公开(公告)号：US07521729B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11655117

申请日：2007-01-19

申请人： Tomonori Morizumi ,  Atsuo Michiue ,  Shingo Tanisaka

发明人： Tomonori Morizumi ,  Atsuo Michiue ,  Shingo Tanisaka

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L33/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3216

摘要： A nitride semiconductor laser element, has: a nitride semiconductor layer including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer laminated in that order; and resonator end faces formed mutually opposing at the end of said nitride semiconductor layers, wherein an impurity is contained in at least an optical output region of the resonator end faces, with the concentration of said impurity having a concentration distribution that is asymmetric in reference to a peak position, in the lamination direction of the nitride semiconductor layers, and said optical output region has a wider bandgap than other regions in the active layer or said optical output region has a higher impurity concentration than other regions in the active layer.

摘要翻译： 氮化物半导体激光元件具有：包括依次层叠的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的氮化物半导体层; 以及在所述氮化物半导体层的端部处相互相对形成的谐振器端面，其中在所述谐振器端面的至少光学输出区域中包含杂质，所述杂质的浓度具有相对于 在氮化物半导体层的层叠方向上的峰值位置，并且所述光输出区域具有比有源层中的其它区域更宽的带隙，或者所述光输出区域具有比有源层中的其它区域更高的杂质浓度。

公开(公告)号：US20070184591A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11655117

申请日：2007-01-19

申请人： Tomonori Morizumi ,  Atsuo Michiue ,  Shingo Tanisaka

发明人： Tomonori Morizumi ,  Atsuo Michiue ,  Shingo Tanisaka

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3216

摘要： A nitride semiconductor laser element, has: a nitride semiconductor layer comprising a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer laminated in that order; and resonator end faces formed mutually opposing at the end of said nitride semiconductor layers, wherein an impurity is contained in at least an optical output region of the resonator end faces, with the concentration of said impurity having a concentration distribution that is asymmetric in reference to a peak position, in the lamination direction of the nitride semiconductor layers, and said optical output region has a wider bandgap than other regions in the active layer or said optical output region has a higher impurity concentration than other regions in the active layer.

摘要翻译： 氮化物半导体激光元件具有：氮化物半导体层，其包含依次层叠的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层; 以及在所述氮化物半导体层的端部处相互相对形成的谐振器端面，其中在所述谐振器端面的至少光学输出区域中包含杂质，所述杂质的浓度具有相对于 在氮化物半导体层的层叠方向上的峰值位置，并且所述光输出区域具有比有源层中的其它区域更宽的带隙，或者所述光输出区域具有比有源层中的其它区域更高的杂质浓度。

公开(公告)号：US20090275159A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12431393

申请日：2009-04-28

申请人： Shingo Tanisaka

发明人： Shingo Tanisaka

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/2201

摘要： A method for manufacturing a nitride semiconductor laser element having a nitride semiconductor layer including at least an active layer provided on a substrate, a pair of cavity planes formed on the nitride semiconductor layer, and a protruding part where part of the substrate protrudes from said cavity plane, said method comprises: a step of forming the nitride semiconductor layer on the substrate; a first etching step of forming a first groove by etching at least the nitride semiconductor layer; and a second etching step of forming the cavity plane, in the second etching step, the inner wall of the first groove and part of the nitride semiconductor layer surface adjacent to the first groove are etched to form a second groove, and form the upper face of the protruding part.

摘要翻译： 一种用于制造氮化物半导体激光元件的方法，该氮化物半导体激光元件具有至少包括设置在基板上的有源层，形成在氮化物半导体层上的一对空腔平面的氮化物半导体层，以及基板的一部分从所述空腔突出的突出部 所述方法包括：在所述基板上形成所述氮化物半导体层的步骤; 第一蚀刻步骤，通过蚀刻至少所述氮化物半导体层形成第一凹槽; 以及形成空腔平面的第二蚀刻步骤，在第二蚀刻步骤中，蚀刻第一凹槽的内壁和与第一凹槽相邻的氮化物半导体层表面的一部分，以形成第二凹槽，并形成第二凹槽 的突出部分。

公开(公告)号：US08053262B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12431393

申请日：2009-04-28

申请人： Shingo Tanisaka

发明人： Shingo Tanisaka

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/2201

摘要： A method for manufacturing a nitride semiconductor laser element having a nitride semiconductor layer including at least an active layer provided on a substrate, a pair of cavity planes formed on the nitride semiconductor layer, and a protruding part where part of the substrate protrudes from said cavity plane, said method comprises: a step of forming the nitride semiconductor layer on the substrate; a first etching step of forming a first groove by etching at least the nitride semiconductor layer; and a second etching step of forming the cavity plane, in the second etching step, the inner wall of the first groove and part of the nitride semiconductor layer surface adjacent to the first groove are etched to form a second groove, and form the upper face of the protruding part.

摘要翻译： 一种用于制造氮化物半导体激光元件的方法，该氮化物半导体激光元件具有至少包括设置在基板上的有源层，形成在氮化物半导体层上的一对空腔平面的氮化物半导体层，以及基板的一部分从所述空腔突出的突出部 所述方法包括：在所述基板上形成所述氮化物半导体层的步骤; 第一蚀刻步骤，通过蚀刻至少所述氮化物半导体层形成第一凹槽; 以及形成空腔平面的第二蚀刻步骤，在第二蚀刻步骤中，蚀刻第一凹槽的内壁和与第一凹槽相邻的氮化物半导体层表面的一部分，以形成第二凹槽，并形成第二凹槽 的突出部分。