公开(公告)号：US4984046A

公开(公告)日：1991-01-08

申请号：US344199

申请日：1989-04-27

申请人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

发明人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

IPC分类号： H01L27/04 ,  G01L9/00 ,  H01C10/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/822 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01L28/20 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0055 ,  H01C10/10

摘要： The invention relates to a method of manufacturing a polycrystalline semiconductor resistance layer of silicon on a silicon body. First an insulating layer is formed on the silicon body and then a polycrystalline silicon layer is deposited. To the deposited polycrystalline silicon layer is applied a further polycrystalline silicon layer having a crystallite structure coarser with respect to that of the first polycrystalline silicon layer. The two polycrystalline silicon layers are additionally doped. The invention further relates to a silicon pressure sensor having such a resistance layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种在硅体上制造硅多晶半导体电阻层的方法。 首先，在硅体上形成绝缘层，然后沉积多晶硅层。 向沉积的多晶硅层施加相对于第一多晶硅层的晶体结构较粗的另外的多晶硅层。 另外掺杂两个多晶硅层。 本发明还涉及具有这种电阻层的硅压力传感器。

公开(公告)号：US5164338A

公开(公告)日：1992-11-17

申请号：US605211

申请日：1990-10-24

申请人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

发明人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs ,  Horst Schafer ,  Heinrich Zeile

IPC分类号： G01L9/00 ,  H01C10/10 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0055 ,  H01C10/10

摘要： The invention relates to a method of manufacturing a polycrystalline semiconductor resistance layer of silicon on a silicon body. First an insulating layer is formed on the silicon body and then a polycrystalline silicon layer is deposited. To the deposited polycrystalline silicon layer is applied a further polycrystalline silicon layer having a crystallite structure coarser with respect to that of the first polycrystalline silicon layer. The two polycrystalline silicon layers are additionally doped.

摘要翻译： 本发明涉及一种在硅体上制造硅多晶半导体电阻层的方法。 首先，在硅体上形成绝缘层，然后沉积多晶硅层。 向沉积的多晶硅层施加相对于第一多晶硅层的晶体结构较粗的另外的多晶硅层。 另外掺杂两个多晶硅层。

公开(公告)号：US5024097A

公开(公告)日：1991-06-18

申请号：US411193

申请日：1989-09-20

申请人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs

发明人： Volker Graeger ,  Rolf U. D. Kobs

IPC分类号： G01L9/04 ,  G01L1/18 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0051 ,  G01L1/18 ,  G01L9/0054

摘要： A pressure sensor comprising a silicon body (1) which is arranged on a substrate (2). The silicon body (1) comprises a cavity (4) in the form of a blind hole, or enclosed chamber which thus forms a diaphragm (5). On the outer surface thereof there is arranged a Wheatstone bridge consisting of piezoresistive resistance elements (6, 7, 8, 9). The voltage/pressure characteristic of this pressure sensor exhibits a non-linearity of more than 1% in the case of pressure loads in excess of 250 bar. This non-linearity must be reduced. Therefore, a further cavity (10) is provided in the silicon body (1) on both sides of the resistance elements (8, 9) arranged at the edge of the diaphragm (5).

摘要翻译： 一种压力传感器，包括布置在基板（2）上的硅体（1）。 硅体（1）包括盲孔形式的空腔（4），或由此形成隔膜（5）的封闭室。 在其外表面上布置有由压阻电阻元件（6,7,8,9）组成的惠斯通电桥。 在压力负载超过250巴的情况下，该压力传感器的电压/压力特性表现出大于1％的非线性。 这种非线性必须减少。 因此，在设置在隔膜（5）的边缘处的电阻元件（8,9）的两侧的硅体（1）中设置另外的空腔（10）。

公开(公告)号：US4531415A

公开(公告)日：1985-07-30

申请号：US541945

申请日：1983-10-14

申请人： Reiner U. Orlowski ,  Rolf U. D. Kobs ,  Manfred R. Liehr

发明人： Reiner U. Orlowski ,  Rolf U. D. Kobs ,  Manfred R. Liehr

IPC分类号： G01L13/06 ,  G01L9/00 ,  G01L13/02 ,  G01L9/12

CPC分类号： G01L13/025 ,  G01L9/0075

摘要： A differential pressure transducer having a body of insulating material on which film electrodes are fixed, two diaphragms made of insulating material, and two film electrodes on the inner sides of the respective diaphragms facing the body. The diaphragms and the body together form cavities which are filled with an incompressible liquid, and the film electrodes of the body and of the diaphragms form capacitances which are dependent on the diaphragm deflection. The transducer is especially suitable for the measurement of the flow rate of explosive liquids or gasses.

