公开(公告)号：WO2021153119A1

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：PCT/JP2020/048216

申请日：2020-12-23

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 鈴木　峻平 ,  藤田　利晃 ,  長友　義幸

IPC: G01K7/22 ,  G01N27/04 ,  G01N27/14 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327

Abstract:  小型で熱容量が小さく、多くの酵素を固定させて高感度・高精度な測定が可能なバイオセンサを提供する。本発明に係るバイオセンサは、酵素（Ｇ）を備えたバイオセンサ（１）であって、感熱部（３）と、感熱部に接続され互いに対向して形成された一対の対向電極（４）と、少なくとも感熱部に固定された酵素とを備え、感熱部が薄膜状であり、酵素が少なくとも感熱部の表面に固定されている。特に、感熱部がサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタであり、一対の対向電極が、感熱部上で複数の櫛部を有して互いに対向配置された櫛形電極であり、酵素が、少なくとも櫛部の間の感熱部に固定されていることが好ましい。

公开(公告)号：WO2020261759A1

公开(公告)日：2020-12-30

申请号：PCT/JP2020/018143

申请日：2020-04-28

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 赤坂　俊輔 ,  朴　淵暢 ,  湯地　洋行

IPC: H05B3/12 ,  H05B3/18 ,  G01N27/12 ,  G01N27/14 ,  G01N27/41 ,  G01N27/416

Abstract: 第１絶縁層（１６）と、前記第１絶縁層上の第１密着層（１８ａ）と、前記第１密着層上の配線層（１８）と、前記配線層を覆う第２密着層（１８ｃ）と、前記第１絶縁層上及び前記第２密着層上の第２絶縁層（２０）と、を備え、前記配線層は、白金を含み、前記第１密着層及び前記第２密着層は、それぞれ金属酸化物を含み、前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含むマイクロヒーター。

公开(公告)号：WO2020089096A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：PCT/EP2019/079228

申请日：2019-10-25

Applicant: SCIOSENSE B.V.

Inventor： MACCIONI, Alberto ,  SCHIPANI, Monica ,  PASETTI, Giuseppe ,  ALI, Syed Zeeshan ,  DIXON, Clinton Sean

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/14 ,  G01N27/16 ,  G05D23/19 ,  G05D23/24

Abstract: An electro-thermal based device comprises a heater (11), a readout circuit (14), a digital controller (16) having a first input (17) coupled to a first output (18) of the readout circuit (14), and a digital sigma-delta modulator (19) having a first input (20) coupled to an output (21) of the digital controller (16) and an output (22) coupled to the heater (11).

公开(公告)号：WO2019031260A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：PCT/JP2018/028058

申请日：2018-07-26

Applicant: SEMITEC株式会社

Inventor： 野尻　俊幸 ,  程　徳志

IPC: G01N27/14

Abstract: ガス検出性能を向上することができるとともに、個々のガスセンサの出力特性のばらつきを抑制できるガスセンサ、ガス検出装置、ガス検出方法及びガスセンサ、ガス検出装置を備えた装置を提供する。　ガス検出装置（１０）は、感熱抵抗素子（２）と、前記感熱抵抗素子（２）に介在物がなく溶接された状態で接続されたリード部（２２ｂ）と、前記感熱抵抗素子（２）と熱的に結合されるとともに、加熱により特定のガス分子が脱離される多孔性のガス分子吸着材料（３）とを有するガスセンサ（１）と、前記感熱抵抗素子（２）に電力を供給して、感熱抵抗素子（２）を加熱する電力供給部とを備えている。

公开(公告)号：WO2017131614A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/US2016/014743

申请日：2016-01-25

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： GIRI, Manish ,  BENGALI, Sadiq

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/407 ,  G01N27/14 ,  G01N27/30

CPC classification number: B41J2/14153 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1642

Abstract: A device including a substrate and a channel formed in a layer disposed on the substrate. The layer includes a cavitation layer and a passivation layer to mitigate the effects of hydrodynamic cavitation on a surface of the channel. The passivation and cavitation material and thickness are optimized thermally to nucleate and eject a bubble at low voltages. A resistive heating element is disposed within the channel that is activated to create a micro-fluidic pump to advance a fluid through the channel. A sensor is disposed within the channel to measure a characteristic of the fluid passing through the channel.

