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    HOCHAUFGELÖSTE PHOTOCHEMIE UNTERHALB DES BEUGUNGSLIMITS MITTELS SCHALTBARER PHOTOENOLISIERUNG
    2.
    发明申请
    HOCHAUFGELÖSTE PHOTOCHEMIE UNTERHALB DES BEUGUNGSLIMITS MITTELS SCHALTBARER PHOTOENOLISIERUNG 审中-公开
    高分辨率PHOTOCHEMIE低于限值绕射的可切换photoenolization

    公开(公告)号：WO2016188938A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：PCT/EP2016/061523

    申请日：2016-05-23

    Applicant: KARLSRUHER INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE

    Inventor： FISCHER, Joachim ,  RICHTER, Benjamin ,  QUICK, Alexander ,  MÜLLER, Jonathan ,  BASTMEYER, Martin ,  BARNER-KOWOLLIK, Christopher ,  WEGENER, Martin

    IPC: G03F7/00 ,  G03F7/031 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/001 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/031 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2053

    Abstract: Verfahren zur Durchführung chemischer Reaktionen, insbesondere optischer Lithographie, unterhalb des Beugungslimits bei dem ein Stoffgemisch enthaltend oder bestehend aus: (i) mindestens einem Photoenol, (ii) gegebenenfalls mindestens einem Reaktionspartner, (iii) gegebenenfalls ein Lösemittel oder Lösemittelgemisch, (iv) gegebenenfalls weiteren Hilfsstoffen, bereit gestellt wird, b) die vom Photoenol ausgehende Reaktion durch Einstrahlung von Licht, bevorzugt eines Lasers, einer ersten, das Photoenol aktivierenden, Wellenlänge an einem ausgewählten Ort initiiert wird, und gleichzeitig oder danach c) die vom Photoenol ausgehende Reaktion durch Einstrahlung von Licht, bevorzugt eines Lasers, einer zweiten, das Photoenol deaktivierenden, Wellenlänge in der unmittelbaren Umgebung des ausgewählten Ortes unterdrückt wird, wobei mit dem eingestrahlten Abregungslicht ein Interferenz-Muster erzeugt wird, welches an dem ausgewählten Ort ein Intensitätsminimum oder null Intensität besitzt, die Verwendung von Photoenoien für photochemische Reaktionen, beispielsweise in Lacken, zur optischen Lithographie unterhalb des Beugungslimits, ein Verfahren zur Verkleinerung des Lithographiemaßstabs und/oder der Lithographieauflösung bei der optischen Lithographie und die Verwendung für bestimmte technische Bereiche, sowie ein Lack für photochemische Reaktionen, beispielsweise optischen Lithographie, unterhalb des Beugungslimits.

    Abstract translation: 一种用于进行化学反应，特别是光学光刻，下面其中的混合物含有或由以下组成的衍射极限的方法：（i）至少一个photoenol，（ii）任选的至少一种反应物，（iii）任选的溶剂或溶剂混合物，（iv）任选， 其它赋形剂，提供，b）通过光照射，优选激光，首先，photoenol活化从photoenol反应发出的，波长在选定位置处启动，并同时或随后，C）从由photoenol反应发出的 光的照射，最好是一个激光器，第二，去激活photoenol，波长在一个所选择的位置的附近，其特征在于，一个干涉图案产生与照射的去激发光，抑制其在所选择的位置的强度最小或零个强度BES itzt，使用Photoenoien的光化学反应，例如，在涂料，用于光学光刻低于衍射极限，用于减少光刻尺度的和/或在光学光刻的光刻分辨率和使用某些技术领域中的方法，以及用于光化学反应的涂料 中，例如，光学光刻，低于衍射极限。

    一种凸面双闪耀光栅的制备方法
    4.
    发明申请
    一种凸面双闪耀光栅的制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2013120428A1

