DIREKTBELICHTUNGSEINRICHTUNG ZUR DIREKTBELICHTUNG VON LÖTSTOPPLACKEN IN 2-DIMENSIONALER, KURZZEITTEMPERIERTER UMGEBUNG
    1.
    发明申请
    DIREKTBELICHTUNGSEINRICHTUNG ZUR DIREKTBELICHTUNG VON LÖTSTOPPLACKEN IN 2-DIMENSIONALER, KURZZEITTEMPERIERTER UMGEBUNG 审中-公开
    直接暴露于二维短时环境中的焊接工具的暴露装置

    公开(公告)号:WO2017125560A1

    公开(公告)日:2017-07-27

    申请号:PCT/EP2017/051209

    申请日:2017-01-20

    Applicant: LIMATA GMBH

    Inventor: NAGEL, Matthias

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Belichtungseinrichtung, insbesondere eine Belichtungseinrichtung (20) zum Belichten und Strukturiereneines mit einem Lötstopplack beschichteten Substrats, sowie das entsprechende Verfahren zur Belichtung mit der erfindungsgemäßen Belichtungseinrichtung (20). Insbesondere betrifft die Erfindung eine Belichtungseinrichtung (20) mit mindestens einem Lichtstrahl (51), der vorzugsweise von zwei oder mehreren Laserstrahlen (51) unterschiedlicher UV-Wellenlänge gebildet wird, der durch eine veränderbare Ablenkeinrichtung (30) relativ zum Substrat (100) abgelenkt wird, um Strukturen auf dem Substrat (100) zu erzeugen. Insbesondere wird dem Lichtstrahl (51) eine räumlich begrenzte, hochenergetische vorzugsweise extern gelagerte Wärmequelle (10) räumlich in der Bildebene (40) und zeitlich in der Belichtung überlagert,wobei vorzugsweise Infrarotlaserdioden mit Zeilenformoptiken verwendet werden.

    Abstract translation:

    本发明总体上涉及一种曝光装置,特别是一种曝光装置(20)用于曝光,并用L&ouml图案之一; tstopplack涂覆的基底,以及用于与本发明曝光AUML相应的方法,及;大街; S曝光装置(20 )。 特别地,本发明涉及一种曝光装置(20)与至少一个光束(51),优选不同的UV波长的两个或更多的激光束(51)的长度是由一个版本&AUML形成BEAR; nderbare偏转器(30)(相对于基板 100)偏转以在衬底(100)上形成结构。 特别地,该光束(51)是一个RÄ在空间上的限制,高能量优选外部安装WÄ辐射热源(10)R AUML;在空间上在图像平面(40)和在时间上的曝光导航用途叠加,优选红外激光二极管与线状光学用的“。 / p>

    マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
    3.
    发明申请
    マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 审中-公开
    掩模空白,相位移屏蔽和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:WO2015141078A1

    公开(公告)日:2015-09-24

    申请号:PCT/JP2014/082500

    申请日:2014-12-09

    CPC classification number: G03F1/32 G03F1/58 G03F7/2053

    Abstract:  遮光膜に遷移金属シリサイド系材料を用いる場合において、遮光膜の薄膜化が図られ、且つ、ArF耐光性の問題もクリアすることが可能な位相シフトマスク及びこれを作製するためのマスクブランクの提供。 透光性基板1上に、位相シフト膜2、遮光膜4を有するマスクブランク10であって、位相シフト膜2をArF耐光性を有する材料で形成し、遮光膜4の少なくとも1つの層を、遷移金属、ケイ素および窒素を含有し、かつ以下の式(1)の条件を満たす材料によって形成する。 C N ≦9.0×10 -6 ×R M 4 -1.65×10 -4 ×R M 3 -7.718×10 -2 ×R M 2 +3.611×R M -21.084・・・式(1) ただし、R M は、前記1つの層における遷移金属およびケイ素の合計含有量に対する遷移金属の含有量の比率であり、C N は、前記1つの層における窒素の含有量。

    Abstract translation: 提供:在将过渡金属硅化物材料用于遮光膜的情况下,具有较薄的遮光膜的相移掩模,同时解决了ArF耐光性的问题; 以及用于制造该相移掩模的掩模坯料。 一种在透光基板(1)上具有相移膜(2)和遮光膜(4)的掩模板(10),其中所述相移膜(2)由具有ArF耐光性的材料形成 并且至少一层遮光膜(4)由含有过渡金属,硅和氮的材料形成,并满足下面的式(1)的条件。 CN≤9.0×10-6×RM 4 - 1.65×10-4×RM 3 - 7.718×10-2×RM 2 + 3.611×RM - 21.084式(1)在这一点上,RM表示过渡金属 含量相对于上述一层中的过渡金属含量和硅含量的总和,CN表示上述一层中的氮含量。

