公开(公告)号：WO00070638A1

公开(公告)日：2000-11-23

申请号：PCT/FR2000/001297

申请日：2000-05-12

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/308

Abstract: The inventive method for extracting electrons in a vacuum consists in the following: creation of a cathode which comprises at least one junction (9) between a metal (7) which is used as an electron reservoir and an n-type semiconductor (8), possessing a surface potential barrier which has a height which is measured in tenths of electron volts and having a thickness ranging from 1-20 nm; the electrons are injected via the metal-semiconductor junction (9) in order to create a charge which has enough space to reduce the semiconductor surface potential barrier to a value which is lower than or equal to 1 eV in relation to the Fermi level of the metal (7); the height of the n-type semiconductor surface potential barrier (Vp) is controlled with the aid of the polarization source creating an electric field in a vacuum in order to regulate emission of the electron flow to the anode.

Abstract translation: 用于在真空中提取电子的本发明的方法包括：产生阴极，其包括用作电子储存器的金属（7）和n型半导体（8）之间的至少一个结（9） 具有表面势垒，其具有以十分之一电子伏特测量的厚度范围为1-20nm的高度; 电子通过金属 - 半导体结（9）被注入，以产生具有足够的空间以将半导体表面电势势垒减小到相对于电子束的费米能级低于或等于1eV的值的电荷 金属（7）; 借助于偏振源来控制n型半导体表面势垒（Vp）的高度，从而在真空中产生电场，以调节向阳极的电子流的发射。

公开(公告)号：WO98048437A1

公开(公告)日：1998-10-29

申请号：PCT/IB1998/000325

申请日：1998-03-12

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/308

Abstract: Semiconductor device with a semiconductor cathode having an emissive part (pn junction) separated from a contact part which has locations at which a controlled breakdown occurs on a contact metallization at too high voltages, so that, during manufacture and operation, the emissive part in an electron tube is protected from damage.

Abstract translation: 具有半导体阴极的半导体器件具有与接触部分分离的发射部分（pn结）的半导体器件，该接触部分具有在过高的电压下在接触金属化处发生受控击穿的位置，使得在制造和操作期间，发射部分在 电子管保护免受损坏。

公开(公告)号：WO1992003851A1

公开(公告)日：1992-03-05

申请号：PCT/US1991005774

申请日：1991-08-14

Applicant: NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY

Inventor： NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY ,  MISHRA, Umesh, K.

IPC: H01L29/90

CPC classification number: B82Y15/00 ,  H01J1/308

Abstract: A planar doped barrier region of semiconductor material is coupled to a vacuum or gaseous region to provide electron emission from the planar doped barrier region into the vacuum or gaseous region. When a voltage is applied across the planar doped barrier region electrons flow from one end of the region to another. This flow results in the emission of electrons if the work function of the emission surface is less than the handgap of the semiconductor material. The device of the present invention can be used as a vacuum microelectronic emitter, a vacuum microelectronic transistor, light source, klystron, or travelling wave tube.

公开(公告)号：WO2013067731A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/CN2011/083967

申请日：2011-12-14

Applicant: 福州大学 ,  郭太良 ,  叶芸 ,  胡利勤 ,  张永爱 ,  郭凡 ,  洪春燕

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  胡利勤 ,  张永爱 ,  郭凡 ,  洪春燕

IPC: H01J1/308

CPC classification number: H01J1/308

Abstract: 一种柔性可控有机pn结场发射电子源，由基板（001）、下电极层（002）、n型有机材料层（003）、p型有机材料层（004）、上电极层（005）依次层叠而成。基板（001）采用柔性材料基板，上、下电极层（002，005）采用有机或无机的导电材料，n型、P型有机材料层（003，004）采用有机材料，p型有机材料层（004）是超薄材料层，具有场发射电子源低压调控、功耗小、制备工艺简单的优点，同时可制备成超晶格有机材料层，有效降低电子束色散，且柔性便于携带，适用于可控阴极的场致发射平板显示领域。

公开(公告)号：WO2009008399A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：PCT/JP2008/062264

