公开(公告)号：US08809178B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13408139

申请日：2012-02-29

申请人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

发明人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： One illustrative method disclosed herein includes forming a plurality of spaced-apart trenches in a semiconducting substrate to thereby define a fin structure for the device, forming a local isolation region within each of the trenches, forming a sacrificial gate structure on the fin structure, wherein the sacrificial gate structure comprises at least a sacrificial gate electrode, and forming a layer of insulating material above the fin structure and within the trench above the local isolation region. In this example, the method further includes performing at least one etching process to remove the sacrificial gate structure to thereby define a gate cavity, after removing the sacrificial gate structure, performing at least one etching process to form a recess in the local isolation region, and forming a replacement gate structure that is positioned in the recess in the local isolation region and in the gate cavity.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括在半导体衬底中形成多个间隔开的沟槽，从而限定用于器件的鳍结构，在每个沟槽内形成局部隔离区，在翅片结构上形成牺牲栅极结构，其中 所述牺牲栅极结构至少包括牺牲栅电极，以及在所述鳍结构之上和所述局部隔离区之上的沟槽内形成绝缘材料层。 在该示例中，该方法还包括执行至少一个蚀刻工艺以去除牺牲栅极结构，从而在去除牺牲栅极结构之后，确定栅极腔，执行至少一个蚀刻工艺以在局部隔离区域中形成凹陷， 以及形成位于局部隔离区域和门腔中的凹部中的替换栅极结构。

公开(公告)号：US20130224945A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13408139

申请日：2012-02-29

申请人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans Van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

发明人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans Van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： One illustrative method disclosed herein includes forming a plurality of spaced-apart trenches in a semiconducting substrate to thereby define a fin structure for the device, forming a local isolation region within each of the trenches, forming a sacrificial gate structure on the fin structure, wherein the sacrificial gate structure comprises at least a sacrificial gate electrode, and forming a layer of insulating material above the fin structure and within the trench above the local isolation region. In this example, the method further includes performing at least one etching process to remove the sacrificial gate structure to thereby define a gate cavity, after removing the sacrificial gate structure, performing at least one etching process to form a recess in the local isolation region, and forming a replacement gate structure that is positioned in the recess in the local isolation region and in the gate cavity.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括在半导体衬底中形成多个间隔开的沟槽，从而限定用于器件的鳍结构，在每个沟槽内形成局部隔离区，在翅片结构上形成牺牲栅极结构，其中 所述牺牲栅极结构至少包括牺牲栅电极，以及在所述鳍结构之上和所述局部隔离区之上的沟槽内形成绝缘材料层。 在该示例中，该方法还包括执行至少一个蚀刻工艺以去除牺牲栅极结构，从而在去除牺牲栅极结构之后，确定栅极腔，执行至少一个蚀刻工艺以在局部隔离区域中形成凹陷， 以及形成位于局部隔离区域和门腔中的凹部中的替换栅极结构。