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    Wavelength-independent exposure pattern generation method and exposure pattern generation system for lithography
    1.
    发明授权
    Wavelength-independent exposure pattern generation method and exposure pattern generation system for lithography 有权
    用于光刻的波长无关曝光图案生成方法和曝光图案生成系统

    公开(公告)号：US06800428B2

    公开(公告)日：2004-10-05

    申请号：US10133590

    申请日：2002-04-29

    申请人： Tomoyuki Okada ,  Taketoshi Omata ,  Kazuya Sugawa ,  Kiyokazu Aiso ,  Masao Sugiyama ,  Tomoaki Kawaguchi

    发明人： Tomoyuki Okada ,  Taketoshi Omata ,  Kazuya Sugawa ,  Kiyokazu Aiso ,  Masao Sugiyama ,  Tomoaki Kawaguchi

    IPC分类号： G03F700

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F7/70466

    摘要： A method of generating an exposure pattern for lithography to create a plurality of patterns arranged in a predetermined direction, comprises a step of counting the plurality of patterns along this predetermined direction, and generating a first enlarged pattern by moving the edges to a first direction along the predetermined direction for a pattern with an odd number, and by moving the edges to a second direction, which is opposite to the first direction, for a pattern with an even number, and a step of generating a second enlarged pattern by moving the edges to the second direction for the pattern with an odd number, and by moving the edges to the first direction for the pattern with an even number. And the first and second patterns are used for creating the plurality of original patterns in a lithography step using the respective enlarged patterns.

    摘要翻译： 一种产生用于光刻的曝光图案以产生沿预定方向布置的多个图案的方法，包括沿着该预定方向对多个图案进行计数的步骤，并且通过沿着第一方向移动边缘来产生第一放大图案 对于具有奇数的图案的预定方向，以及通过将与第一方向相反的第二方向移动到具有偶数的图案的第二方向，以及通过使边缘移动来产生第二放大图案的步骤 到具有奇数的图案的第二方向，并且通过将边缘移动到具有偶数的图案的第一方向。 并且第一和第二图案用于使用各自的放大图案在光刻步骤中创建多个原始图案。