公开(公告)号：US06692980B2

公开(公告)日：2004-02-17

申请号：US10188468

申请日：2002-07-02

申请人： Yongsoon Baek ,  Jungwoo Park ,  Sungbock Kim ,  Kwangryong Oh

发明人： Yongsoon Baek ,  Jungwoo Park ,  Sungbock Kim ,  Kwangryong Oh

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/0265

摘要： A method of fabricating a monolithic integrated semiconductor photonic device is provided. In this method, it is possible to remarkably reduce an optical loss in a passive waveguide by forming a non-doped clad layer around a passive layer. Thus, the passive waveguide can be effectively coupled with an active waveguide. Further, a current confinement layer is formed around an active layer, using the non-doped clad layer. Therefore, an expensive tool such as an ion implanter is not required, thereby decreasing manufacturing costs.

摘要翻译： 提供一种制造单片集成半导体光子器件的方法。 在这种方法中，通过在钝化层周围形成非掺杂的覆层，可以显着地减少无源波导中的光损耗。 因此，无源波导可以有效地与有源波导耦合。 此外，使用非掺杂的覆盖层在有源层周围形成电流限制层。 因此，不需要昂贵的工具，例如离子注入机，从而降低制造成本。