    レジスト下層膜形成組成物用添加剤及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物
    5.
    发明申请
    レジスト下層膜形成組成物用添加剤及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物 审中-公开
    用于耐下层膜成膜组合物的添加剂,以及含有相同成膜组合物的粘合剂

    公开(公告)号:WO2015012172A1

    公开(公告)日:2015-01-29

    申请号:PCT/JP2014/068933

    申请日:2014-07-16

    Abstract: 【課題】 レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの当該レジスト下層膜との密着性を増大させるために、レジスト下層膜の表面状態を疎水性状態に改質させるレジスト下層膜形成組成物用添加剤、及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1)で表される構造単位を有する重合体を含むレジスト下層膜形成組成物用添加剤、並びに樹脂バインダー、有機溶剤及び前記添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物。(式中、R 1 は水素原子又はメチル基を表し、Lは単結合又は二価の連結基を表し、Xはヒドロキシ基を有しない、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又はヘテロ原子が酸素原子である複素環基を表す。)

    Abstract translation: [问题]提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物的添加剂,其将抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水状态,以增加抗蚀剂下层膜与形成在抗蚀剂下层膜上的抗蚀图案之间的粘合性 ; 和含有添加剂的抗蚀剂下层膜形成组合物。 [溶液]含有具有由式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成组合物的添加剂和含有树脂粘合剂,有机溶剂和上述添加剂的抗蚀剂下层膜形成组合物。 (式中,R1表示氢原子或甲基,L表示单键或二价连接基,X表示脂肪族烃基,脂环式烃基或不具有羟基的脂肪族烃基, 杂环基,其中杂原子是氧原子。)

    DIRECT IMAGING OF A SEALED WET PHOTOPOLYMER POUCH
    6.
    发明申请
    DIRECT IMAGING OF A SEALED WET PHOTOPOLYMER POUCH 审中-公开
    直接成像一个密封的湿光电极

    公开(公告)号:WO2015004433A1

    公开(公告)日:2015-01-15

    申请号:PCT/GB2014/052057

    申请日:2014-07-07

    Abstract: There is herein described a method and apparatus for creating discrete pouches of wet liquid photopolymer within a cured frame suitable photoimaging. More particularly, there is described a method and apparatus for directly photoimaging a substrate covered with a wet curable photopolymer, wherein the photoimaged substrate is used to form images such as electrical circuitsor components required within the Photo Chemical Machining Industry (PCMI). The present invention relates to a method and apparatus for imaging a substrate. More particularly, the present invention relates to a method and apparatus for directly imaging a substrate covered with a wet curable photopolymer, wherein a wet photopolymer pouch is subjected directly to UV radiation such as laser or LED to directly form images without the use of a photomask suitable for forming electrical circuits such as for printed circuit boards (PCBs), flat panel displays and flexible circuits or the manufacture of components for use within the PCMI.

    Abstract translation: 这里描述了一种用于在固化框架中制备适合光成像的湿液光聚合物的分立袋的方法和装置。 更具体地,描述了一种用于直接对被湿式可固化光聚合物覆盖的基材进行光学成像的方法和装置,其中光致成像基底用于形成诸如Photo Chemical Machining Industry(PCMI)中所需的电路元件的图像。 本发明涉及一种用于对基底进行成像的方法和装置。 更具体地说,本发明涉及一种直接成像覆盖有湿固化光聚合物的基材的方法和装置,其中湿式光聚合物袋直接经受UV辐射如激光或LED直接形成图像而不使用光掩模 适用于形成诸如印刷电路板(PCB),平板显示器和柔性电路之类的电路或用于PCMI内部使用的组件的制造。

    ナノ構造体及びその作製方法
    7.
    发明申请
    ナノ構造体及びその作製方法 审中-公开
    纳米结构及其生产方法

    公开(公告)号:WO2014103868A1

    公开(公告)日:2014-07-03

    申请号:PCT/JP2013/084060

    申请日:2013-12-19

    Inventor: 遠藤 惣銘

    Abstract:  微細凹凸構造がより規則的に均一に形成されることによりシームレス状態に視認され、可視光波長域の光に対して優れた反射防止効果を発揮するナノ構造体を提供する。このナノ構造体1は、基体2の表面の凸部又は凹部により形成された構造体3が微細な所定ピッチP1で配列したトラックT1、T2、T3、T4が多数列配置されたものである。ナノ構造体1は、所定ピッチに構造体3が存在しない部分がトラックの配列方向に連続的に形成された帯状部分(シーム)が視認されないように、シームにおける、隣り合う構造体3の中心間距離が調整されている。