Abstract translation: 包括衬底和设置在衬底上的层中形成的沟道的器件。 该层包括空化层和钝化层以减轻水力空化对通道表面的影响。 钝化和空化材料和厚度被优化以在低电压下成核和喷射气泡。 电阻加热元件设置在通道内，被激活以形成微流体泵以推动流体通过通道。 传感器设置在通道内以测量通过通道的流体的特性。

公开(公告)号：WO2014090681A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/EP2013/075665

申请日：2013-12-05

Applicant: AMS AG

Inventor： SCHRANK, Franz ,  SCHREMS, Martin

IPC: H01L23/34 ,  G01N27/14 ,  G01N33/00

CPC classification number: H01L23/528 ,  G01N27/128 ,  G01N27/14 ,  G01N33/0004 ,  G01N33/0016 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/345 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/647 ,  H01L27/0629 ,  H01L31/024 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The semiconductor device comprises a substrate (1) of semiconductor material, a dielectric layer (2) on the substrate, an electrically conductive contact pad (3) arranged in the dielectric layer, a hot plate (4) arranged in the dielectric layer, a recess (9) of the substrate at the location of the hot plate, and an integrated circuit (18), which operates the hot plate. An electrically conductive layer (14) is arranged on a side of the substrate opposite the dielectric layer. The substrate is provided with a via hole (8) above the contact pad, and an electrically conductive material (12) connecting the electrically conductive layer with the contact pad is applied in the via hole. The recess (9) and the via hole (8) are formed in the same process step.

Abstract translation: 半导体器件包括半导体材料的衬底（1），衬底上的电介质层（2），布置在电介质层中的导电接触焊盘（3），布置在电介质层中的热板（4） 在热板的位置处的基板的凹部（9）和操作热板的集成电路（18）。 导电层（14）布置在与电介质层相对的一侧的基板上。 基板在接触焊盘上方设置有通孔（8），并且将导电层与接触焊盘连接的导电材料（12）施加在通孔中。 凹槽（9）和通孔（8）在相同的工艺步骤中形成。

公开(公告)号：WO2013022418A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2011/046715

申请日：2011-08-05

Applicant: CRUCIBLE INTELLECTUAL PROPERTY LLC ,  APPLE INC. ,  ZADESKY, Stephen P. ,  PREST, Christorpher D. ,  WANIUK, Theodore Andrew

Inventor： ZADESKY, Stephen P. ,  PREST, Christorpher D. ,  WANIUK, Theodore Andrew

IPC: G01N27/14 ,  G01N33/20 ,  G01N33/38

CPC classification number: G01N27/14 ,  G01N33/20 ,  G01N33/386

Abstract: One embodiment provides a method of determining an unknown degree of crystallinity, the method comprising: constructing a master curve plot comprising a plurality of reference curves, each reference curve representing a relationship between electrical resistivity and temperature for one of a plurality of reference alloy samples having a chemical composition and various predetermined degrees of crystallinity; for an alloy specimen having the chemical composition and the unknown degree of crystallinity, obtaining a curve representing the electrical resistivity and temperature thereof; and determining the unknown degree of crystallinity by comparing the curve to the master curve plot.

Abstract translation: 一个实施方案提供了确定未知结晶度的方法，该方法包括：构建包含多个参考曲线的主曲线图，每个参考曲线表示多个参考合金样品中的一个的电阻率和温度之间的关系，其具有 化学成分和各种预定的结晶度; 对于具有化学组成和未知结晶度的合金样品，获得表示其电阻率和温度的曲线; 并通过将曲线与主曲线图进行比较来确定未知的结晶度。

公开(公告)号：WO2012041539A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：PCT/EP2011/058325

申请日：2011-05-23

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  FLEISCHER, Maximilian ,  HEDLER, Harry ,  WIESNER, Kerstin ,  ZAPF, Jörg ,  FREUDENBERG, Oliver ,  SCHIEBER, Markus ,  SCHREINER, Manfred ,  WEIDNER, Karl

