公开(公告)号：US20110207334A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12902212

申请日：2010-10-12

申请人： Yong-soon CHOI ,  Hong-gun KIM ,  Ha-young YI ,  Gil-heyun CHOI ,  Eun-kee Hong

发明人： Yong-soon CHOI ,  Hong-gun KIM ,  Ha-young YI ,  Gil-heyun CHOI ,  Eun-kee Hong

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76224

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes an improved technique of filling a trench to provide the resulting semiconductor device with better characteristics and higher reliability. The method includes forming a trench in a semiconductor layer, forming a first layer on the semiconductor layer using a silicon source and a nitrogen source to fill the trench, curing the first layer using an oxygen source, and annealing the second layer. The method may also be used to form other types of insulating layers such as an interlayer insulating layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括一种填充沟槽的改进技术，以使得到的半导体器件具有更好的特性和更高的可靠性。 该方法包括在半导体层中形成沟槽，使用硅源和氮源在半导体层上形成第一层以填充沟槽，使用氧源固化第一层，并退火第二层。 该方法也可用于形成其它类型的绝缘层，例如层间绝缘层。