申请日：2008-07-07

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  竹内 大輔 ,  牧野 俊晴 ,  山崎 聡

Inventor： 竹内 大輔 ,  牧野 俊晴 ,  山崎 聡

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J2201/308

Abstract: 　励起子を応用しながら室温動作する、高電圧不要かつ低真空動作可能な、高効率・連続高出力の電子源を提供する。 電子源は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層（５）を形成し、活性層（５）に電流注入する電極（８）を有し、自由励起子生成効率が１０％以上であり、その活性層（５）あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面（７）で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させる。

Abstract translation: 提供了高效率和连续高输出的电子源，其在施加激励器的同时在室温下操作，并且可以在低真空中操作，而不需要任何高电压。 电子源是间接跃迁型半导体，其由具有高结合能的半导体材料制成作为激励器。 电子源包括由间接跃迁型半导体构成的有源层（5）和用于向有源层（5）注入电流的电极（8）。 自由激振器的生产效率为10％以上。 自由激发器在形成在有源层（5）或有源区上的负电子亲和表面（7）上变成自由电子，并且自由电子被连续发射。

公开(公告)号：WO2003090243A1

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：PCT/US2003/012234

申请日：2003-04-17

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： NOVET, Thomas ,  SCHUT, David M.

IPC: H01J1/312

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  Y10S977/939

Abstract: An emitter (10) includes an electron supply layer (16), an oxide layer (15) on the electron supply layer defining an emission area and a quantum dot zeolite emission layer (14) in the emission area and in contact with the electron supply layer. The quantum dot zeolite emission layer includes a plurality of cages and holds semiconductor materials within the cages.

Abstract translation: 发射极（10）包括电子供给层（16），电子供给层上的限定发光区域的氧化物层（15）和发光区域中的量子点沸石发射层（14），并与电子源 层。 量子点沸石发射层包括多个保持架并保持在笼中的半导体材料。

公开(公告)号：WO99000816A1

公开(公告)日：1999-01-07

申请号：PCT/IB1998/000980

申请日：1998-06-25

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/308

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J2201/30457

Abstract: In an electron-emitting component with a cold cathode comprising a substrate and a cover layer with a diamond-containing material consisting of nano-crystalline diamond having a Raman spectrum with three lines, i.e. at K = 1334 +/- 4 cm with a half-width value of 12 +/- 6 cm , at K = 1140 +/- 20 cm and at K = 1470 +/- 20 cm , the cold cathode exhibits a low extraction field strength, a stable emission at pressures below 10 mbar, a steep current-voltage characteristic and stable emission currents in excess of 1 microampere/mm . The electron emission of the component demonstrates a long-time stability, and a constant intensity of the electron beam across its cross section.

Abstract translation: 在具有冷阴极的电子发射部件中，包括基底和具有含金刚石的材料的覆盖层，所述金刚石材料由纳米晶体金刚石构成，所述纳米晶体金刚石具有三条拉曼光谱，即K = 1334 +/- 4cm -1 >，半径宽度为12 +/- 6cm -1，K = 1140 +/- 20cm -1，K = 1470 +/- 20cm -1，冷阴极 表现出低提取场强，在低于10 -4 mbar的压力下的稳定发射，陡峭的电流 - 电压特性和超过1微安/ mm 2的稳定的发射电流。 元件的电子发射表现出长时间的稳定性，电子束横截面的恒定强度。

公开(公告)号：WO98037567A1

公开(公告)日：1998-08-27

申请号：PCT/IB1998/000136

申请日：1998-02-02

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J29/16

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J29/16

Abstract: A semiconductor cathode (11) in a semiconductor structure, in which the sturdiness of the cathode is increased by covering the emitting surface (4) with a layer of a semiconductor material (7) having a larger bandgap than the semiconductor material of the semiconductor cathode. Various measures for increasing the electron-emission efficiency are indicated.

