公开(公告)号：US20130197009A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13877358

申请日：2011-10-21

申请人： Yukitaka Ideyama ,  Sadao Kuromitsu ,  Takashi Furutani ,  Masayoshi Takeda ,  Satoshi Konagai ,  Tomohiro Yamada ,  Nobuaki Taniguchi ,  Yutaka Kondoh ,  Masaaki Hirano ,  Kazushi Watanabe ,  Takashi Sugane ,  Akio Kakefuda

发明人： Yukitaka Ideyama ,  Sadao Kuromitsu ,  Takashi Furutani ,  Masayoshi Takeda ,  Satoshi Konagai ,  Tomohiro Yamada ,  Nobuaki Taniguchi ,  Yutaka Kondoh ,  Masaaki Hirano ,  Kazushi Watanabe ,  Takashi Sugane ,  Akio Kakefuda

IPC分类号： C07D401/02 ,  C07D401/14 ,  C07D403/02

CPC分类号： C07D401/02 ,  A61K31/496 ,  A61K31/506 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  C07D403/02 ,  C07D403/12

摘要： [Problem] An object of the present invention is to provide a novel anticancer drug which is useful for treating prostate cancer accompanying androgen receptor mutation[Means for Solution] The present inventors conducted thorough research on mutant androgen-related diseases for which the traditional anti-androgen drugs become ineffective. As a result, they found that the compound, which is an active ingredient of the pharmaceutical composition of the present invention, exhibits an inhibitory action against transcriptional activation in a human mutant androgen receptor (AR), and has an excellent antitumor action in a human prostate cancer-bearing mouse, thereby completing the present invention. Accordingly, the compound, which is an active ingredient of the pharmaceutical composition of the present invention, is useful for a series of androgen receptor-related diseases including prostate cancer.

摘要翻译： 本发明的目的在于提供一种可用于治疗伴随雄激素受体突变的前列腺癌的新型抗癌药物。本发明人进行了关于雄激素相关疾病的全面研究， 雄激素药物变得无效。 结果发现，作为本发明的药物组合物的活性成分的化合物在人突变型雄激素受体（AR）中表现出对转录活化的抑制作用，并且在人体中具有优异的抗肿瘤作用 前列腺癌的小鼠，从而完成本发明。 因此，作为本发明的药物组合物的活性成分的化合物可用于一系列与前列腺癌有关的雄激素受体相关疾病。

公开(公告)号：US09053783B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13422417

申请日：2012-03-16

申请人： Satoshi Konagai

发明人： Satoshi Konagai

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1666

摘要： According to one embodiment, in a nonvolatile semiconductor memory device, a first line is disposed on a semiconductor substrate. A first memory cell is disposed on a side opposite to the semiconductor substrate with respect to the first line. A second line intersects with the first line via the first memory cell. A second memory cell is disposed on a side opposite to the semiconductor substrate with respect to the second line. A third line intersects with the second line via the second memory cell. The first memory cell has a first resistance change layer and a first rectification layer. The second memory cell has a second resistance change layer and a second rectification layer. A composition of the first resistance change layer is different from a composition of the second resistance change layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，在非易失性半导体存储器件中，第一线设置在半导体衬底上。 第一存储单元相对于第一线设置在与半导体衬底相对的一侧上。 第二行通过第一个存储单元与第一行相交。 第二存储单元相对于第二线设置在与半导体衬底相对的一侧上。 第三行通过第二存储单元与第二行相交。 第一存储单元具有第一电阻变化层和第一整流层。 第二存储单元具有第二电阻变化层和第二整流层。 第一电阻变化层的组成与第二电阻变化层的组成不同。