    Abstract translation: 本发明提供一种纳米结构,通过精细粗糙化的结构被视觉识别为无缝状态,并且在可见光波长范围内对光进行优异的抗反射效果。 该纳米结构(1)通过在由突出部分形成的每个结构(3)中排列多行轨道(T1,T2,T3,T4)来构成,并且在基板(2)的表面上的凹部布置有 预定的细间距(P1)。 在纳米结构(1)中,其中结构(3)不以预定间距存在的部分的带状部分(接缝)中的相邻结构(3)之间的中心到中心距离为 调整轨道排列方向上连续形成的接缝不被视觉识别。

    LASERVORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG EINER LINIENFÖRMIGEN INTENSITÄTSVERTEILUNG IN EINER ARBEITSEBENE
    10.
    发明申请
    LASERVORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG EINER LINIENFÖRMIGEN INTENSITÄTSVERTEILUNG IN EINER ARBEITSEBENE 审中-公开
    激光器件用于产生象​​强度分布的LINE IN工作平面

    公开(公告)号:WO2012032116A1

    公开(公告)日:2012-03-15

    申请号:PCT/EP2011/065553

    申请日:2011-09-08

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf eine Beleuchtungsvorrichtung (1) zur Erzeugung einer linienförmigen Intensitätsverteilung in einer Arbeitsebene, umfassend - zumindest eine Gruppe von Laserlichtquellen (2, 2a - 2j), die in einer Anzahl N von Reihen (R1-R6) mit jeweils einer Anzahl M nebeneinander angeordneter Laserlichtquellen (2, 2a - 2j) derart übereinander angeordnet sind, dass sie Laserlicht in einer ersten Ausbreitungsrichtung abstrahlen können, - eine Anzahl von Strahlablenkmitteln (4), die in der ersten Ausbreitungsrichtung hinter den Laserlichtquellen (2, 2a - 2j) so angeordnet und dazu eingerichtet sind, dass sie das von den Laserlichtquellen (2, 2a - 2j) emittierte Laserlicht in eine zweite Ausbreitungsrichtung zur Arbeitsebene ablenken können, - Strahlzusammenführungsmittel, die in der zweiten Ausbreitungsrichtung so hinter den Strahlablenkmitteln (4) angeordnet sind, dass sie die einzelnen Laserstrahlbündel der Laserlichtquellen (2, 2a - 2j) zu der linienförmigen Intensitätsverteilung zusammenführen können, wobei benachbarte Reihen (R1-R6) in einer ersten Richtung (x- Richtung) senkrecht zur ersten und zweiten Abstrahlrichtung einerseits sowie in der ersten Ausbreitungsrichtung (z-Richtung) andererseits derart versetzt zueinander angeordnet sind, dass die Laserstrahlbündel (A-L) der Laserlichtquellen (2, 2a - 2j) überlappungsfrei in das Strahlzusammenführungsmittel eintreten können.

    Abstract translation: 本发明涉及一种照明设备(1),用于在工作平面产生线状的强度分布,其包括: - 至少一组的激光光源(2,2a中 - 2J)排列成行的N个(R1-R6)每一个都具有数 中号相邻布置的激光源(2,2a中 - 2J)被布置成一个在另一个的上面,它们能够发射激光在第一传播方向, - 在后面的激光源的第一传播方向的数量Strahlablenkmitteln(4)(2,2a中 - 2J) 被布置为和适合于激光光源(2,2a中 - 2J)可以偏转到在第二传播方向发射的激光的工作平面, - 束组合装置,其被布置在传播的第二方向,从而后面的Strahlablenkmitteln(4),该 的激光光源的个体的激光束(2,2a中 - 2J)到线状INTE 可以合并nsitätsverteilung,被布置成在第一方向上在所述第一传播方向垂直的,一方面,第一和第二发射以及在另一以这样的方式彼此偏移的相邻行(R1-R6)(x方向)(z方向),使激光束(AL )的激光光源(2,2a中 - 不能重叠进入光束组合装置2J)。

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