公开(公告)号：US08525399B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12888650

申请日：2010-09-23

申请人： Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Masayuki Katagiri ,  Yuichi Yamazaki

发明人： Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Masayuki Katagiri ,  Yuichi Yamazaki

IPC分类号： H01J63/04

CPC分类号： H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/0447

摘要： According to the embodiment, an electron emission element includes a conductive substrate, a first diamond layer of a first conductivity type formed on the conductive substrate, and a second diamond layer of the first conductivity type formed on the first diamond layer. Thereby, it becomes possible to provide the electron emission element having a high electron emission amount and a high current density even in a low electric field at low temperature and the electron emission apparatus using this electron emission element.

摘要翻译： 根据实施例，电子发射元件包括导电衬底，形成在导电衬底上的第一导电类型的第一金刚石层和形成在第一金刚石层上的第一导电类型的第二金刚石层。 由此，即使在低温下的低电场和使用该电子发射元件的电子发射装置，也可以提供具有高电子发射量和高电流密度的电子发射元件。

公开(公告)号：US20110050080A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12888650

申请日：2010-09-23

申请人： Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Masayuki Katagiri ,  Yuichi Yamazaki

发明人： Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Masayuki Katagiri ,  Yuichi Yamazaki

IPC分类号： H01J9/02

CPC分类号： H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/0447

摘要： According to the embodiment, an electron emission element includes a conductive substrate, a first diamond layer of a first conductivity type formed on the conductive substrate, and a second diamond layer of the first conductivity type formed on the first diamond layer. Thereby, it becomes possible to provide the electron emission element having a high electron emission amount and a high current density even in a low electric field at low temperature and the electron emission apparatus using this electron emission element.

摘要翻译： 根据实施例，电子发射元件包括导电衬底，形成在导电衬底上的第一导电类型的第一金刚石层和形成在第一金刚石层上的第一导电类型的第二金刚石层。 由此，即使在低温下的低电场和使用该电子发射元件的电子发射装置，也可以提供具有高电子发射量和高电流密度的电子发射元件。

公开(公告)号：US20080044647A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US10594718

申请日：2005-03-24

申请人： Yoshiki Nishibayashi ,  Tomihito Miyazaki ,  Tetsuya Hattori ,  Takahiro Imai

发明人： Yoshiki Nishibayashi ,  Tomihito Miyazaki ,  Tetsuya Hattori ,  Takahiro Imai

IPC分类号： H01J9/02 ,  B82B3/00 ,  G01N13/16 ,  H01J1/304

CPC分类号： B81C1/00111 ,  H01J9/025 ,  H01J2329/0415 ,  H01J2329/0447 ,  Y10T428/26

摘要： This method of forming a carbonaceous material projection structure includes: the step of applying a resist 11 onto a diamond substrate 10; the step of forming holes 12 in the applied resist 11, the holes 12 being provided according to a predetermined arrangement, a wall 12b of each of the holes 12 being inversely tapered from an aperture 12a toward a bottom; the step of depositing a mask material through the aperture 12a to form a mask deposition 14 in each of the holes 12; the step of lifting off a mask material 13 deposited on the resist 11 together with the resist 11; and etching the diamond substrate 10 using the mask deposition 14 as a mask to form a carbonaceous material projection.

摘要翻译： 这种形成碳质材料投影结构的方法包括：将抗蚀剂11涂覆在金刚石基板10上的步骤; 在施加的抗蚀剂11中形成孔12的步骤，孔12根据预定布置设置，每个孔12的壁12b从孔12a向底部呈倒锥形; 通过孔12a沉积掩模材料以在每个孔12中形成掩模沉积14的步骤; 剥离与抗蚀剂11一起沉积在抗蚀剂11上的掩模材料13的步骤; 并使用掩模沉积14作为掩模蚀刻金刚石基板10，以形成碳质材料凸起。