公开(公告)号：US20070022953A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11490246

申请日：2006-07-21

申请人： Yun-Ho Choi ,  Tae-Hong Ha ,  Jung-Hun Seo ,  Jin-Gi Hong ,  Jung-Suk Seo ,  Sung-Guen Park ,  Hyun-Chul Kwun

发明人： Yun-Ho Choi ,  Tae-Hong Ha ,  Jung-Hun Seo ,  Jin-Gi Hong ,  Jung-Suk Seo ,  Sung-Guen Park ,  Hyun-Chul Kwun

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4482

摘要： A source gas-supplying unit may include a chamber for receiving a liquid source. A first pipe may extend into the chamber to dip into the liquid source. The first pipe may provide a carrier gas to bubble through the liquid source to generate a vapor source. A second pipe may be connected to the chamber. The vapor source and the carrier gas may be supplied by the second pipe to a process chamber in which a semiconductor-manufacturing process may be carried out. A blocking structure may be provided in the sealed chamber. The blocking structure may block the liquid source that may be splashed toward the second pipe due to the bubbling.

摘要翻译： 源气体供应单元可以包括用于接收液体源的室。 第一管可以延伸到室中以浸入液体源。 第一管可以提供载气气泡通过液体源以产生蒸汽源。 第二管可以连接到腔室。 蒸汽源和载气可以由第二管道供应到可以进行半导体制造工艺的处理室。 可以在密封室中设置阻挡结构。 阻塞结构可阻塞由于起泡而可能朝向第二管溅出的液体源。

公开(公告)号：US20070202694A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11589716

申请日：2006-10-31

申请人： Jung-Hun Seo ,  Jin-Gi Hong ,  Yun-Ho Choi ,  Hyun-Chul Kwun ,  Eun-Taeck Lee ,  Jin-Ho Kim

发明人： Jung-Hun Seo ,  Jin-Gi Hong ,  Yun-Ho Choi ,  Hyun-Chul Kwun ,  Eun-Taeck Lee ,  Jin-Ho Kim

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/76841 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45508 ,  H01L21/28556

摘要： In a method of forming a layer, a titanium layer and a titanium nitride layer may be successively formed on a first wafer. By-products adhered to the inside of a chamber during the formation of the titanium nitride layer may be removed from the chamber. Processes of forming the titanium layer, forming the titanium nitride layer, and removing the by-products may be repeated relative to a second wafer.

摘要翻译： 在形成层的方法中，可以在第一晶片上连续地形成钛层和氮化钛层。 在形成氮化钛层期间附着在室内部的副产物可以从室中除去。 可以相对于第二晶片重复形成钛层，形成氮化钛层和除去副产物的工艺。

公开(公告)号：US07820244B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11589716

申请日：2006-10-31

申请人： Jung-Hun Seo ,  Jin-Gi Hong ,  Yun-Ho Choi ,  Hyun-Chul Kwun ,  Eun-Taeck Lee ,  Jin-Ho Kim

发明人： Jung-Hun Seo ,  Jin-Gi Hong ,  Yun-Ho Choi ,  Hyun-Chul Kwun ,  Eun-Taeck Lee ,  Jin-Ho Kim

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/76841 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45508 ,  H01L21/28556

摘要： In a method of forming a layer, a titanium layer and a titanium nitride layer may be successively formed on a first wafer. By-products adhered to the inside of a chamber during the formation of the titanium nitride layer may be removed from the chamber. Processes of forming the titanium layer, forming the titanium nitride layer, and removing the by-products may be repeated relative to a second wafer.

摘要翻译： 在形成层的方法中，可以在第一晶片上依次形成钛层和氮化钛层。 在形成氮化钛层期间附着在室内部的副产物可以从室中除去。 可以相对于第二晶片重复形成钛层，形成氮化钛层和除去副产物的工艺。