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：PCT/CN2013/071449

    申请日：2013-02-06

    Applicant: 苏州大学

    Inventor： 刘全 ,  吴建宏 ,  胡祖元

    IPC: G02B5/18 ,  G03F7/00

    CPC classification number: G02B5/1857 ,  G03F7/001 ,  G03H2260/14 ,  G03H2260/63

    Abstract: 一种凸面双闪耀光栅的制备方法，所述凸面双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，通过先在基片上制备A、B两种同质光栅，以该两种同质光栅为掩模，进行斜向离子束刻蚀得到所需的A、B闪耀光栅。由于在制备同质光栅时，可以通过控制正向离子束刻蚀的时间以及增加灰化工艺，使同质光栅的占宽比、槽深和槽型得到精确控制，另外由于同质光栅掩模和基片是同一种材质形成，两者的刻蚀速率始终保持一致，因此可以实现闪耀角的精确控制。

    PHOTOSENSITIVE SUBSTANCE HAVING THIOXANTHONES AS PHOTO-DEACTIVATABLE PHOTOINITIATORS FOR PRODUCING SMALL STRUCTURES
    5.
    发明申请
    PHOTOSENSITIVE SUBSTANCE HAVING THIOXANTHONES AS PHOTO-DEACTIVATABLE PHOTOINITIATORS FOR PRODUCING SMALL STRUCTURES 审中-公开
    与噻吨酮ALS PHOTODEAKTIVIERBAREM光引发剂的光敏物质用于生产小结构

    公开(公告)号：WO2011089157A3

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：PCT/EP2011050692

    申请日：2011-01-19

    Applicant: KARLSRUHER INST TECHNOLOGIE ,  FISCHER JOACHIM ,  VON FREYMANN GEORG ,  WEGENER MARTIN

    Inventor： FISCHER JOACHIM ,  VON FREYMANN GEORG ,  WEGENER MARTIN

    IPC: C09D4/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/031 ,  G03F7/20

    CPC classification number: C09D4/00 ,  G03F7/001 ,  G03F7/031 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2053

    Abstract: The invention relates to a method for optical lithography below the diffraction limit, wherein a) an optical molded part or a paint comprising or made of (i) at least one polymerizable monomer, (ii) at least one photo-deactivatable photoinitiator, (iii) optionally a solvent or solvent mixture, (iv) optionally further additives, are provided or applied to a substrate, b) the polymerization is initiated by irradiation with light, preferably a laser, of a first wavelength activating the photoinitiator at a selected location, and c) the polymerization is suppressed by irradiation with light, preferably a laser, of a second wavelength deactivating the photoinitiator in the immediate vicinity of the selected location, wherein an interference pattern is generated using the irradiating disexcitation light, having a minimum of intensity or zero intensity at the selected location, the use of thioxanthones, preferably isopropyl thioxanthone, and/or coumarins, preferably coumarin-30 and/or bis-(di-N-alkylized) aminobenzophenones, in particular isopropyl thioxanthones, as photo-deactivatable photoinitiators in paints for optical lithography below the diffraction limit, to a method for reducing the lithography scale and/or lithography resolution in optical lithography, and to the use for particular technical areas, and to a paint for optical lithography below the diffraction limit.

    Abstract translation: 一种用于低于衍射极限的光学光刻方法，其中a）一种光学成型制品或含有或由（i）至少一种可聚合单体的涂层，（ii）至少一个photodeaktiverbaren光引发剂，（iii）任选的溶剂或溶剂混合物，（iv）任选， 被其它助剂提供或施加到基底上，b）通过光，优选激光的照射使聚合，波长在选定位置处启动第一，光引发剂活化，和c）聚合通过光照射引发，优选 一激光，第二，去激活所述光引发剂的波长被抑制在所选择的位置的附近，其特征在于，一个干涉图案产生的与具有一个强度的最小值或零强度在选定的位置被照射去激发光，使用噻恶烷的 粘土，优选异丙基噻吨酮，和/或香豆素类，优选地，香豆素30和/或双 - （二-N-烷基化）aminobenzophenones，特别是异丙基噻吨酮类，如在用于低于衍射极限的光学光刻，用于还原的方法涂覆材料photodeaktivierbare的光引发剂 级光刻和/或在光学光刻的光刻分辨率和使用某些技术领域中，以及为低于衍射极限的光学光刻的涂层。

