公开(公告)号：US20140099751A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US13647344

申请日：2012-10-08

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Hao Su ,  Hang Hu ,  Hong Liao

IPC: H01L21/336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention provides a method of forming a doping region. A substrate is provided, and a poly-silicon layer is formed on the substrate. A silicon oxide layer is formed on the poly-silicon layer. An implant process is performed to form a doping region in the poly-silicon layer. The present invention further provides a method for forming a MOS.

Abstract translation: 本发明提供一种形成掺杂区域的方法。 提供基板，在基板上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成氧化硅层。 执行注入工艺以在多晶硅层中形成掺杂区域。 本发明还提供一种用于形成MOS的方法。

公开(公告)号：US09209344B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US13647344

申请日：2012-10-08

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Hao Su ,  Hang Hu ,  Hong Liao

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention provides a method of forming a doping region. A substrate is provided, and a poly-silicon layer is formed on the substrate. A silicon oxide layer is formed on the poly-silicon layer. An implant process is performed to form a doping region in the poly-silicon layer. The present invention further provides a method for forming a MOS.

Abstract translation: 本发明提供一种形成掺杂区域的方法。 提供基板，在基板上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成氧化硅层。 执行注入工艺以在多晶硅层中形成掺杂区域。 本发明还提供一种用于形成MOS的方法。