摘要翻译： 一种差压传感器，其具有绝缘材料体，薄膜电极固定在该主体上，两个由绝缘材料制成的隔膜，以及面向主体的相应隔膜内侧的两个薄膜电极。 隔膜和主体一起形成填充有不可压缩液体的空腔，并且主体和隔膜的膜电极形成取决于隔膜偏转的电容。 传感器特别适用于测量爆炸性液体或气体的流量。

公开(公告)号：US5453691A

公开(公告)日：1995-09-26

申请号：US110030

申请日：1993-08-20

申请人： Bernd R. David ,  Olaf H. Dossel ,  Wilfried Edeler ,  Wolfgang Hoppe ,  Rolf U. D. Kobs ,  Johann E. W. Kruger ,  Kai-Michael Ludeke ,  Gert Rabe

发明人： Bernd R. David ,  Olaf H. Dossel ,  Wilfried Edeler ,  Wolfgang Hoppe ,  Rolf U. D. Kobs ,  Johann E. W. Kruger ,  Kai-Michael Ludeke ,  Gert Rabe

IPC分类号： A61B5/05 ,  G01R33/035 ,  H01L39/22

CPC分类号： G01R33/0354 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48092 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  Y10S505/846

摘要： A miniaturized SQUID module (10), notably for multi-channel magnetometers, for measurement of varying magnetic fields in a field strength range below 10.sup.-10 T, includes superconducting and shielded connections between a SQUID chip (19) and a gradiometer (12). The module can be mounted in the lower part of a cryostat and enables a large number of measurement points per unit of surface area. The SQUID chip (19) is arranged on a fully shielded supporting plate (18) which has a width of only a few millimeters and which is provided with electronic circuitry (23), the SQUID chip (19) being connected in a superconducting manner, at least by soldering, to the wires (11) of the gradiometer (12) via a superconducting, solderable and bondable intermediate support (27).

摘要翻译： SQUID芯片（19）和梯度计（12）之间的超导和屏蔽连接的小型化SQUID模块（10），特别是用于多通道磁力计用于测量场强范围内的变化的磁场， 。 该模块可以安装在低温恒温器的下部，并可以在单位表面积上实现大量的测量点。 SQUID芯片（19）布置在宽度仅为几毫米的完全屏蔽的支撑板（18）上并且设置有电子电路（23），SQUID芯片（19）以超导方式连接， 至少通过焊接，通过超导，可焊接和可结合的中间支撑件（27）焊接到梯度计（12）的电线（11）。

公开(公告)号：US4552301A

公开(公告)日：1985-11-12

申请号：US585706

申请日：1984-05-17

申请人： Manfred R. Liehr ,  Wolfgang Nolting ,  Rolf U. D. Kobs ,  Reiner U. Orlowski

发明人： Manfred R. Liehr ,  Wolfgang Nolting ,  Rolf U. D. Kobs ,  Reiner U. Orlowski

IPC分类号： B23K20/22 ,  B23K35/28 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  B23K20/16

CPC分类号： C04B35/645 ,  B23K20/22 ,  B23K35/288 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/406

摘要： The invention relates to a method for the force-coupled and vacuum-tight bonding of components of ceramic material together or to metallic components by means of thermocompression while using a soldering material in the form of an AlMgZn alloy provided between the components to be bonded prior to the thermocompression process. The soldering material used consists preferably of an aluminum-zinc-magnesium alloy having 95% by weight of Al, 4% by weight of Zn and 1% by weight of Mg.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过热压将陶瓷材料的部件与金属部件进行力耦合和真空密封接合的方法，同时使用提供在待粘合的部件之前的AlMgZn合金形式的焊接材料 到热压过程。 所使用的焊接材料优选由Al：95重量％，Zn：4重量％，Mg：1重量％的铝 - 锌 - 镁合金构成。