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公开(公告)号：US20150037974A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：US13953753
申请日：2013-07-30
发明人： Hsin-Yi Lu , Yu-Chi Lin , Jeng-Ho Wang
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01L21/32135 , B81B7/0096 , C23F1/02 , C23F1/12
摘要： A method of patterning a platinum layer includes the following steps. A substrate is provided. A platinum layer is formed on the substrate. An etching process is performed to pattern the platinum layer, wherein an etchant used in the etching process simultaneously includes at least a chloride-containing gas and at least a fluoride-containing gas.
摘要翻译： 图案化铂层的方法包括以下步骤。 提供基板。 在基板上形成铂层。 执行蚀刻工艺以对铂层进行图案化，其中在蚀刻工艺中使用的蚀刻剂同时包括至少含氯化物的气体和至少含氟化物的气体。
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2.发明申请METHOD OF USING ALUMINUM LAYER AS ETCHING STOP LAYER FOR PATTERNING A PLATINUM LAYER 有权使用铝层作为刻蚀停留层的方法来绘制铂层公开(公告)号：US20160111383A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：US14536686
申请日：2014-11-10
发明人： Hsin-Yi Lu , Jeng-Ho Wang
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： B81B1/00 , C23F1/02 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method for fabricating semiconductor device is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate having a dielectric layer; forming an aluminum layer on the dielectric layer; forming a platinum layer on the aluminum layer; performing a first etching process to remove part of the platinum layer and part of the aluminum layer for forming a patterned platinum layer; and performing a second etching process to remove part of the aluminum layer exposed by the patterned platinum layer and part of the dielectric layer.
摘要翻译： 公开了半导体器件的制造方法。 该方法包括以下步骤：提供具有电介质层的衬底; 在电介质层上形成铝层; 在铝层上形成铂层; 执行第一蚀刻工艺以去除铂层的一部分和用于形成图案化铂层的铝层的一部分; 并执行第二蚀刻工艺以去除由图案化的铂层和介电层的一部分暴露的部分铝层。
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公开(公告)号：US09006105B2
公开(公告)日：2015-04-14
申请号：US13953753
申请日：2013-07-30
发明人： Hsin-Yi Lu , Yu-Chi Lin , Jeng-Ho Wang
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/4763 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/32135 , B81B7/0096 , C23F1/02 , C23F1/12
摘要： A method of patterning a platinum layer includes the following steps. A substrate is provided. A platinum layer is formed on the substrate. An etching process is performed to pattern the platinum layer, wherein an etchant used in the etching process simultaneously includes at least a chloride-containing gas and at least a fluoride-containing gas.
摘要翻译： 图案化铂层的方法包括以下步骤。 提供基板。 在基板上形成铂层。 执行蚀刻工艺以对铂层进行图案化，其中在蚀刻工艺中使用的蚀刻剂同时包括至少含氯化物的气体和至少含氟化物的气体。
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4.发明授权Method of using aluminum layer as etching stop layer for patterning a platinum layer 有权使用铝层作为图案化铂层的蚀刻停止层的方法公开(公告)号：US09580297B2
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：US14536686
申请日：2014-11-10
发明人： Hsin-Yi Lu , Jeng-Ho Wang
IPC分类号： B81B1/00 , C23F1/02 , H01L23/532
CPC分类号： B81B1/00 , C23F1/02 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method for fabricating semiconductor device is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate having a dielectric layer; forming an aluminum layer on the dielectric layer; forming a platinum layer on the aluminum layer; performing a first etching process to remove part of the platinum layer and part of the aluminum layer for forming a patterned platinum layer; and performing a second etching process to remove part of the aluminum layer exposed by the patterned platinum layer and part of the dielectric layer.
摘要翻译： 公开了半导体器件的制造方法。 该方法包括以下步骤：提供具有电介质层的衬底; 在电介质层上形成铝层; 在铝层上形成铂层; 执行第一蚀刻工艺以去除铂层的一部分和用于形成图案化铂层的铝层的一部分; 并执行第二蚀刻工艺以去除由图案化的铂层和介电层的一部分暴露的部分铝层。
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