：2009-03-02

    申请人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    发明人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    IPC分类号： G01R33/06 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  G01R33/077

    摘要： A complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor system in one embodiment includes a doped well extending along a first axis of a doped substrate, a first electrical contact positioned within the doped well, a second electrical contact positioned within the doped well and spaced apart from the first electrical contact along the first axis, a third electrical contact positioned within the doped well and located between the first electrical contact and the second electrical contact along the first axis, and a fourth electrical contact electrically coupled to the doped well at a location of the doped well below the third electrical contact.

    摘要翻译： 在一个实施例中，互补的金属氧化物半导体（CMOS）传感器系统包括沿着掺杂衬底的第一轴延伸的掺杂阱，位于掺杂阱内的第一电触点，位于掺杂阱内并与之隔开的第二电触点 沿着第一轴线的第一电触头，位于掺杂阱内并位于第一电触点和第二电触点之间的第三电触头沿着第一轴线，以及第四电触点，其电耦合到位于 掺杂深度低于第三电接触。

    Linear-with-magnetic field magnetoresistance device
    5.
    发明授权
    Linear-with-magnetic field magnetoresistance device 有权
    线性磁场磁阻器件

    公开(公告)号：US08717015B2

    公开(公告)日：2014-05-06

    申请号：US12704775

    申请日：2010-02-12

    申请人： Chinwuba Ezekwe ,  Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi ,  Martin Kramer

    发明人： Chinwuba Ezekwe ,  Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi ,  Martin Kramer

    IPC分类号： G01R33/06

    CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00

    摘要： A magnetic field measuring system is disclosed. The magnetic field measuring system includes a substrate, a conductive well formed in the substrate, the well having a first side with a first length, a first contact electrically coupled to the conductive well at a first location of the first side, a second contact electrically coupled to the conductive well at a second location of the first side, wherein the distance between the first location and the second location is less than the first length, a stimulus circuit coupled to the first contact and the second contact, and a sensor for identifying a property indicative of the length of a current path from the first location to the second location through the conductive well.

    摘要翻译： 公开了一种磁场测量系统。 所述磁场测量系统包括衬底，在所述衬底中形成的导电阱，所述阱具有第一长度的第一侧，在所述第一侧的第一位置处电耦合到所述导电阱的第一接触， 在所述第一侧的第二位置处耦合到所述导电阱，其中所述第一位置和所述第二位置之间的距离小于所述第一长度，耦合到所述第一接触和所述第二接触的刺激电路，以及用于识别 指示通过导电井从第一位置到第二位置的电流路径的长度的特性。

    VERTICAL HALL EFFECT SENSOR WITH CURRENT FOCUS
    6.
    发明申请
    VERTICAL HALL EFFECT SENSOR WITH CURRENT FOCUS 有权
    垂直霍尔效应传感器与当前聚焦

    公开(公告)号：US20100219810A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12396288

    申请日：2009-03-02

    申请人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    发明人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L27/092 ,  H01L21/22

    CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  G01R33/077 ,  H01L43/14

    摘要： A complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor system in one embodiment includes a doped substrate, a doped central island extending downwardly within the doped substrate from an upper surface of the doped substrate, and a first doped outer island extending downwardly within the doped substrate from the upper surface of the doped substrate, the first outer island electrically isolated from the central island within an upper portion of the substrate, and electrically coupled to the central island within a lower portion of the substrate.

    摘要翻译： 在一个实施例中，互补金属氧化物半导体（CMOS）传感器系统包括掺杂衬底，在掺杂衬底内从掺杂衬底的上表面向下延伸的掺杂中心岛，以及在掺杂衬底内向下延伸的第一掺杂外部岛， 掺杂衬底的上表面，第一外岛与衬底的上部内的中心岛电隔离，并且电耦合到衬底的下部内的中心岛。

    INTEGRATED SENSOR ARRAY WITH OFFSET REDUCTION
    7.
    发明申请
    INTEGRATED SENSOR ARRAY WITH OFFSET REDUCTION 有权
    集成传感器阵列与偏移减少

    公开(公告)号：US20100145657A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12329961

    申请日：2008-12-08

    申请人： Sam Kavusi ,  Christoph Lang ,  Thomas Rocznik ,  Chinwuba Ezekwe

    发明人： Sam Kavusi ,  Christoph Lang ,  Thomas Rocznik ,  Chinwuba Ezekwe

    IPC分类号： G06F19/00 ,  H01L29/66

    CPC分类号： G01R33/0029 ,  G01D18/008 ,  G01R33/072 ,  G01R33/075

    摘要： A method and system for providing increased accuracy in a CMOS sensor system in one embodiment includes a plurality of sensor elements having a first terminal and a second terminal on a complementary metal oxide semiconductor substrate, a first plurality of switches configured to selectively connect the first terminal to a power source and to selectively connect the first terminal to a readout circuit, and a second plurality of switches configured to selectively connect the second terminal to the power source and to selectively connect the second terminal to the readout circuit.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在CMOS传感器系统中提供更高精度的方法和系统包括多个传感器元件，其具有在互补金属氧化物半导体衬底上的第一端子和第二端子，第一多个开关被配置为选择性地将第一端子 并且将第一端子选择性地连接到读出电路，以及第二多个开关，其被配置为选择性地将第二端子连接到电源并且将第二端子选择性地连接到读出电路。

