公开(公告)号：US20080251891A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11784872

申请日：2007-04-10

申请人： Yeong-Chang Chou ,  Peter S. Nam ,  Chun H. Lin ,  Augusto Gutierrez ,  Jeffrey Ming-Jer Yang ,  Michael Wojtowicz

发明人： Yeong-Chang Chou ,  Peter S. Nam ,  Chun H. Lin ,  Augusto Gutierrez ,  Jeffrey Ming-Jer Yang ,  Michael Wojtowicz

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31612 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3145

摘要： The layers of a semiconductor device have exposed edges. The layers that are susceptible to oxidation are protected from oxidation by coating them with a nitride passivation layer. The nitride passivation layer can be applied using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). A method of making a passivated sidewall semiconductor includes the steps of applying a nitride or other protective material over a wafer using PECVD or other appropriate deposition method.

摘要翻译： 半导体器件的层具有暴露边缘。 易受氧化的层通过用氮化物钝化层涂覆而防止氧化。 可以使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）来施加氮化物钝化层。 制造钝化侧壁半导体的方法包括以下步骤：使用PECVD或其它合适的沉积方法在晶片上施加氮化物或其它保护材料。

公开(公告)号：US07135411B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10918119

申请日：2004-08-12

申请人： Peter S. Nam ,  Michael D. Lange ,  Roger S. Tsai

发明人： Peter S. Nam ,  Michael D. Lange ,  Roger S. Tsai

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/7783

摘要： Antimony-based semiconductor devices are formed over a substrate structure (10) that includes an antimony-based buffer layer (24) and an antimony-based buffer cap (26). Multiple epitaxial layers (30–42) formed over the substrate structure (10) are dry etched to form device mesas (12) and the buffer cap (26) provides a desirably smooth mesa floor and electrical isolation around the mesas.

摘要翻译： 锑基半导体器件形成在包括锑基缓冲层（24）和锑基缓冲帽（26）的衬底结构（10）上。 形成在衬底结构（10）上方的多个外延层（30-42）被干蚀刻以形成器件台面（12），并且缓冲帽（26）提供期望平滑的台面底板和围绕台面的电隔离。