公开(公告)号：US4984046A

公开(公告)日：1991-01-08

申请号：US344199

申请日：1989-04-27

申请人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

发明人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

IPC分类号： H01L27/04 ,  G01L9/00 ,  H01C10/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/822 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01L28/20 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0055 ,  H01C10/10

摘要： The invention relates to a method of manufacturing a polycrystalline semiconductor resistance layer of silicon on a silicon body. First an insulating layer is formed on the silicon body and then a polycrystalline silicon layer is deposited. To the deposited polycrystalline silicon layer is applied a further polycrystalline silicon layer having a crystallite structure coarser with respect to that of the first polycrystalline silicon layer. The two polycrystalline silicon layers are additionally doped. The invention further relates to a silicon pressure sensor having such a resistance layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种在硅体上制造硅多晶半导体电阻层的方法。 首先，在硅体上形成绝缘层，然后沉积多晶硅层。 向沉积的多晶硅层施加相对于第一多晶硅层的晶体结构较粗的另外的多晶硅层。 另外掺杂两个多晶硅层。 本发明还涉及具有这种电阻层的硅压力传感器。

公开(公告)号：US5164338A

公开(公告)日：1992-11-17

申请号：US605211

申请日：1990-10-24

申请人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

发明人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

IPC分类号： G01L9/00 ,  H01C10/10 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0055 ,  H01C10/10

摘要： The invention relates to a method of manufacturing a polycrystalline semiconductor resistance layer of silicon on a silicon body. First an insulating layer is formed on the silicon body and then a polycrystalline silicon layer is deposited. To the deposited polycrystalline silicon layer is applied a further polycrystalline silicon layer having a crystallite structure coarser with respect to that of the first polycrystalline silicon layer. The two polycrystalline silicon layers are additionally doped.

摘要翻译： 本发明涉及一种在硅体上制造硅多晶半导体电阻层的方法。 首先，在硅体上形成绝缘层，然后沉积多晶硅层。 向沉积的多晶硅层施加相对于第一多晶硅层的晶体结构较粗的另外的多晶硅层。 另外掺杂两个多晶硅层。

公开(公告)号：US5024097A

公开(公告)日：1991-06-18

申请号：US411193

申请日：1989-09-20

申请人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs

发明人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs

IPC分类号： G01L9/04 ,  G01L1/18 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0051 ,  G01L1/18 ,  G01L9/0054

摘要： A pressure sensor comprising a silicon body (1) which is arranged on a substrate (2). The silicon body (1) comprises a cavity (4) in the form of a blind hole, or enclosed chamber which thus forms a diaphragm (5). On the outer surface thereof there is arranged a Wheatstone bridge consisting of piezoresistive resistance elements (6, 7, 8, 9). The voltage/pressure characteristic of this pressure sensor exhibits a non-linearity of more than 1% in the case of pressure loads in excess of 250 bar. This non-linearity must be reduced. Therefore, a further cavity (10) is provided in the silicon body (1) on both sides of the resistance elements (8, 9) arranged at the edge of the diaphragm (5).

摘要翻译： 一种压力传感器，包括布置在基板（2）上的硅体（1）。 硅体（1）包括盲孔形式的空腔（4），或由此形成隔膜（5）的封闭室。 在其外表面上布置有由压阻电阻元件（6,7,8,9）组成的惠斯通电桥。 在压力负载超过250巴的情况下，该压力传感器的电压/压力特性表现出大于1％的非线性。 这种非线性必须减少。 因此，在设置在隔膜（5）的边缘处的电阻元件（8,9）的两侧的硅体（1）中设置另外的空腔（10）。

公开(公告)号：US5602471A

公开(公告)日：1997-02-11

申请号：US401066

申请日：1995-03-08

申请人： Michael Muth ,  Volker Graeger ,  August Petersen

发明人： Michael Muth ,  Volker Graeger ,  August Petersen

IPC分类号： G01B7/30 ,  G01B7/00 ,  G01D5/14 ,  G01D5/16 ,  G01D5/18 ,  G01D5/244 ,  G01R33/09

CPC分类号： G01D5/145 ,  G01D5/24404

摘要： An angle sensor includes at least two angularly spaced sensor units which measure in a contactless manner and whose sensor voltages are similar but angularly shifted sinusoidal functions (sensor characteristic) of the angle .alpha. to be measured relative to a rotatable element and a processing circuit forms an angle sensor voltage which is a measure of the angle .alpha.. Using limited analog circuitry, a wide angular range is obtained and also a monotonously increasing angle sensor voltage which is dependent as linearly as possible on the angle to be measured, in that the sensor voltages are direct voltages which are constant in time. The processing circuit includes limiter circuits (15) whose input receives the sensor voltages (UMA, UMB), and whose output voltages exhibit values (10, 11) which remain constant when a limit value of the sensor voltages is exceeded, and that the output voltages of the limiter circuits (15) are applied to the input of a summing circuit (16) in order to form the angle sensor voltage.

摘要翻译： 角度传感器包括至少两个角度间隔的传感器单元，其以非接触方式测量，并且其传感器电压相似，但相对于可旋转元件而言，要测量的角度α的角度偏移正弦函数（传感器特性）和处理电路形成 角度传感器电压，它是角度α的度量。 使用有限的模拟电路，获得了广泛的角度范围，并且还提供了一个单调增加的角度传感器电压，该角度传感器电压在被测量角度上尽可能线性地相关，因为传感器电压是时间上恒定的直接电压。 处理电路包括限制器电路（15），其输入接收传感器电压（UMA，UMB），并且当超过传感器电压的极限值时，其输出电压呈现值（10,11），其保持恒定，并且输出 为了形成角度传感器电压，限制电路（15）的电压被施加到求和电路（16）的输入端。