公开(公告)号：US08809178B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13408139

申请日：2012-02-29

申请人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

发明人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： One illustrative method disclosed herein includes forming a plurality of spaced-apart trenches in a semiconducting substrate to thereby define a fin structure for the device, forming a local isolation region within each of the trenches, forming a sacrificial gate structure on the fin structure, wherein the sacrificial gate structure comprises at least a sacrificial gate electrode, and forming a layer of insulating material above the fin structure and within the trench above the local isolation region. In this example, the method further includes performing at least one etching process to remove the sacrificial gate structure to thereby define a gate cavity, after removing the sacrificial gate structure, performing at least one etching process to form a recess in the local isolation region, and forming a replacement gate structure that is positioned in the recess in the local isolation region and in the gate cavity.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括在半导体衬底中形成多个间隔开的沟槽，从而限定用于器件的鳍结构，在每个沟槽内形成局部隔离区，在翅片结构上形成牺牲栅极结构，其中 所述牺牲栅极结构至少包括牺牲栅电极，以及在所述鳍结构之上和所述局部隔离区之上的沟槽内形成绝缘材料层。 在该示例中，该方法还包括执行至少一个蚀刻工艺以去除牺牲栅极结构，从而在去除牺牲栅极结构之后，确定栅极腔，执行至少一个蚀刻工艺以在局部隔离区域中形成凹陷， 以及形成位于局部隔离区域和门腔中的凹部中的替换栅极结构。

公开(公告)号：US08003459B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12691477

申请日：2010-01-21

申请人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

发明人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A method for forming different active thicknesses on the same silicon layer includes masking the silicon layer and exposing selected regions of the silicon layer. The thickness of the silicon layer at the exposed regions is changed, either by adding silicon or subtracting silicon from the layer at the exposed regions. Once the mask is removed, the silicon layer has regions of different active thicknesses, respectively suitable for use in different types of devices, such as diodes and transistors.

摘要翻译： 在同一硅层上形成不同有源厚度的方法包括掩蔽硅层并暴露硅层的选定区域。 通过在曝光区域从层中添加硅或从中减去硅来改变暴露区域处的硅层的厚度。 一旦去除掩模，硅层就具有不同有源厚度的区域，分别适用于不同类型的器件，例如二极管和晶体管。

公开(公告)号：US20060223250A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11280484

申请日：2005-11-16

申请人： Karla Romero ,  Thorsten Kammler ,  Scott Luning ,  Hans Van Meer

发明人： Karla Romero ,  Thorsten Kammler ,  Scott Luning ,  Hans Van Meer

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834

摘要： By providing a hard mask layer stack including at least three different layers for patterning a gate electrode structure, constraints demanded by sophisticated lithography, as well as cap layer integrity, in a subsequent selective epitaxial growth process may be accomplished, thereby providing the potential for further device scaling of transistor devices requiring raised drain and source regions.

摘要翻译： 通过提供包括用于图案化栅电极结构的至少三个不同层的硬掩模层堆叠，可以实现随后的选择性外延生长工艺中复杂光刻所需的约束以及覆盖层完整性，从而提供进一步的潜力 晶体管器件的器件缩放需要高的漏极和源极区域。

公开(公告)号：US08263453B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US13184050

申请日：2011-07-15

申请人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

发明人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A method far farming different active thicknesses on the same silicon layer includes masking the silicon layer and exposing selected regions of the silicon layer. The thickness of the silicon layer at the exposed regions is changed, either by adding silicon or subtracting silicon from the layer at the exposed regions. Once the mask is removed, the silicon layer has regions of different active thicknesses, respectively suitable for use in different types of devices, such as diodes and transistors.

摘要翻译： 在同一硅层上种植不同有源厚度的方法包括掩蔽硅层并暴露硅层的选定区域。 通过在曝光区域从层中添加硅或从中减去硅来改变暴露区域处的硅层的厚度。 一旦去除掩模，硅层就具有不同有源厚度的区域，分别适用于不同类型的器件，例如二极管和晶体管。

公开(公告)号：US20100151660A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12691477

申请日：2010-01-21

申请人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

发明人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A method for forming different active thicknesses on the same silicon layer includes masking the silicon layer and exposing selected regions of the silicon layer. The thickness of the silicon layer at the exposed regions is changed, either by adding silicon or subtracting silicon from the layer at the exposed regions. Once the mask is removed, the silicon layer has regions of different active thicknesses, respectively suitable for use in different types of devices, such as diodes and transistors.

摘要翻译： 在同一硅层上形成不同有源厚度的方法包括掩蔽硅层并暴露硅层的选定区域。 通过在曝光区域从层中添加硅或从中减去硅来改变暴露区域处的硅层的厚度。 一旦去除掩模，硅层就具有不同有源厚度的区域，分别适用于不同类型的器件，例如二极管和晶体管。

公开(公告)号：US07666735B1

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11053935

申请日：2005-02-10

申请人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

发明人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A method for forming different active thicknesses on the same silicon layer includes masking the silicon layer and exposing selected regions of the silicon layer. The thickness of the silicon layer at the exposed regions is changed, either by adding silicon or subtracting silicon from the layer at the exposed regions. Once the mask is removed, the silicon layer has regions of different active thicknesses, respectively suitable for use in different types of devices, such as diodes and transistors.

