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    Tetrahydroisoquinolin-2-yl-(quinazolin-4-yl)methanone compounds
    1.
    发明授权
    Tetrahydroisoquinolin-2-yl-(quinazolin-4-yl)methanone compounds 有权
    四氢异喹啉-2-基 - （喹唑啉-4-基）甲酮化合物

    公开(公告)号：US09193707B2

    公开(公告)日：2015-11-24

    申请号：US14212031

    申请日：2014-03-14

    申请人： Young Bok Lee ,  Jae Min Kim ,  Deog Joong Kim ,  Chang-Ho Ahn

    发明人： Young Bok Lee ,  Jae Min Kim ,  Deog Joong Kim ,  Chang-Ho Ahn

    IPC分类号： C07D401/06 ,  C07D417/14 ,  C07D401/14

    CPC分类号： A61K31/517 ,  A61K47/66 ,  C07D401/06 ,  C07D401/14 ,  C07D417/14

    摘要： Tetrahydroisoquinolin-2-yl-(quinazolin-4-yl)methanone derivatives represented by formula (I), pharmacologically acceptable salts thereof, and compositions containing such compounds are described. Methods for treating hyperproliferative disorders by administering the compounds are also described. 1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline derivatives for making tetrahydroisoquinolin-2-yl-(quinazolin-4-yl)methanone compounds are also described.

    摘要翻译： 描述了由式（I）表示的四氢异喹啉-2-基 - （喹唑啉-4-基）甲酮衍生物，其药理学上可接受的盐，以及含有这些化合物的组合物。 还描述了通过施用化合物治疗过度增殖性疾病的方法。 还描述了用于制备四氢异喹啉-2-基 - （喹唑啉-4-基）甲酮化合物的1,2,3,4-四氢异喹啉衍生物。

    TETRAHYDROISOQUINOLIN-2-YL-(QUINAZOLIN-4-YL)METHANONE COMPOUNDS
    2.
    发明申请
    TETRAHYDROISOQUINOLIN-2-YL-(QUINAZOLIN-4-YL)METHANONE COMPOUNDS 有权
    四氢喹啉-2-YL-（喹唑啉-4-基）甲酮化合物

    公开(公告)号：US20140275129A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：US14212031

    申请日：2014-03-14

    申请人： Young Bok Lee ,  Jae Min Kim ,  Deog Joong Kim ,  Chang-Ho Ahn

    发明人： Young Bok Lee ,  Jae Min Kim ,  Deog Joong Kim ,  Chang-Ho Ahn

    IPC分类号： C07D401/06 ,  C07D401/14 ,  C07D417/14

    CPC分类号： A61K31/517 ,  A61K47/66 ,  C07D401/06 ,  C07D401/14 ,  C07D417/14

    摘要： Tetrahydroisoquinolin-2-yl-(quinazolin-4-yl)methanone derivatives represented by formula (I), pharmacologically acceptable salts thereof, and compositions containing such compounds are described. Methods for treating hyperproliferative disorders by administering the compounds are also described. 1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline derivatives for making tetrahydroisoquinolin-2-yl-(quinazolin-4-yl)methanone compounds are also described.

    摘要翻译： 描述了由式（I）表示的四氢异喹啉-2-基 - （喹唑啉-4-基）甲酮衍生物，其药理学上可接受的盐，以及含有这些化合物的组合物。 还描述了通过施用化合物治疗过度增殖性疾病的方法。 还描述了用于制备四氢异喹啉-2-基 - （喹唑啉-4-基）甲酮化合物的1,2,3,4-四氢异喹啉衍生物。

    Quinazoline derivatives and therapeutic use thereof
    5.
    发明授权
    Quinazoline derivatives and therapeutic use thereof 有权
    喹唑啉衍生物及其治疗用途

    公开(公告)号：US08404698B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12213182

    申请日：2008-06-16

    申请人： Young Bok Lee ,  Chang Ho Ahn

    发明人： Young Bok Lee ,  Chang Ho Ahn

    IPC分类号： A61K31/517 ,  A61K31/519 ,  C07D239/70 ,  C07D239/94

    CPC分类号： A61K31/517

    摘要： Quinazoline derivatives represented by the general formula pharmacologically acceptable salts thereof, and compositions containing such compounds are described. Methods for using the compounds for treatment of hyperproliferative disorders are also disclosed.

    摘要翻译： 描述了由通式其药理学上可接受的盐代表的喹唑啉衍生物和含有这些化合物的组合物。 还公开了用于治疗过度增殖性疾病的化合物的方法。

    Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same
    10.
    发明申请
    Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20090224307A1

    公开(公告)日：2009-09-10

    申请号：US12398817

    申请日：2009-03-05

    申请人： Byung In Lee ,  Young Bok Lee

    发明人： Byung In Lee ,  Young Bok Lee

    IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

    摘要： A semiconductor device and method of fabricating the same. In an aspect of the inventive method, a tunnel insulating layer, a first conductive layer, a dielectric layer, a second conductive layer, and a gate electrode layer are sequentially stacked over a semiconductor substrate. The gate electrode layer is patterned in order to expose the second conductive layer. A passivation layer is formed on sidewalls of the gate electrode layer. Gate patterns are formed by etching the exposed second conductive layer, the dielectric layer, and the first conductive layer using the passivation layer as a mask.

    摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法。 在本发明方法的一个方面，隧道绝缘层，第一导电层，电介质层，第二导电层和栅极电极层依次层叠在半导体衬底上。 图案化栅电极层以暴露第二导电层。 钝化层形成在栅电极层的侧壁上。 通过使用钝化层作为掩模蚀刻暴露的第二导电层，电介质层和第一导电层来形成栅极图案。