公开(公告)号：US20150024598A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：US13943900

申请日：2013-07-17

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Wan-Fang Chung ,  Ping-Chia Shih ,  Hsiang-Chen Lee ,  Che-Hao Chang ,  Jhih-Long Lin ,  Wei-Pin Huang ,  Shao-Nung Huang ,  Yu-Cheng Wang ,  Jaw-Jiun Tu ,  Chung-Che Huang

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/66825

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided. A substrate having a first area with a first poly layer and a second area with a second poly layer is provided. A nitride HM film is then deposited above the first poly layer of a first device in the first area and above the second poly layer in the second area. Afterwards, a first patterned passivation is formed on the nitride HM film in the first area to cover the nitride HM film and the first device, and a second patterned passivation is formed above the second poly layer in the second area. The second poly layer in the second area is defined by the second patterned passivation.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 提供了具有第一区域和第二多晶硅层的基板，第一区域具有第一多晶硅层和第二区域。 然后在第二区域中的第一区域中的第一多晶硅层的第一多晶硅层之上沉积氮化物HM膜，并在第二区域中的第二多晶硅层上方沉积氮化物HM膜。 之后，在第一区域中的氮化物HM膜上形成第一图案化钝化物以覆盖氮化物HM膜和第一器件，并且在第二区域中的第二多晶硅层之上形成第二图案化钝化。 第二区域中的第二多晶硅层由第二图案化钝化限定。

公开(公告)号：US09040423B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13943900

申请日：2013-07-17

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Wan-Fang Chung ,  Ping-Chia Shih ,  Hsiang-Chen Lee ,  Che-Hao Chang ,  Jhih-Long Lin ,  Wei-Pin Huang ,  Shao-Nung Huang ,  Yu-Cheng Wang ,  Jaw-Jiun Tu ,  Chung-Che Huang

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/66825

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided. A substrate having a first area with a first poly layer and a second area with a second poly layer is provided. A nitride HM film is then deposited above the first poly layer of a first device in the first area and above the second poly layer in the second area. Afterwards, a first patterned passivation is formed on the nitride HM film in the first area to cover the nitride HM film and the first device, and a second patterned passivation is formed above the second poly layer in the second area. The second poly layer in the second area is defined by the second patterned passivation.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 提供了具有第一区域和第二多晶硅层的基板，第一区域具有第一多晶硅层和第二区域。 然后在第二区域中的第一区域中的第一多晶硅层的第一多晶硅层之上沉积氮化物HM膜，并在第二区域中的第二多晶硅层上方沉积氮化物HM膜。 之后，在第一区域中的氮化物HM膜上形成第一图案化钝化物以覆盖氮化物HM膜和第一器件，并且在第二区域中的第二多晶硅层之上形成第二图案化钝化。 第二区域中的第二多晶硅层由第二图案化钝化限定。

公开(公告)号：US09129852B1

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US14457107

申请日：2014-08-11

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Hsiang-Chen Lee ,  Shao-Nung Huang ,  Wei-Pin Huang ,  Kuo-Lung Li ,  Ling-Hsiu Chou ,  Ping-Chia Shih

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157

Abstract: A method for fabricating a non-volatile memory semiconductor device is disclosed. The method includes the steps of providing a substrate; forming a gate pattern on the substrate, wherein the gate pattern comprises a first polysilicon layer on the substrate, an oxide-nitride-oxide (ONO) stack on the first polysilicon layer, and a second polysilicon layer on the ONO stack; forming an oxide layer on the top surface and sidewall of the gate pattern; performing a first etching process to remove part of the oxide layer; and performing a second etching process to completely remove the remaining oxide layer.

Abstract translation: 公开了一种用于制造非易失性存储器半导体器件的方法。 该方法包括提供基板的步骤; 在所述衬底上形成栅极图案，其中所述栅极图案包括所述衬底上的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上的氧化物 - 氧化物 - 氧化物（ONO）堆叠以及所述ONO堆叠上的第二多晶硅层; 在栅极图案的顶表面和侧壁上形成氧化物层; 执行第一蚀刻工艺以去除部分氧化物层; 并执行第二蚀刻处理以完全去除剩余的氧化物层。