摘要翻译： 在同一硅层上形成不同有源厚度的方法包括掩蔽硅层并暴露硅层的选定区域。 通过在曝光区域从层中添加硅或从中减去硅来改变暴露区域处的硅层的厚度。 一旦去除掩模，硅层就具有不同有源厚度的区域，分别适用于不同类型的器件，例如二极管和晶体管。

公开(公告)号：US07105399B1

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US11004951

申请日：2004-12-07

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Douglas Bonser ,  Hans Van Meer ,  David Brown

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Douglas Bonser ,  Hans Van Meer ,  David Brown

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84

摘要： Gate electrodes with selectively tuned channel thicknesses are formed by selective epitaxial growth. Embodiments include forming shallow trench isolation regions in an SOI substrate, selectively removing the nitride stop layer and pad oxide layer in an exposed particular active region, and implementing selective epitaxial growth to increase the thickness of the semiconductor layer in the particular active region. Subsequently, the remaining nitride stop and pad oxide layers in other active regions are removed, gate dielectric layers formed, as by thermal oxidation, and the transistors completed.

摘要翻译： 通过选择性外延生长形成具有选择性调谐的沟道厚度的栅极。 实施例包括在SOI衬底中形成浅沟槽隔离区域，选择性地去除暴露的特定有源区域中的氮化物阻挡层和衬垫氧化物层，以及实现选择性外延生长以增加特定有源区域中的半导体层的厚度。 随后，去除其它有源区中剩余的氮化物阻挡层和焊盘氧化物层，如通过热氧化形成栅介电层，并完成晶体管。

公开(公告)号：US20130224945A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13408139

申请日：2012-02-29

申请人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans Van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

发明人： Yanxiang Liu ,  Michael Hargrove ,  Xiaodong Yang ,  Hans Van Meer ,  Laegu Kang ,  Christian Gruensfelder ,  Srikanth Samavedam

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： One illustrative method disclosed herein includes forming a plurality of spaced-apart trenches in a semiconducting substrate to thereby define a fin structure for the device, forming a local isolation region within each of the trenches, forming a sacrificial gate structure on the fin structure, wherein the sacrificial gate structure comprises at least a sacrificial gate electrode, and forming a layer of insulating material above the fin structure and within the trench above the local isolation region. In this example, the method further includes performing at least one etching process to remove the sacrificial gate structure to thereby define a gate cavity, after removing the sacrificial gate structure, performing at least one etching process to form a recess in the local isolation region, and forming a replacement gate structure that is positioned in the recess in the local isolation region and in the gate cavity.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括在半导体衬底中形成多个间隔开的沟槽，从而限定用于器件的鳍结构，在每个沟槽内形成局部隔离区，在翅片结构上形成牺牲栅极结构，其中 所述牺牲栅极结构至少包括牺牲栅电极，以及在所述鳍结构之上和所述局部隔离区之上的沟槽内形成绝缘材料层。 在该示例中，该方法还包括执行至少一个蚀刻工艺以去除牺牲栅极结构，从而在去除牺牲栅极结构之后，确定栅极腔，执行至少一个蚀刻工艺以在局部隔离区域中形成凹陷， 以及形成位于局部隔离区域和门腔中的凹部中的替换栅极结构。

公开(公告)号：US08497556B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13607023

申请日：2012-09-07

申请人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

发明人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

IPC分类号： H01L31/119

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A semiconductor product has different active thicknesses of silicon on a single semiconductor substrate. The thickness of the silicon layer is changed either by selectively adding silicon or subtracting silicon from an original layer of silicon. The different active thicknesses are suitable for use in different types of devices, such as diodes and transistors.

摘要翻译： 半导体产品在单个半导体衬底上具有不同的有源厚度的硅。 通过选择性地添加硅或从原始硅层减去硅来改变硅层的厚度。 不同的有源厚度适用于不同类型的器件，例如二极管和晶体管。

公开(公告)号：US20120326279A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13607023

申请日：2012-09-07

申请人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

发明人： David E. Brown ,  Hans Van Meer ,  Sey-Ping Sun

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A semiconductor product has different active thicknesses of silicon on a single semiconductor substrate. The thickness of the silicon layer is changed either by selectively adding silicon or subtracting silicon from an original layer of silicon. The different active thicknesses are suitable for use in different types of devices, such as diodes and transistors.

摘要翻译： 半导体产品在单个半导体衬底上具有不同的有源厚度的硅。 通过选择性地添加硅或从原始硅层减去硅来改变硅层的厚度。 不同的有源厚度适用于不同类型的器件，例如二极管和晶体管。