公开(公告)号：US20090290283A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12511350

申请日：2009-07-29

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to from the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或从电容器使用的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US07259956B2

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：US11013789

申请日：2004-12-17

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to from the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或从电容器使用的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US08000083B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12511398

申请日：2009-07-29

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to form the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或用于形成电容器的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US07978456B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12511350

申请日：2009-07-29

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to from the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或从电容器使用的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US07656643B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11878696

申请日：2007-07-26

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to form the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或用于形成电容器的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US08570707B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13162257

申请日：2011-06-16

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Rangnathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Rangnathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to from the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或从电容器使用的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US20120018843A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13162257

申请日：2011-06-16

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Rangnathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Rangnathan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to from the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或从电容器使用的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US20080266749A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11878696

申请日：2007-07-26

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganthan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganthan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01G4/228

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to from the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或从电容器使用的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US20090283858A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12511398

申请日：2009-07-29

申请人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganthan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

发明人： Victor Chiu-Kit Fong ,  Eric Bruce Blecker ,  Tom W. Kwan ,  Ning Li ,  Sumant Ranganthan ,  Chao Tang ,  Pieter Vorenkamp

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides several scalable integrated circuit high density capacitors and their layout techniques. The capacitors are scaled, for example, by varying the number of metal layers and/or the area of the metal layers used to form the capacitors. The capacitors use different metallization patterns to form the metal layers, and different via patterns to couple adjacent metal layers. In embodiments, optional shields are included as the top-most and/or bottom-most layers of the capacitors, and/or as side shields, to reduce unwanted parasitic capacitance.

摘要翻译： 本发明提供了几种可扩展的集成电路高密度电容器及其布局技术。 电容器例如通过改变金属层的数量和/或用于形成电容器的金属层的面积来缩放。 电容器使用不同的金属化图案来形成金属层，以及不同的通孔图案以耦合相邻的金属层。 在实施例中，可选屏蔽包括作为电容器的最顶层和/或最底层，和/或作为侧屏蔽，以减少不必要的寄生电容。

公开(公告)号：US08614621B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US12912405

申请日：2010-10-26

申请人： David A. Sobel ,  Qiang Fu ,  Sumant Ranganathan ,  John Walley ,  Pieter Vorenkamp ,  Jeyhan Karaoguz ,  Tom W. Kwan

发明人： David A. Sobel ,  Qiang Fu ,  Sumant Ranganathan ,  John Walley ,  Pieter Vorenkamp ,  Jeyhan Karaoguz ,  Tom W. Kwan

IPC分类号： G06F3/041 ,  G06F13/00 ,  G06F7/04

CPC分类号： G06F3/033 ,  G06F21/32

摘要： Operating a remote control to identify a user by receiving touch pad input from at least one touch sensitive element of the remote control that has a plurality of touch sensitive elements. The touch pad input corresponds to the user's touch of at least some of the plurality of touch sensitive elements. The touch pad input is at least partially processed by processing circuitry of the remote control and transmitted to a multimedia system console via a communications interface of the remote control for processing of the at least partially processed touch pad input to identify the user via pattern recognition. At least partially processing the touch pad input can be by identifying at least one finger orientation, at least one finger spacing, at least one finger width, a plurality of finger knuckle/joint locations, and/or a plurality of finger lengths based upon the touch pad input.

摘要翻译： 通过从具有多个触敏元件的遥控器的至少一个触敏元件接收触摸板输入来操作遥控器以识别用户。 触摸板输入对应于用户对多个触敏元件中的至少一些的触摸。 所述触摸板输入至少部分地由所述遥控器的处理电路处理，并且经由所述遥控器的通信接口传送到多媒体系统控制台，用于处理所述至少部分经过处理的触摸板输入以经由模式识别识别所述用户。 至少部分地处理触摸板输入可以通过基于所述至少一个手指定向，至少一个手指间隔，至少一个手指宽度，多个指关节/关节位置和/或多个手指长度来识别 触摸板输入。