公开(公告)号：US08598587B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13209188

申请日：2011-08-12

申请人： Yun Jong Yeo ,  Hong-Kee Chin ,  Byeong Hoon Cho ,  Ki-Hun Jeong ,  Jung Suk Bang ,  Woong Kwon Kim ,  Sung Ryul Kim ,  Dae Cheol Kim ,  Kun-Wook Han

发明人： Yun Jong Yeo ,  Hong-Kee Chin ,  Byeong Hoon Cho ,  Ki-Hun Jeong ,  Jung Suk Bang ,  Woong Kwon Kim ,  Sung Ryul Kim ,  Dae Cheol Kim ,  Kun-Wook Han

IPC分类号： H01L31/0376

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

摘要： An optical sensor preventing damage to a semiconductor layer, and preventing a disconnection and a short circuit of a source electrode and a drain electrode, and a manufacturing method of the optical sensor is provided. The optical sensor includes: a substrate; an infrared ray sensing thin film transistor including a first semiconductor layer disposed on the substrate; a visible ray sensing thin film transistor including a second semiconductor layer disposed on the substrate; a switching thin film transistor including a third semiconductor layer disposed on the substrate; and a semiconductor passivation layer enclosing an upper surface and a side surface of an end portion of at least one of the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the third semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了防止半导体层损坏并防止源电极和漏极的断开和短路的光学传感器以及光学传感器的制造方法。 光学传感器包括：基板; 包括设置在所述基板上的第一半导体层的红外线感测薄膜晶体管; 包括设置在所述基板上的第二半导体层的可见光线感测薄膜晶体管; 开关薄膜晶体管，其包括设置在所述基板上的第三半导体层; 以及半导体钝化层，其包围第一半导体层，第二半导体层和第三半导体层中的至少一个的端部的上表面和侧面。

公开(公告)号：US08785932B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13182235

申请日：2011-07-13

申请人： Suk Won Jung ,  Byeong Hoon Cho ,  Sung Hoon Yang ,  Woong Kwon Kim ,  Sang Youn Han ,  Dae Cheol Kim ,  Ki-Hun Jeong ,  Kyung-Sook Jeon ,  Seung Mi Seo ,  Jung-Suk Bang ,  Kun-Wook Han

发明人： Suk Won Jung ,  Byeong Hoon Cho ,  Sung Hoon Yang ,  Woong Kwon Kim ,  Sang Youn Han ,  Dae Cheol Kim ,  Ki-Hun Jeong ,  Kyung-Sook Jeon ,  Seung Mi Seo ,  Jung-Suk Bang ,  Kun-Wook Han

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L31/18 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/042 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633

摘要： An IR sensing transistor according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a light blocking layer formed on a substrate; a gate insulating layer formed on the light blocking layer; a semiconductor formed on the gate insulating layer; a pair of ohmic contact members formed on the semiconductor; a source electrode and a drain electrode formed on respective ones of the ohmic contact members; a passivation layer formed on the source electrode and the drain electrode; and a gate electrode formed on the passivation layer, wherein substantially all of the gate insulating layer lies on the light blocking layer.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的IR感测晶体管包括：形成在基板上的遮光层; 形成在所述遮光层上的栅极绝缘层; 形成在栅极绝缘层上的半导体; 形成在所述半导体上的一对欧姆接触构件; 源电极和漏电极，形成在各个欧姆接触元件上; 形成在源电极和漏电极上的钝化层; 以及形成在所述钝化层上的栅电极，其中所述栅极绝缘层基本上全部位于所述遮光层上。