Microphotonic maskless lithography
    6.
    发明授权
    Microphotonic maskless lithography 有权
    微波无掩模光刻

    公开(公告)号:US08105758B2

    公开(公告)日:2012-01-31

    申请号:US11776419

    申请日:2007-07-11

    IPC分类号: G02B6/26 G02B6/34

    CPC分类号: G03F7/70383

    摘要: A maskless lithography system and method to expose a pattern on a wafer by propagating a photon beam through a waveguide on a substrate in a plane parallel to a top surface of the wafer.

    摘要翻译: 一种无掩模光刻系统和方法,通过在平行于晶片顶表面的平面内传播光子束通过衬底上的波导而暴露晶片上的图案。

    MICROPHOTONIC MASKLESS LITHOGRAPHY
    7.
    发明申请
    MICROPHOTONIC MASKLESS LITHOGRAPHY 有权
    微电脑无障碍图像

    公开(公告)号:US20080014534A1

    公开(公告)日:2008-01-17

    申请号:US11776419

    申请日:2007-07-11

    IPC分类号: G03B27/54 G03F7/20

    CPC分类号: G03F7/70383

    摘要: A maskless lithography system and method to expose a pattern on a wafer by propagating a photon beam through a waveguide on a substrate in a plane parallel to a top surface of the wafer.

    摘要翻译: 一种无掩模光刻系统和方法,通过在平行于晶片顶表面的平面内传播光子束通过衬底上的波导而暴露晶片上的图案。