公开(公告)号：WO1994007269A1

公开(公告)日：1994-03-31

申请号：PCT/DE1993000814

申请日：1993-09-07

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  KARG, Franz ,  PROBST, Volker

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/971

Abstract: In order to produce a polycrystalline, single-phase linking semiconductor layer made of chalkopyrite type ABC2, a laminated structure comprising several layers is precipitated onto a substrate. The sandwich structure contains components in elemental form, as interelemental compound or as alloy, with a stoichiometric excess of component C. In a rapid annealing process at a heating rate of at least 10 C per second up to a process temperature of at least 350 C, the laminated structure is converted already after a few seconds into the linking semiconductor ABC2. By encapsulating the laminated structure, gas exchange is limited, preventing the most volatile components from evaporating. High-efficiency solar cells can be produced with this semiconductor.

公开(公告)号：WO2010060646A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/EP2009/008514

申请日：2009-11-30

Applicant: PROBST, Volker

Inventor： PROBST, Volker

IPC: F27B7/00 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/16 ,  F27D7/04 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C16/0209 ,  C23C14/5866

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschichten bzw. von mit elementarem Selen und/oder Schwefel behandelten beschichteten Substraten, insbesondere flächigen Substraten, enthaltend mindestens eine leitende, halbleitende und/oder isolierende Schicht, bei dem wenigstens ein mit mindestens einer Metallschicht und/oder mit mindestens einer metallhaltigen Schicht versehenes Substrat, insbesondere ein Stapel von jeweils mit mindestens einer Metallschicht und/oder mit mindestens einer metallhaltigen Schicht versehenen Substraten, in eine Prozesskammer eingebracht und auf eine vorbestimmte Substrattemperatur erwärmt wird; elementarer Selen- und/oder Schwefeldampf von einer innerhalb und/oder außerhalb der Prozesskammer gelegenen Quelle, insbesondere mittels eines, insbesondere inerten, Trägergases, unter Grobvakuumbedingungen oder Umgebungsdruckbedingungen oder Überdruckbedingungen an der bzw. jeder Metallschicht und/oder metallhaltigen Schicht vorbeigeleitet wird, um diese mit Selen bzw. Schwefel gezielt chemisch zu reagieren; das Substrat mittels erzwungener Konvektion durch mindestens eine Gasfördereinrichtung erwärmt wird und/oder der elementare Selen-/oder Schwefeldampf mittels erzwungener Konvektion durch mindestens eine Gasfördereinrichtung im Prozessraum, insbesondere homogen, vermischt und an dem Substrat vorbeigeleitet wird. Die Erfindung betrifft ferner eine Prozessvorrichtung zur Durchfuhrung eines derartigen Verfahrens.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体的层或与元素硒和/或硫涂覆的基材进行处理，特别是平面基底包括至少一个导电的，半导电和/或绝缘层，其中至少一个与至少一个金属层和/或 与至少一种含有金属的层提供基底，尤其是每个具有至少一个金属层的叠层和/或设置有至少一个含金属层的衬底，被引入到处理室中，并加热到预定的衬底温度; 元素硒和/或硫蒸气从一点到另一点内和/或处理室源之外，特别是通过的手段，特别是惰性载气中，被粗真空条件或大气压力条件下或在高于大气压的压力条件或各金属层和/或含有金属的层，以这些下引导经过 与硒或硫选择性化学反应; 所述衬底通过所述至少一个气体输送装置加热通过强制对流和/或质硒和/或硫蒸气的装置通过强制对流的方式，通过至少一个气体输送装置在处理室中混合，特别是均匀的，并且引导通过基板。 本发明还涉及一种方法，设备，用于执行这样的方法。

公开(公告)号：WO2009050146A3

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：PCT/EP2008063746

申请日：2008-10-13

Applicant: AVANCIS GMBH & CO KG ,  PROBST VOLKER ,  KUSTER HANS-WERNER ,  MAURER MARC ,  CALWER HERMANN

Inventor： PROBST VOLKER ,  KUSTER HANS-WERNER ,  MAURER MARC ,  CALWER HERMANN

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention relates to a method for sealing a light-capturing element, said element comprising a first pane-type substrate (1) and a second substrate (1'), said substrates enclosing, by means of a lamination spacer (8), an active stack of layers comprising conductive layers forming electrodes, and at least one functional layer based on an absorbent material enabling an energetic conversion of the light into electrical energy, the stack being placed on at least one portion of the surface of at least one of the substrates (1, 1') in such a way as to delimit, around the periphery and following lamination, a groove (9) suitable for receiving at least one means (10, 11) for sealing the module. The invention is characterised in that the sealing means (10, 11) is deposited before the autoclave phase.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于密封光捕获元件的方法，所述元件包括第一玻璃板式基板（1）和第二基板（1'），所述基板通过层压间隔件（8）封闭， 包括形成电极的导电层的有源堆叠层，以及至少一个基于吸收材料的功能层，使得能够将能量能量转换成电能，所述堆叠被放置在至少一个所述表面的表面的至少一个部分上 衬底（1,1'）以限定周边和后续层压的方式限定适于接收用于密封模块的至少一个装置（10,11）的凹槽（9）。 本发明的特征在于在高压釜相之前沉积密封装置（10,11）。

公开(公告)号：WO2007071663A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：PCT/EP2006/069879

申请日：2006-12-19

Applicant: SHELL ERNEUERBARE ENERGIEN GMBH ,  NIESEN, Thomas ,  PROBST, Volker

Inventor： NIESEN, Thomas ,  PROBST, Volker

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/541

Abstract: A thin-film photovoltaic device and a process of making such a device, the device comprising a first layer of a chalkopyrite semiconductor of a first doping type; a second layer of intrinsic zinc oxide deposited by chemical vapour deposition; a third layer of zinc oxide semiconductor of a second doping type opposite to the first doping type and deposited by a method other than chemical vapour deposition; and wherein the second layer is arranged between the first and third layers.

