公开(公告)号：US20130344701A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13929969

申请日：2013-06-28

申请人： Wei LIU ,  Eiichi MATSUSUE ,  Meihua SHEN ,  Shashank C. DESHMUKH ,  Anh-Kiet Quang PHAN ,  David PALAGASHVILI ,  Michael D. WILLWERTH ,  Jong I. SHIN ,  Barrett FINCH ,  Yohei KAWASE

发明人： Wei LIU ,  Eiichi MATSUSUE ,  Meihua SHEN ,  Shashank C. DESHMUKH ,  Anh-Kiet Quang PHAN ,  David PALAGASHVILI ,  Michael D. WILLWERTH ,  Jong I. SHIN ,  Barrett FINCH ,  Yohei KAWASE

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/40117

摘要： Methods for etching high-k material at high temperatures are provided. In one embodiment, a method etching high-k material on a substrate may include providing a substrate having a high-k material layer disposed thereon into an etch chamber, forming a plasma from an etching gas mixture including at least a halogen containing gas into the etch chamber, maintaining a temperature of an interior surface of the etch chamber in excess of about 100 degree Celsius while etching the high-k material layer in the presence of the plasma, and maintaining a substrate temperature between about 100 degree Celsius and about 250 degrees Celsius while etching the high-k material layer in the presence of the plasma.

摘要翻译： 提供了在高温下蚀刻高k材料的方法。 在一个实施例中，在衬底上蚀刻高k材料的方法可以包括提供其上设置有高k材料层的衬底到蚀刻室中，从包括至少含卤素气体的蚀刻气体混合物形成等离子体到 蚀刻室，在蚀刻室的内部表面的温度保持超过约100摄氏度，同时在存在等离子体的同时蚀刻高k材料层，并将衬底温度保持在约100摄氏度至约250度之间 摄氏度，同时在存在等离子体的同时蚀刻高k材料层。