고순도 알루미나 제조방법
    95.
    发明申请
    고순도 알루미나 제조방법 审中-公开
    制备高纯度氧化铝的方法

    公开(公告)号:WO2011129658A2

    公开(公告)日:2011-10-20

    申请号:PCT/KR2011/002717

    申请日:2011-04-15

    发明人: 허재훈

    IPC分类号: C01F7/46 B01D15/08 B01D9/02

    摘要: 본 발명은 고순도 알루미나 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 일반수산화알루미늄을 용해한 후 숙성시키는 모액 준비단계와, 상기 모액 준비단계 후, 펄프를 첨가하여 준비된 모액으로부터 불순물을 흡착시키는 정제단계와, 상기 정제단계 후, 모액에 종자를 투입하여 석출시킨 후, 석출된 물질을 여과, 세척 및 재결정하여 소성시키는 고순도 알루미나를 취득하는 취득단계를 포함함으로써, 친환경적이면서도 저비용으로 순도가 높은 알루미나를 제조할 수 있는 이점을 제공한다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种制备高纯度氧化铝的方法,该方法包括:将普通氢氧化铝溶解和老化的母液制备步骤; 精制步骤,用于在母液制备步骤之后添加纸浆以从制备的母液中吸收杂质; 以及通过向母液中添加种子并沉淀并过滤,洗涤和重结晶并煅烧沉淀物来获得高纯度氧化铝的获得步骤。 因此,本发明能够实现高纯度氧化铝的环保且低成本的制备。

    リチウム二次電池用活物質およびこれを用いたリチウム二次電池
    99.
    发明申请
    リチウム二次電池用活物質およびこれを用いたリチウム二次電池 审中-公开
    用于锂二次电池的活性材料和使用其的锂二次电池

    公开(公告)号:WO2011065401A1

    公开(公告)日:2011-06-03

    申请号:PCT/JP2010/070987

    申请日:2010-11-25

    IPC分类号: H01M4/485 C01G23/00

    摘要: 特にリチウム二次電池の負極活物質として使用した場合、リチウム二次電池に優れた急速充放電特性を付与することができるチタン酸リチウムを用いたリチウム二次電池用活物質、および、これを用いてなり、特に急速充放電特性に優れたリチウム二次電池を提供する。本発明のリチウム二次電池用活物質は、スピネル構造を有し、硫酸根の含有量が硫黄原子として100ppm以上、2500ppm以下、塩素の含有量が1500ppm以下であり、一般式;Li x Ti y O 12 (但し、式中、Li/Tiの原子比が0.70~0.90、xは3.0≦x≦5.0、yは4.0≦y≦6.0を示す。)で表されるチタン酸リチウムからなることを特徴とする。

    摘要翻译: 公开了一种锂二次电池的活性物质,其使用钛酸锂并且能够提供具有优异的高速充电/放电特性的锂二次电池,特别是当活性材料用作锂的负极活性物质时 二次电池 还公开了一种锂二次电池,其使用该活性材料作为锂二次电池,并且具有特别优异的高速充电/放电特性。 锂二次电池用活性物质的特征在于由以下通式表示的钛酸锂:Li x Ti yO 12(Li / Ti原子比为0.70-0.90,x满足3.0 = x = 5.0,y满足 4.0 = y = 6.0),并且具有尖晶石结构,同时含有硫原子为100-2,500ppm(含)的硫酸根,而不大于1500ppm的氯。

    METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY SILICON
    100.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY SILICON 审中-公开
    生产高纯度硅的方法

    公开(公告)号:WO2011037473A1

    公开(公告)日:2011-03-31

    申请号:PCT/NO2010/000332

    申请日:2010-09-09

    发明人: ZEAITER, Khalil

    摘要: The present invention relates to a method for producing high purity silicon comprising providing molten silicon containing 1-10% by weight of calcium, casting the molten silicon, crushing the silicon and subjecting the crushed silicon to a first leaching step in an aqueous solution of HCI and/or HCI + FeCI3 and to a second leaching step in an aqueous solution of HF and HNO3. The leached silicon particles is thereafter subjected to heat treatment at a temperature of between 1250°C and 14200C for a period of at least 20 minutes and the heat treated silicon is subjected to a third leaching step in an aqueous solution of HF and HNO3.

    摘要翻译: 本发明涉及一种生产高纯度硅的方法,其包括提供含有1-10重量%的钙的熔融硅,浇铸熔融硅,粉碎硅并使经破碎的硅在HCl的水溶液中进行第一浸出步骤 和/或HCl + FeCl 3和在HF和HNO 3的水溶液中的第二浸出步骤。 然后将浸出的硅颗粒在1250℃至14200℃的温度下进行至少20分钟的时间的热处理,并将热处理的硅在HF和HNO 3的水溶液中进行第三浸出步骤。