Abstract translation: 一种薄膜光伏器件和制造这种器件的工艺，该器件包括第一掺杂型的白垩晶半导体的第一层; 通过化学气相沉积沉积的第二层本征氧化锌; 与第一掺杂类型相反并通过除化学气相沉积之外的方法沉积的第二掺杂类型的第三层氧化锌半导体; 并且其中所述第二层布置在所述第一层和所述第三层之间。

公开(公告)号：WO0129901A3

公开(公告)日：2002-11-07

申请号：PCT/DE0003719

申请日：2000-10-20

Applicant: SIEMENS AG ,  PROBST VOLKER

Inventor： PROBST VOLKER

IPC: F27B17/00 ,  F27D7/06 ,  H01L21/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C21D9/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: The invention relates to a device and a method for tempering at least one process good (3) under a certain process gas atmosphere (111) of at least one process gas (4) by means of a tempering unit (6) which is provided with at least one energy source (5) for receiving an amount of energy by means of the process good (3), a tempering container (11) comprising a tempering room (16) for storing the process good (3) under the process gas atmosphere (111) during tempering and a tempering chamber (13). The tempering container (11) is arranged at a distance (18) to the tempering chamber (13) and in the tempering chamber (13) in such a way that there is a gap (14) between the tempering container (11) and the tempering chamber (13). The tempering unit is also provided with a means (19) for producing an additional gas atmosphere (141) of an additional gas in the gap (14), whereby said additional gas atmosphere is different from the process gas atmosphere (111). The additional gas atmosphere is provided with a pressure gradient (2). According to the inventive device and method, a toxic and/or corrosive process gas can be used for processing the process good. It is especially possible to produce a photovoltaic thin-film chalcopyrite absorber of a solar cell and/or of a solar module using the inventive device and method.

Abstract translation: 本发明涉及的装置和用于通过一个温度控制单元（6）的装置中的至少一种工艺气体（4）的具体处理气体气氛（111）根据控制至少一个Prozessierguts（3）的温度的方法。 所述温度控制单元包括˚F至少一个能量源（5），用于由所述Prozessiergut（3），回火箱（11）具有用于存储（3）的处理气体气氛（111）的过程中Prozessiergutes回火，回火空间（16）接收的能量的量AU 在其中在用于回火箱的温度控制腔室（13）的距离（18）（11）被布置成使得回火箱（11）和温度控制腔室（13）之间的中间空间（14）是当前温度室（13），以及装置（ 19），用于在所述中间空间（14）产生不同的（从一个进一步的气体的处理气体气氛111）还气气氛中（141）。 进一步气体气氛具有压力梯度（2）。 与该装置的帮助下，并且该方法也可以采用这样的毒性和/或腐蚀性处理气体用于处理Prozessierguts。 特别是，由此光伏薄膜Chalkopyritabsorber的太阳能电池和/或太阳能模块可被制造。

公开(公告)号：WO2011036209A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/EP2010/064052

申请日：2010-09-23

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  HERGERT, Frank ,  THYEN, Jan Rudolf ,  PROBST, Volker

Inventor： HERGERT, Frank ,  THYEN, Jan Rudolf ,  PROBST, Volker

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/048 ,  C23C14/086 ,  H01L31/02 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, enthaltend polykristallines Metalloxid oder polykristalline Metalloxide, durch, insbesondere physikalische oder chemische, Gasphasenabscheidung mit einer Beschichtungsanlage, insbesondere mit Hilfe eines Sputtergases, bei dem man aus der Gasphase mindestens zwei, insbesondere mindestens sechs, Beschichtungslagen jeweils aufeinander unter Ausbildung von polykristallinen Metalloxiden abscheidet mit einer durchschnittlichen Dicke der jeweiligen Beschichtungslagen im Bereich von etwa 50 nm bis 350 nm, insbesondere im Bereich von etwa 90 nm bis 210 nm, wobei die gemittelten prozentualen atomaren Anteile mindestens eines, insbesondere jedes einzelnen, der in jeweils mindestens zwei, insbesondere sämtlichen, Beschichtungslagen, enthaltenen Metalle um nicht mehr als +/-20 Atom-%, vorzugsweise um nicht mehr als +/-10 Atom-% und besonders bevorzugt um nicht mehr als +/-5 Atom-%, von der gemittelten prozentualen Zusammensetzung der jeweiligen Metalle in der Interferenzfilterschicht abweichen, wobei 100 Atom-% die Summe aller in der Schicht enthaltenen Metalle bezeichnet. Des weiteren betrifft die Erfindung ein nach diesem Verfahren erhältliches farbiges Substrat sowie ein Array, enthaltend eine Vielzahl an solchen Substraten.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与有色干涉滤光层包含多晶金属氧化物或多晶金属氧化物制备的基板，通过在与涂覆设备特别地，物理或化学气相沉积，特别是通过溅射气体的装置，其中从气相中，至少两个，特别 至少六个，被覆层各自相继与地层沉积与相应的涂层在约50nm至350nm的范围内的平均厚度的多晶金属氧化物的，特别是在范围为约90纳米至210纳米，其中至少一个的平均百分比的原子比，特别是 其中的每一个在每种情况下在至少两个，特别是所有的涂层包含金属由不超过+/- 20原子％，优选地不超过+/- 10原子％，并且更优选不超过+/- 五 原子％，从干涉滤光层的各金属的平均百分比组成偏离，所述100原子％是指包含在该层中的所有金属的总和。 此外，本发明通过该方法着色的基底和包括多个这样的衬底的阵列涉及一种获得。