公开(公告)号：WO2013023446A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/CN2012/070732

申请日：2012-01-29

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司 ,  张挺 ,  郑晨焱 ,  夏佳杰 ,  谢志峰 ,  邵凯

Inventor： 张挺 ,  郑晨焱 ,  夏佳杰 ,  谢志峰 ,  邵凯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289

Abstract: 一种腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底(001)，在硅基底(001)上形成基底保护层(002)；刻蚀基底保护层(002)，形成多个窗口（003)，直至露出下方的硅基底(001)；以基底保护层(002)为掩模，刻蚀硅基底(001)，在硅基底(001)中形成多个凹槽(004)；在多个凹槽(004)的侧壁形成侧壁保护层；以基底保护层(002)和侧壁保护层(004)为掩模，继续刻蚀凹槽(004)，在硅基底(001)中形成多个深槽(007)；采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽(007)，在硅基底(001)内部形成腔体(008)。该制造方法属于正面加工工艺，不采用价格昂贵的背面工艺，其与传统的CMOS制造工艺完全兼容。该制造方法采用的工艺温度低于400度，并且形成腔体后基底的总厚度也大大减薄了。另外，该制造方法对工艺要求比较灵活，整个加工工艺稳定可靠，精度很高，并且成本较低。