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1.发明授权Bonding of silicon carbide directly to a semiconductor substrate by using silicon to silicon bonding 失效通过使用硅到硅键将碳化硅直接键合到半导体衬底
公开(公告)号：US5877516A
公开(公告)日：1999-03-02
申请号：US49654
申请日：1998-03-20
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/14 , H01L31/0312
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/147 , H01L24/31 , H01L2224/2919 , H01L2224/8319 , H01L2224/83894 , H01L2224/8589 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01075 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/14 , Y10S438/931 , Y10S438/973
摘要： A module and a method of making the module is disclosed. The module is formed from a semiconductor substrate and a silicon carbide chip for high temperature applications. The module is designed to be compatible with current silicon IC processes.
摘要翻译： 公开了一种模块和制造该模块的方法。 该模块由用于高温应用的半导体衬底和碳化硅芯片形成。 该模块旨在与当前的硅IC工艺兼容。
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公开(公告)号：US5990551A
公开(公告)日：1999-11-23
申请号：US49656
申请日：1998-03-23
IPC分类号： C04B37/00 , C04B37/04 , H01L31/0312
CPC分类号： C04B37/045 , C04B37/005 , C04B2237/062 , C04B2237/30 , C04B2237/365 , C04B2237/72 , C04B2237/86
摘要： A module and a method of making the module is disclosed. The module is fod from a semiconductor and a silicon carbide chip for high temperature applications. The module is designed to be compatible with current silicon IC processes.
摘要翻译： 公开了一种模块和制造该模块的方法。 该模块由用于高温应用的半导体和碳化硅芯片形成。 该模块旨在与当前的硅IC工艺兼容。
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公开(公告)号：US5530552A
公开(公告)日：1996-06-25
申请号：US365275
申请日：1994-12-28
申请人： Timothy Mermagen , Bruce R. Geil
发明人： Timothy Mermagen , Bruce R. Geil
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F9/70
摘要： A photolithographed method and pattern for alignment of circuit patterns on double sided opaque substrate or semiconductor such as a silicon wafer during processing of integrated circuits.
摘要翻译： 在集成电路的处理期间在双面不透明基板或诸如硅晶片的半导体之间对准电路图案的光刻方法和图案。
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