    Vertical Hall Effect sensor
    8.
    发明授权
    Vertical Hall Effect sensor 有权
    垂直霍尔效应传感器

    公开(公告)号：US08093891B2

    公开(公告)日：2012-01-10

    申请号：US12396204

    申请日：2009-03-02

    申请人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    发明人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    IPC分类号： G01R33/06

    CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  G01R33/077

    摘要： A complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor system in one embodiment includes a doped well extending along a first axis of a doped substrate, a first electrical contact positioned within the doped well, a second electrical contact positioned within the doped well and spaced apart from the first electrical contact along the first axis, a third electrical contact positioned within the doped well and located between the first electrical contact and the second electrical contact along the first axis, and a fourth electrical contact electrically coupled to the doped well at a location of the doped well below the third electrical contact.

    摘要翻译： 在一个实施例中，互补的金属氧化物半导体（CMOS）传感器系统包括沿着掺杂衬底的第一轴延伸的掺杂阱，位于掺杂阱内的第一电触点，位于掺杂阱内并与之隔开的第二电触点 沿着第一轴线的第一电触头，位于掺杂阱内并位于第一电触点和第二电触点之间的第三电触头沿着第一轴线，以及第四电触点，其电耦合到位于 掺杂深度低于第三电接触。

    Vertical hall effect sensor with current focus
    9.
    发明授权
    Vertical hall effect sensor with current focus 有权
    垂直霍尔效应传感器与当前焦点

    公开(公告)号：US08114684B2

    公开(公告)日：2012-02-14

    申请号：US12396288

    申请日：2009-03-02

    申请人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    发明人： Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  G01R33/077 ,  H01L43/14

    摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor system in one embodiment includes a doped substrate, a doped central island extending downwardly within the doped substrate from an upper surface of the doped substrate, and a first doped outer island extending downwardly within the doped substrate from the upper surface of the doped substrate, the first outer island electrically isolated from the central island within an upper portion of the substrate, and electrically coupled to the central island within a lower portion of the substrate.

    摘要翻译： 在一个实施例中，互补金属氧化物半导体（CMOS）传感器系统包括掺杂衬底，在掺杂衬底内从掺杂衬底的上表面向下延伸的掺杂中心岛，以及在掺杂衬底内向下延伸的第一掺杂外部岛， 掺杂衬底的上表面，第一外岛与衬底的上部内的中心岛电隔离，并且电耦合到衬底的下部内的中心岛。

    LINEAR-WITH-MAGNETIC FIELD MAGNETORESISTANCE DEVICE
    10.
    发明申请
    LINEAR-WITH-MAGNETIC FIELD MAGNETORESISTANCE DEVICE 有权
    线性磁场磁阻器件

    公开(公告)号：US20110199078A1

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：US12704775

    申请日：2010-02-12

    申请人： Chinwuba Ezekwe ,  Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi ,  Martin Krämer

    发明人： Chinwuba Ezekwe ,  Thomas Rocznik ,  Christoph Lang ,  Sam Kavusi ,  Martin Krämer

    IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R19/145 ,  G06F19/00

    CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00

    摘要： A magnetic field measuring system is disclosed. The magnetic field measuring system includes a substrate, a conductive well formed in the substrate, the well having a first side with a first length, a first contact electrically coupled to the conductive well at a first location of the first side, a second contact electrically coupled to the conductive well at a second location of the first side, wherein the distance between the first location and the second location is less than the first length, a stimulus circuit coupled to the first contact and the second contact, and a sensor for identifying a property indicative of the length of a current path from the first location to the second location through the conductive well.

    摘要翻译： 公开了一种磁场测量系统。 所述磁场测量系统包括衬底，在所述衬底中形成的导电阱，所述阱具有第一长度的第一侧，在所述第一侧的第一位置处电耦合到所述导电阱的第一接触， 在所述第一侧的第二位置处耦合到所述导电阱，其中所述第一位置和所述第二位置之间的距离小于所述第一长度，耦合到所述第一接触和所述第二接触的刺激电路，以及用于识别 指示通过导电井从第一位置到第二位置的电流路径的长度的特性。