公开(公告)号：US4855796A

公开(公告)日：1989-08-08

申请号：US871236

申请日：1986-06-06

申请人： Wah S. Wong ,  Cheng P. Wen ,  Jen K. Kung

发明人： Wah S. Wong ,  Cheng P. Wen ,  Jen K. Kung

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L23/482 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L23/4822 ,  H01L24/01 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011

摘要： A beam lead diode configuration is described, employing a planar proton bombarded conversion region and a low-permittivity dielectric separator. The diode enjoys the mechanical ruggedness of the conventional planar diodes and the electrical performance of conventional mesa-type diodes. The diode structure results in the absence of N-type mesa structures on the substrate, allowing fabrication by relatively low-cost, high-yield photolithographic processes.

摘要翻译： 使用平面质子轰击转换区和低介电常数介质分离器来描述束引线二极管配置。 二极管具有常规平面二极管的机械坚固性和常规台面型二极管的电性能。 二极管结构导致在衬底上不存在N型台面结构，允许通过相对低成本的高产量光刻工艺制造。