公开(公告)号：US07576374B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11475341

申请日：2006-06-26

申请人： Yuan-Pang Lee ,  Chen-Shiang Shieh ,  Ping-Hung Yin ,  Fei-Yun Chen ,  Yuan-Ko Hwang

发明人： Yuan-Pang Lee ,  Chen-Shiang Shieh ,  Ping-Hung Yin ,  Fei-Yun Chen ,  Yuan-Ko Hwang

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A new method is provided to create a polysilicon fuse. The invention provides for applying a first oxide plasma treatment to the surface of the created polysilicon fuse, creating a thin layer of native oxide over the surface of the created polysilicon fuse, followed by a DI water rinse. This thin layer of native oxide is made more robust by applying a second oxide plasma treatment to exposed surfaces, this more robust layer of native oxide protects the polysilicon fuse during subsequent processing steps of wet photoresist and polymer removal.

摘要翻译： 提供了一种新的方法来产生多晶硅保险丝。 本发明提供了将第一氧化物等离子体处理应用到所产生的多晶硅保险丝的表面上，在所产生的多晶硅保险丝的表面上产生一层自然氧化物，然后进行去离子水冲洗。 通过对暴露的表面施加第二氧化物等离子体处理，使这种天然氧化物薄层变得更加坚固。在湿光致抗蚀剂和聚合物去除的后续处理步骤中，更坚固的天然氧化物层保护多晶硅熔丝。

公开(公告)号：US20060240363A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11475341

申请日：2006-06-26

申请人： Yuan-Pang Lee ,  Chen-Shiang Shieh ,  Ping-Hung Yin ,  Fei-Yun Chen ,  Yuan-Ko Hwang

发明人： Yuan-Pang Lee ,  Chen-Shiang Shieh ,  Ping-Hung Yin ,  Fei-Yun Chen ,  Yuan-Ko Hwang

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A new method is provided to create a polysilicon fuse. The invention provides for applying a first oxide plasma treatment to the surface of the created polysilicon fuse, creating a thin layer of native oxide over the surface of the created polysilicon fuse, followed by a DI water rinse. This thin layer of native oxide is made more robust by applying a second oxide plasma treatment to exposed surfaces, this more robust layer of native oxide protects the polysilicon fuse during subsequent processing steps of wet photoresist and polymer removal.

摘要翻译： 提供了一种新的方法来产生多晶硅保险丝。 本发明提供了将第一氧化物等离子体处理应用到所产生的多晶硅保险丝的表面上，在所产生的多晶硅保险丝的表面上产生一层自然氧化物，然后进行去离子水冲洗。 通过对暴露的表面施加第二氧化物等离子体处理，使这种天然氧化物薄层变得更加坚固。在湿光致抗蚀剂和聚合物去除的后续处理步骤中，更坚固的天然氧化物层保护多晶硅熔丝。

公开(公告)号：US07083897B2

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10438681

申请日：2003-05-15

申请人： Yuan-Pang Lee ,  Chen-Shiang Shieh ,  Ping-Hung Yin ,  Fei-Yun Chen ,  Yuan-Ko Hwang

发明人： Yuan-Pang Lee ,  Chen-Shiang Shieh ,  Ping-Hung Yin ,  Fei-Yun Chen ,  Yuan-Ko Hwang

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A new method is provided to create a polysilicon fuse. The invention provides for applying a first oxide plasma treatment to the surface of the created polysilicon fuse, creating a thin layer of native oxide over the surface of the created polysilicon fuse, followed by a DI water rinse. This thin layer of native oxide is made more robust by applying a second oxide plasma treatment to exposed surfaces, this more robust layer of native oxide protects the polysilicon fuse during subsequent processing steps of wet photoresist and polymer removal.

摘要翻译： 提供了一种新的方法来产生多晶硅保险丝。 本发明提供了将第一氧化物等离子体处理应用到所产生的多晶硅保险丝的表面上，在所产生的多晶硅保险丝的表面上产生一层自然氧化物，然后进行去离子水冲洗。 通过对暴露的表面施加第二氧化物等离子体处理，使这种天然氧化物薄层变得更加坚固。在湿光致抗蚀剂和聚合物去除的后续处理步骤中，更坚固的天然氧化物层保护多晶硅熔丝。

公开(公告)号：US07384799B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11044857

申请日：2005-01-26

申请人： Fei-Yun Chen ,  Ni-Hwi Kuan ,  Yuh-Hwa Chang ,  Yuan-Pang Lee ,  Yuan-Ko Hwang ,  Shuh-Shun Chen

发明人： Fei-Yun Chen ,  Ni-Hwi Kuan ,  Yuh-Hwa Chang ,  Yuan-Pang Lee ,  Yuan-Ko Hwang ,  Shuh-Shun Chen

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00595 ,  H01L21/32136

摘要： A method for forming a MEMS device using an amorphous silicon layer as a release layer includes etching superjacent films and using the amorphous silicon layer as an etch stop layer. The amorphous silicon layer is resistant to attack during the post-etch solvent stripping operation due to the oxidation of exposed portions of the amorphous silicon layer by use of an oxygen plasma.

摘要翻译： 使用非晶硅层作为剥离层形成MEMS器件的方法包括蚀刻上层膜并使用非晶硅层作为蚀刻停止层。 由于通过使用氧等离子体对非晶硅层的暴露部分的氧化，非晶硅层在蚀刻前溶剂剥离操作期间抵抗攻击。

公开(公告)号：US20060166509A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11044857

申请日：2005-01-26

申请人： Fei-Yun Chen ,  Ni-Hwi Kuan ,  Yuh-Hwa Chang ,  Yuan-Pang Lee ,  Yuan-Ko Hwang ,  Shuh-Shun Chen

发明人： Fei-Yun Chen ,  Ni-Hwi Kuan ,  Yuh-Hwa Chang ,  Yuan-Pang Lee ,  Yuan-Ko Hwang ,  Shuh-Shun Chen

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00595 ,  H01L21/32136

摘要： A method for forming a MEMS device using an amorphous silicon layer as a release layer includes etching superjacent films and using the amorphous silicon layer as an etch stop layer. The amorphous silicon layer is resistant to attack during the post-etch solvent stripping operation due to the oxidation of exposed portions of the amorphous silicon layer by use of an oxygen plasma.

摘要翻译： 使用非晶硅层作为剥离层形成MEMS器件的方法包括蚀刻上层膜并使用非晶硅层作为蚀刻停止层。 由于通过使用氧等离子体对非晶硅层的暴露部分的氧化，非晶硅层在蚀刻前溶剂剥离操作期间抵抗攻击。