Abstract translation: 一种半导体结构中的半导体阴极（11），其中通过用具有比半导体阴极的半导体材料更大的带隙的半导体材料（7）覆盖发光表面（4）来增加阴极的坚固性 。 指出了提高电子发射效率的各种措施。

公开(公告)号：WO9806135A2

公开(公告)日：1998-02-12

申请号：PCT/IB9700938

申请日：1997-07-28

Applicant: PHILIPS ELECTRONICS NV ,  PHILIPS NORDEN AB

Inventor： SHANNON JOHN MARTIN ,  SILVA SEMBUKUTTIARACHILAGE RAV

IPC: H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/72

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J2329/00

Abstract: In a flat panel display or other type of electron device, a thin-film electron emitter (51) and/or emitter array (50) is formed in a semiconductor film (10) of, for example, hydrogenated amorphous and/or microcrystalline Si, SiCx, SiNy, SiOxNy or the like. An injector electrode (14) forms a potential barrier ( PHI B) with the semiconductor film (10) at a back major surface (12) of the film (10). A front electrode (15) serves for biasing an emission area (11a) of the front major surface (11) at a sufficiently positive potential (V15) with respect to the injector electrode (14) as to inject electrons (e) over the barrier ( PHI B) in the operation of the emitter (51) while controlling the magnitude of an electron accumulation layer (Ne) in the semiconductor film (10) at the emission area (11a). Under this bias condition the semiconductor film (10) supports a depletion layer from the injector electrode (14) to the electron accumulation layer (Ne), so establishing a field in which the electrons are heated and directed towards the emission area (11a). The electron emission area is a plane surface area (11a) free of the front electrode (15), to which it may be connected directly or by a gateable connection (G, 29). Some of the electrons from the injector electrode (14) are emitted at the emission area (11a), while others heat electrons in the accumulation layer (Ne) to stimulate their emission. The front electrode (15) extracts excess electrons not emitted from the emission area (11a). The emitter (51) is well suited for fabrication with thin-film silicon-based technology.

Abstract translation: 在平板显示器或其他类型的电子器件中，在例如氢化非晶和/或微晶硅的半导体膜（10）中形成薄膜电子发射体（51）和/或发射极阵列（50） ，SiC x，SiN y，SiO x N y等。 喷射器电极（14）在膜（10）的后表面（12）处形成具有半导体膜（10）的势垒（PHI B）。 前电极（15）用于将前主表面（11）的发射区域（11a）相对于注射器电极（14）以足够的正电位（V15）偏置，以将电子（e）注入屏障 （51）的操作，同时控制在发射区域（11a）处的半导体膜（10）中的电子累积层（Ne）的大小。 在该偏压条件下，半导体膜（10）支撑从喷射器电极（14）到电子蓄积层（Ne）的耗尽层，从而建立电子被加热并被引向发射区域（11a）的场。 电子发射区域是没有前电极（15）的平面表面区域（11a），它可以直接连接到该平面表面区域（G，29）。 来自喷射器电极（14）的一些电子在发射区域（11a）处发射，而另一些电子在蓄积层（Ne）中加热，以刺激它们的发射。 前电极（15）提取不从发射区域（11a）发射的多余电子。 发射极（51）非常适合用薄膜硅基技术制造。

公开(公告)号：WO1992020087A1

公开(公告)日：1992-11-12

申请号：PCT/US1992003526

申请日：1992-04-30

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY

Inventor： EASTMAN KODAK COMPANY ,  EDWARDS, Jon, K. ,  ANAGNOSTOPOULOS, Constantine, N.

IPC: H01J01/30

CPC classification number: H01J31/12 ,  G06K15/1238 ,  G09G3/20 ,  G09G3/22 ,  H01J1/308

Abstract: Image source, for converting image data in the form of serial charges into a high-resolution imagewise light pattern, combines semiconductor charge-coupled devices for receiving the charges, associated small-scale field emission arrays for converting the charges to imagewise pattern of electron emissions, an electron multiplier for intensifying the electron emissions, and a luminescent phosphor layer susceptible to light output according to the impact of the intensified electron emission. The light output may be directed onto a photosensitive image recording medium to provide means for image recording. Second and third embodiments of the contemplated image source provide light output that forms an image to be viewed directly.

Abstract translation: 用于将以串行电荷形式的图像数据转换为高分辨率成像光图案的图像源组合用于接收电荷的半导体电荷耦合器件，用于将电荷转换成电子发射的成像模式的相关联的小尺度场发射阵列 ，用于增强电子发射的电子倍增器，以及根据强化的电子发射的影响对光输出敏感的发光荧光体层。 光输出可以被引导到感光图像记录介质上，以提供用于图像记录的装置。 预期图像源的第二和第三实施例提供形成要直接观看的图像的光输出。