公开(公告)号：US20160118247A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：US14920922

申请日：2015-10-23

申请人： Young-Lim Park ,  WONSEOK YOO ,  HYOKYOUNG KIM ,  CHANGYUP PARK ,  KONGSOO LEE ,  WOOK-YEOL YI ,  HANJIN LIM

发明人： Young-Lim Park ,  WONSEOK YOO ,  HYOKYOUNG KIM ,  CHANGYUP PARK ,  KONGSOO LEE ,  WOOK-YEOL YI ,  HANJIN LIM

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L27/10885

摘要： Provided is a method of forming a semiconductor device. The method can include loading a semiconductor substrate into semiconductor equipment. A base layer can be formed on the loaded semiconductor substrate by performing a base deposition process using a base source material. A first silicon layer can be formed on the base layer to a greater thickness than the base layer by performing a first silicon deposition process using a silicon source material different from the base source material. A first nitrided silicon layer can be formed by nitriding the first silicon layer using a first nitridation process. The semiconductor substrate having the first nitrided silicon layer can be unloaded from the semiconductor equipment.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法可以包括将半导体衬底加载到半导体设备中。 可以通过使用基础源材料进行基底沉积工艺，在负载的半导体衬底上形成基底层。 可以通过使用不同于基础源材料的硅源材料进行第一硅沉积工艺，在基底层上形成比基底层更大的厚度的第一硅层。 可以通过使用第一氮化工艺氮化第一硅层来形成第一氮化硅层。 具有第一氮化硅层的半导体衬底可以从半导体设备卸载。