    PHOTOSENSITIVE SUBSTANZ MIT THIOXANTHONEN ALS PHOTODEAKTIVIERBAREM PHOTOINITIATOR ZUR HERSTELLUNG VON KLEINEN STRUKTUREN
    7.
    发明申请
    PHOTOSENSITIVE SUBSTANZ MIT THIOXANTHONEN ALS PHOTODEAKTIVIERBAREM PHOTOINITIATOR ZUR HERSTELLUNG VON KLEINEN STRUKTUREN 审中-公开
    用硫代蒽作为光活化光引发剂用于生产小型结构的光敏材料

    公开(公告)号：WO2011089157A2

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：PCT/EP2011/050692

    申请日：2011-01-19

    Applicant: KARLSRUHER INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE ,  FISCHER, Joachim ,  VON FREYMANN, Georg ,  WEGENER, Martin

    Inventor： FISCHER, Joachim ,  VON FREYMANN, Georg ,  WEGENER, Martin

    IPC: C09D4/00

    CPC classification number: C09D4/00 ,  G03F7/001 ,  G03F7/031 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2053

    Abstract: Verfahren zur optischen Lithographie unterhalb des Beugungslimits bei dem a)ein optischer Formkörper oder ein Lack enthaltend oder bestehend aus (i)mindestens einem polymerisierbaren Monomeren, (ii)mindestens einem photodeaktiverbaren Photoinitiator, (iii)gegebenenfalls ein Lösemittel oder Lösemittelgemisch, (iv)gegebenenfalls weiteren Hilfsstoffen, bereitgestellt oder auf ein Substrat aufgebracht wird, b)die Polymerisation durch Einstrahlung von Licht, bevorzugt eines Lasers, einer ersten, den Photoinitiator aktivierenden, Wellenlänge an einem ausgewählten Ort initiiert wird, und c)die Polymerisation durch Einstrahlung von Licht, bevorzugt eines Lasers, einer zweiten, den Photoinitiator deaktivierenden, Wellenlänge in der unmittelbaren Umgebung des ausgewählten Ortes unterdrückt wird, wobei mit dem eingestrahlten Abregungslicht ein Interferenz-Muster erzeugt wird, welches an dem ausgewählten Ort ein Intensitätsminimum oder null Intensität besitzt, die Verwendung von Thioxanthonen, bevorzugt Isopropyl-thioxanthone, und/oder Cumarine, bevorzugt Cumarin-30 und/oder bis-(Di-N-alkylierte) Aminobenzophenone, insbesondere Isopropylthioxanthone, als photodeaktivierbare Photoinitiatoren in Lacken zur optischen Lithographie unterhalb des Beugungslimits, ein Verfahren zur Verkleinerung des Lithographiemaßstabs und/oder der Lithographieauflösung bei der optischen Lithographie und die Verwendung für bestimmte technische Bereiche, sowie ein Lack für optischen Lithographie unterhalb des Beugungslimits.

    Abstract translation:

    一种低于衍射极限的光学光刻方法，其中a）一种光学成型＆OUML;体或含有或由（i）至少一种可聚合单体的涂层，（ii）至少一个photodeaktiverbaren光引发剂，（III） 是semittelgemisch，（iv）任选的其它赋形剂，提供或施加到基底上，b）将聚合通过光的照射，最好是一个激光器，一个第一，光引发剂活化，波长BEAR;任选的一种L＆ouml; semittel或L＆oUML长度在一个 选择＆AUML; hlten网站发起的，和c）聚合通过光，优选激光，第二照射引发，去激活在选定BEAR hlten地图抑制导航使用紧邻该光引发剂的波长BEAR长度是CKT，其中，所述照射的去激发 产生干涉图案，其在所选位置处具有最小或最大的强度 ř零强度＆AUML; T具有，使用噻吨酮，优选异丙基噻吨酮，和/或香豆素类，优选地，香豆素30和/或双 - （二-N-烷基化）aminobenzophenones，特别是异丙基噻吨酮类，如在用于光学涂层材料photodeaktivierbare的光引发剂 低于衍射极限光刻，用于减小Lithographiema ROAD的方法刺和/或Lithographieaufl＆oUML;在光学光刻和使用f导航用途液R某些技术领域，以及用于低于衍射极限导航使用R型光光刻的涂料。

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