公开(公告)号：US20120202340A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13021064

申请日：2011-02-04

申请人： Xianfeng LU ,  Ludovic GODET ,  Anthony RENAU

发明人： Xianfeng LU ,  Ludovic GODET ,  Anthony RENAU

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/425 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L31/02963

摘要： ZnTe is implanted with a first species selected from Group III and a second species selected from Group VII. This may be performed using sequential implants, implants of the first species and second species that are at least partially simultaneous, or a molecular species comprising an atom selected from Group III and an atom selected from Group VII. The implants may be performed at an elevated temperature in one instance between 70° C. and 800° C.

摘要翻译： ZnTe植入选自III族的第一种和选自第VII组的第二种。 这可以使用顺序植入物，第一物种的植入物和至少部分同时的第二物质或包含选自III族的原子和选自VII族的原子的分子物质进行。 植入物可以在70℃和800℃之间的一个高温下进行。

公开(公告)号：US20130052810A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13597146

申请日：2012-08-28

申请人： Blake Darby ,  Ludovic GODET ,  Xianfeng LU

发明人： Blake Darby ,  Ludovic GODET ,  Xianfeng LU

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01M10/04

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  C23C16/452 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/1395 ,  Y02E60/122

摘要： In one embodiment, a method of producing a porous semiconductor film on a workpiece includes generating semiconductor precursor ions that comprise one or more of: germanium precursor ions and silicon precursor ions in a plasma of a plasma chamber, in which the semiconductor precursor ions are operative to form a porous film on the workpiece. The method further includes directing the semiconductor precursor ions to the workpiece over a range of angles.

摘要翻译： 在一个实施例中，在工件上制造多孔半导体膜的方法包括在等离子体室的等离子体中产生包括锗前驱体离子和硅前体离子中的一种或多种的半导体前体离子，其中半导体前体离子可操作 以在工件上形成多孔膜。 该方法还包括在半角度范围内将半导体前体离子引导到工件。