公开(公告)号：US07095070B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10798447

申请日：2004-03-12

申请人： Woo Young Lee ,  Kyung Ho Shin ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Dal Young Kim ,  Kwan Hyi Lee ,  Kyoung Il Lee ,  Min Hong Jeun

发明人： Woo Young Lee ,  Kyung Ho Shin ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Dal Young Kim ,  Kwan Hyi Lee ,  Kyoung Il Lee ,  Min Hong Jeun

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01F10/1936 ,  C25D3/54 ,  C25D5/50 ,  G11C11/14 ,  H01F1/401 ,  H01F41/18 ,  H01F41/26 ,  H01L43/12

摘要： In a method for fabricating a Bi thin film having a great MR (magnetoresistance) at room temperature and a method for fabricating a spintronics device using the same, the Bi thin film is fabricated by an electrodepostiting method and a sputtering method and has very great MR characteristics at room temperature, and it can be applied to various spintronics devices.

摘要翻译： 在室温下具有大的MR（磁阻）的Bi薄膜的制造方法以及使用该Bi薄膜的自旋电子学装置的制造方法中，Bi薄膜通过电沉积法和溅射法制造，具有非常大的MR 在室温下的特性，并且可以应用于各种自旋电子器件。