公开(公告)号：US20140015015A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13545621

申请日：2012-07-10

申请人： Zoran Krivokapic ,  Bhagawan Sahu

发明人： Zoran Krivokapic ,  Bhagawan Sahu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785

摘要： One illustrative device disclosed herein includes at least one fin comprised of a semiconducting material, a layer of gate insulation material positioned adjacent an outer surface of the fin, a gate electrode comprised of graphene positioned on the layer of gate insulation material around at least a portion of the fin, and an insulating material formed on the gate electrode.

摘要翻译： 本文公开的一个说明性装置包括至少一个由半导体材料构成的鳍片，邻近翅片的外表面定位的栅极绝缘材料层，由石墨烯组成的栅电极，栅极电极定位在栅极绝缘材料层周围的至少一部分 并且形成在栅电极上的绝缘材料。

公开(公告)号：US08815739B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13545621

申请日：2012-07-10

申请人： Zoran Krivokapic ,  Bhagawan Sahu

发明人： Zoran Krivokapic ,  Bhagawan Sahu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785

摘要： One illustrative device disclosed herein includes at least one fin comprised of a semiconducting material, a layer of gate insulation material positioned adjacent an outer surface of the fin, a gate electrode comprised of graphene positioned on the layer of gate insulation material around at least a portion of the fin, and an insulating material formed on the gate electrode.

摘要翻译： 本文公开的一个说明性装置包括至少一个由半导体材料构成的鳍片，邻近翅片的外表面定位的栅极绝缘材料层，由石墨烯组成的栅电极，栅极电极定位在栅极绝缘材料层周围的至少一部分 并且形成在栅电极上的绝缘材料。