公开(公告)号：USD689216S1

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US29431078

申请日：2012-09-03

申请人： Yu-Liang Chow ,  Ming-Chuan Lin ,  Chia-Ta Chang ,  Shih-Cheng Wang ,  Kuang-Neng Chen

设计人： Yu-Liang Chow ,  Ming-Chuan Lin ,  Chia-Ta Chang ,  Shih-Cheng Wang ,  Kuang-Neng Chen

公开(公告)号：US20130240894A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13418833

申请日：2012-03-13

申请人： Hans Joachim Würfl ,  Eldad Bahat-Treidel ,  Chia-Ta Chang ,  Oliver Hilt ,  Rimma Zhytnytska

发明人： Hans Joachim Würfl ,  Eldad Bahat-Treidel ,  Chia-Ta Chang ,  Oliver Hilt ,  Rimma Zhytnytska

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1075 ,  H01L27/027 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An overvoltage protection device for compound semiconductor field effect transistors includes an implanted region disposed in a compound semiconductor material. The implanted region has spatially distributed trap states which cause the implanted region to become electrically conductive at a threshold voltage. A first contact is connected to the implanted region. A second contact spaced apart from the first contact is also connected to the implanted region. The distance between the first and second contacts partly determines the threshold voltage of the overvoltage protection device.

摘要翻译： 用于化合物半导体场效应晶体管的过电压保护装置包括设置在化合物半导体材料中的注入区域。 植入区域具有空间分布的陷阱状态，其导致注入区域在阈值电压下变得导电。 第一触点连接到植入区域。 与第一接触件间隔开的第二接触件也连接到植入区域。 第一和第二触点之间的距离部分地确定过电压保护装置的阈值电压。

公开(公告)号：US20110141766A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12964504

申请日：2010-12-09

申请人： Chia-Ta Chang ,  Ming-Hsi Chiang ,  Zhan-Wei Qiu ,  Hsiu-Ping Lee ,  Kuo-Jui Huang ,  Zhi-Ting Ye

发明人： Chia-Ta Chang ,  Ming-Hsi Chiang ,  Zhan-Wei Qiu ,  Hsiu-Ping Lee ,  Kuo-Jui Huang ,  Zhi-Ting Ye

IPC分类号： F21V7/22

CPC分类号： G02B6/0006 ,  F21K9/23 ,  F21K9/61 ,  F21S6/003 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/001 ,  G02B6/0073

摘要： An illumination module includes a light bar, an LED assembly, a positioning member, a sleeve and a lamp receptacle. The light bar has a first end and a second end opposite the first end. A microstructure layer or a reflective layer is formed on the light bar, and a positioning pillar is formed on an outer side of the light bar. The emitting light of the LED assembly is diffused by the microstructure layer or reflected by the reflective layer to spread over the entire light bar. The positioning member, the sleeve, the LED assembly or the lamp receptacle has at least one guide slot that engages with the positioning pillar of the light bar.

摘要翻译： 照明模块包括灯条，LED组件，定位构件，套筒和灯座。 灯条具有与第一端相对的第一端和第二端。 在光棒上形成微结构层或反射层，在光棒的外侧形成有定位柱。 LED组件的发光由微结构层扩散或被反射层反射，以遍布整个光条。 定位构件，套筒，LED组件或灯座具有与光棒的定位柱接合的至少一个导槽。

公开(公告)号：US08714798B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US12964504

申请日：2010-12-09

申请人： Chia-Ta Chang ,  Ming-Hsi Chiang ,  Zhan-Wei Qiu ,  Hsiu-Ping Lee ,  Kuo-Jui Huang ,  Zhi-Ting Ye

发明人： Chia-Ta Chang ,  Ming-Hsi Chiang ,  Zhan-Wei Qiu ,  Hsiu-Ping Lee ,  Kuo-Jui Huang ,  Zhi-Ting Ye

IPC分类号： F21V7/04

CPC分类号： G02B6/0006 ,  F21K9/23 ,  F21K9/61 ,  F21S6/003 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/001 ,  G02B6/0073

摘要： An illumination module includes a light bar, an LED assembly, a positioning member, a sleeve and a lamp receptacle. The light bar has a first end and a second end opposite the first end. A microstructure layer or a reflective layer is formed on the light bar, and a positioning pillar is formed on an outer side of the light bar. The emitting light of the LED assembly is diffused by the microstructure layer or reflected by the reflective layer to spread over the entire light bar. The positioning member, the sleeve, the LED assembly or the lamp receptacle has at least one guide slot that engages with the positioning pillar of the light bar.

摘要翻译： 照明模块包括灯条，LED组件，定位构件，套筒和灯座。 灯条具有与第一端相对的第一端和第二端。 在光棒上形成微结构层或反射层，在光棒的外侧形成有定位柱。 LED组件的发光由微结构层扩散或被反射层反射，以遍布整个光条。 定位构件，套筒，LED组件或灯座具有与光棒的定位柱接合的至少一个导槽。

公开(公告)号：US20100159708A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12385525

申请日：2009-04-10

申请人： Yi Edward Chang ,  Chia-Ta Chang ,  Shih-Kuang Hsiao

发明人： Yi Edward Chang ,  Chia-Ta Chang ,  Shih-Kuang Hsiao

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3086 ,  C30B29/06 ,  C30B29/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L33/007

摘要： The invention is disclosed that pattern on semiconductor substrate is fabricated by thermal reflow technique. Also, the pattern on semiconductor substrate having different sub-micron spacings can be fabricated by using different time for the thermal reflow technique process.

摘要翻译： 公开了通过热回流技术制造半导体衬底上的图案的发明。 此外，具有不同亚微米间距的半导体衬底上的图案可以通过对于热回流技术工艺使用不同的时间来制造。