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    RECHARGEABLE CELL ARCHITECTURE
    11.
    发明申请
    RECHARGEABLE CELL ARCHITECTURE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022265966A1

    公开(公告)日：2022-12-22

    申请号：PCT/US2022/033201

    申请日：2022-06-13

    Applicant: ZELOS ENERGY LTD.

    Inventor： KHOKHLOV, Pavel ,  TRUSKIER, Jonathan ,  JUZKOW, Marc

    IPC: H01M50/30 ,  H01L41/09 ,  H01L41/31

    Abstract: A rechargeable battery cell a casing and first and second electrode materials separately positioned in the casing. A mechanical impulse element is positioned to mechanically move and dislodge gas bubbles from at least one of the first and second electrode materials in response to activation. In some embodiments the mechanical impulse element can include a vibratory piezoelectric element. In other embodiments, a gas vent in the battery cell can be used to release dislodged gas bubbles.

    圧電性単結晶膜を備えた複合基板の製造方法
    12.
    发明申请
    圧電性単結晶膜を備えた複合基板の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021225102A1

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：PCT/JP2021/016937

    申请日：2021-04-28

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 永田　和寿

    IPC: H03H3/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31

    Abstract: 膜厚均一性が良く、イオン注入によって特性劣化の影響がない圧電性単結晶膜を備えた複合基板の製造方法を提供する。本発明の圧電性単結晶膜１１を備えた複合基板１０の製造方法は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電性単結晶基板１をイオン注入処理してイオン注入層１１を形成する工程（ａ）と、圧電性単結晶基板１のイオン注入層１１が形成された面と仮接合基板２とを接合する工程（ｃ）と、圧電性単結晶基板１をイオン注入層１１とその残りの部分とに分離し、仮接合基板２上に圧電性単結晶膜１１を形成する工程（ｄ）と、圧電性単結晶膜１１の仮接合基板の接合面と対向する面に、支持基板３を接合する工程（ｆ）と、仮接合基板を圧電性単結晶膜１１から分離する工程（ｇ）とを含む。

    圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法
    14.
    发明申请
    圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019130852A1

    公开(公告)日：2019-07-04

    申请号：PCT/JP2018/041585

    申请日：2018-11-09

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 堀　裕二 ,  山寺　喬紘 ,  高垣　達朗

    IPC: H03H9/25 ,  H01L21/02 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H03H3/08

    Abstract: 【課題】ニオブ酸リチウム等の材質からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板とを接合するのに際して、接合体の特性劣化を抑制できるようにすることである。 【解決手段】接合体８Ａは、支持基板３、支持基板３上に設けられた酸化珪素層７、および酸化珪素層７上に設けられた、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板１Ａを備える。酸化珪素層７における窒素濃度の平均値が、酸化珪素層７と支持基板３との界面Ｅにおける窒素濃度および酸化珪素層７と圧電性材料基板１Ａとの界面Ｄにおける窒素濃度よりも高い。

    INTEGRATION OF AIN ULTRASONIC TRANSDUCER ON A CMOS SUBSTRATE USING FUSION BONDING PROCESS
    15.
    发明申请
    INTEGRATION OF AIN ULTRASONIC TRANSDUCER ON A CMOS SUBSTRATE USING FUSION BONDING PROCESS 审中-公开
    CMOS集成电路超声换能器的融合

    公开(公告)号：WO2017165146A1

    公开(公告)日：2017-09-28

    申请号：PCT/US2017/022201

    申请日：2017-03-13

    Applicant: INVENSENSE, INC.

    Inventor： SHIN, Jong Il ,  SMEYS, Peter ,  SHIN, Jongwoo

    IPC: H01L41/113 ,  H01L41/31 ,  B81C1/00

    Abstract: Provided herein is a method including bonding a first oxide layer on a handle substrate to a second oxide layer on a complementary metal oxide semiconductor ("CMOS"), wherein the fusion bonding forms a unified oxide layer including a diaphragm overlying a cavity on the CMOS. The handle substrate is removed leaving the unified oxide layer. A piezoelectric film stack is deposited over the unified oxide layer. Vias are formed in the piezoelectric film stack and the unified oxide layer. An electrical contact layer is deposited, wherein the electrical contact layer electrically connects the piezoelectric film stack to an electrode on the CMOS.

    Abstract translation: 本文提供了一种方法，其包括将处理衬底上的第一氧化物层结合到互补金属氧化物半导体（“CMOS”）上的第二氧化物层，其中所述融合结合形成统一的氧化物层 包括覆盖CMOS上的空腔的隔膜。 去除处理基板留下统一的氧化物层。 压电薄膜叠层沉积在整体氧化层上。 通孔形成在压电膜叠层和统一的氧化物层中。 沉积电接触层，其中电接触层将压电薄膜叠层电连接到CMOS上的电极。

    接合体および弾性波素子
    20.
    发明申请
    接合体および弾性波素子 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019039475A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：PCT/JP2018/030855

    申请日：2018-08-21

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 後藤　万佐司 ,  多井　知義 ,  箕浦　舞

    IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H01L41/337

    Abstract: 【課題】サイアロンからなる支持基板上に、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性材料層を強固に接合できる微構造を提供する。 【解決手段】サイアロンからなる支持基板上に、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性材料層を強固に接合できる微構造を提供することである。 【解決手段】接合体は、支持基板および圧電性材料層を備えている。支持基板がサイアロンからなる。圧電性材料層の材質がＬｉＡＯ ３ である（Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である）。支持基板と圧電性材料層との界面に沿って存在する界面層および界面層と支持基板との間に存在する支持基板側中間層を備える。界面層および支持基板側中間層が、それぞれ、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素、窒素、酸素、アルミニウムおよび珪素を主成分としている。

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