公开(公告)号：US20080076259A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11622525

申请日：2007-01-12

申请人： Yoshiyuki OOTA ,  Tsuyoshi Yoshida ,  Eiji Ikegami ,  Kenji Imamoto ,  Jyunji Adachi

发明人： Yoshiyuki OOTA ,  Tsuyoshi Yoshida ,  Eiji Ikegami ,  Kenji Imamoto ,  Jyunji Adachi

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： The invention provides a plasma etching method that does not create any difference in profile between sparse and dense portions of the mask pattern in processing a device having a space width equal to or smaller than 100 nm. An added gas having a high C/F ratio such as C4F8 gas capable of increasing the generation of CF2 radicals that may become sidewall protection film components having a small attachment coefficient is added to the etching gas in order to form sidewall protection films on dense pattern portions, and in addition, Xe gas is added in order to suppress dissociation effect by lowering the electron temperature.

摘要翻译： 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其在处理具有等于或小于100nm的空间宽度的器件时，不会在掩模图案的稀疏部分和致密部分之间产生任何差异。 具有高C / F比例的添加气体，例如可以增加CF 2 N 2基团的产生的C 4 F 8 N 2气体，其可以变成 在蚀刻气体中添加具有小附着系数的侧壁保护膜成分，以在密集图案部分上形成侧壁保护膜，另外，为了通过降低电子温度来抑制解离效果，另外添加Xe气体。