Inventor： FLEISCHER, Maximilian ,  HEDLER, Harry ,  WIESNER, Kerstin ,  ZAPF, Jörg ,  FREUDENBERG, Oliver ,  SCHIEBER, Markus ,  SCHREINER, Manfred ,  WEIDNER, Karl

IPC: B81B3/00 ,  G01N27/12 ,  G01N27/14

CPC classification number: G01N27/12 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  G01N27/128

Abstract: Es wird ein Mikromechanisches Substrat angegeben, das wenigstens zwei separate einkristalline Siliziumschichten aufweist und das in einem Teilbereich eine Membran aufweist, wobei die Dicke der Membran weniger als 20 μm beträgt und wobei die Membran einen Teil einer ersten der einkristallinen Siliziumschichten umfasst, weiterhin mit einem Beheizungselement, as ausgestaltet ist, in wenigstens einem Teil der Membran eine Temperatur von mehr als 650°C zu erzeugen, sowie mit wenigstens einer Diffusionssperrschicht zur Verminderung der Oxidation der ersten einkristallinen Siliziumschicht.

Abstract translation: 提供了一种具有至少两个单独的单结晶硅层和具有在膜的一部分，其中所述膜的厚度为小于20微米，和其中所述膜包括单晶硅层中的第一个的一部分，还包括一个加热元件的微机械衬底 作为被配置为产生在所述膜的至少一部分，以超过650℃的温度下，以及与至少一个扩散阻挡层用于减小第一单晶硅层的氧化。

公开(公告)号：WO0034766A3

公开(公告)日：2000-11-09

申请号：PCT/EP9909501

申请日：1999-12-04

Applicant: KARLSRUHE FORSCHZENT ,  KELLER HUBERT ,  SEIFERT ROLF ,  JERGER ARMIN ,  BECKER FRANK ,  KOHLER HEINZ

Inventor： KELLER HUBERT ,  SEIFERT ROLF ,  JERGER ARMIN ,  BECKER FRANK ,  KOHLER HEINZ

IPC: G01N33/00 ,  G01N27/14 ,  G01N27/12

CPC classification number: G01N27/124

Abstract: The invention relates to a gas analysis apparatus comprising a measuring head. Chambers with specifically sensitive semiconductor gas sensors or semiconductor gas sensors of the same kind are located in said measuring head, are covered by a lid and are only released for aeration by means of a hole in said lid. Said design enables reception of gas-specific sensor signal temperature profiles, reduction of the time required for the determination of a corresponding gas component and simultaneous increase in the selectivity of the gas analysis apparatus.

Abstract translation: 一种气体分析仪具有测量头，其中具有相似或特定敏感的半导体气体传感器腔室的位置，其由一个盖子覆盖，并且仅用于通风是通过在盖子上的孔释放出来。 这种结构允许特定气体传感器信号的温度分布的夹杂物，测定时间为一个相应的气体成分，并在同一时间的缩短增加了气体分析仪的选择性。

公开(公告)号：WO2023014366A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/US2021/044770

申请日：2021-08-05

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： GILA, Omer ,  LEONI, Napoleon J. ,  KELEKAR, Rajesh ,  ZHOU, Chuangyu

IPC: C12Q1/6809 ,  C12Q1/686 ,  G01N27/14 ,  C12M1/38

Abstract: A device includes at least one well to receive a polymerase chain reaction (PCR) mixture. The at least one well includes a bottom comprising an electrically resistive sheet and a carrier layer. The electrically resistive sheet is to receive a signal from a signal source to generate heat to cause a pulse-controlled amplification, thermal cycling zone in close thermal proximity to the bottom. The resistive sheet includes a first portion and a single unitary first opening aligned in a central portion of the well to enable optical detection of fluorophores from reaction of the PCR mixture in the thermal cycling zone. The transparent carrier layer is co-extensive with at least the first opening to contain the PCR mixture within the at least one well and to permit the optical detection.