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公开(公告)号:WO2012093150A1
公开(公告)日:2012-07-12
申请号:PCT/EP2012/050132
申请日:2012-01-05
申请人: VOESTALPINE STAHL GMBH , STELLNBERGER, Karl-Heinz , RIENER, Christian K. , LUCKENEDER, Gerald , HOLZER, Edmund , HASLINGER, Harald , HAGLER, Josef
发明人: STELLNBERGER, Karl-Heinz , RIENER, Christian K. , LUCKENEDER, Gerald , HOLZER, Edmund , HASLINGER, Harald , HAGLER, Josef
CPC分类号: C23G1/02 , C09J5/02 , C09J2400/163 , C09J2400/166 , C23C2/26 , C23F1/30 , C23G1/10 , Y10T428/12972
摘要: Es wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines schutzbeschichteten Substrats (1), insbesondere Stahlbands, zur Verbesserung der Adhäsionsfestigkeit mit einem Klebstoff (10) gezeigt, wobei die wenigstens teilweise mehrphasige Schutzschicht (2) mindestens Zink und Magnesium aufweist. Um eine besondere Klebeignung zu schaffen, wird vorgeschlagen, dass die Schutzschicht (2) einer Beizbehandlung, die auf wenigstens eine intermetallische Zn-Mg Phase (4) der Schutzschicht (2) im Wesentlichen gerichtet ist, mit saurer Beize, insbesondere Säure, unterworfen wird.
摘要翻译: 它为保护涂敷的基材(1),特别是钢带,显示改善用粘合剂(10),其特征在于,(2)至少部分地多相保护层包括至少锌和镁的密合性的表面处理的方法。 为了创建一个特殊的Klebeignung,建议的是,保护层(2)进行酸洗处理,其涉及至少一种金属间的Zn-Mg相的(4)(2)基本上进行酸洗,特别是酸保护层的, ,
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公开(公告)号:WO2012070894A2
公开(公告)日:2012-05-31
申请号:PCT/KR2011/009032
申请日:2011-11-24
CPC分类号: C23C14/3407
摘要: 본 발명에 따른 로터리 타겟의 타겟 분리방법은 인듐과 메디아 파우더로 이루어진 접합제에 의해 백킹튜브의 외주면에 타켓이 접착 고정된 로터리 타겟의 사용 후 백킹튜브로부터 타겟을 분리하는 방법에 있어서, (a) 인듐의 융점온도 이상으로 로터리 타겟의 가열을 통해 인듐의 일부를 용융시켜 제거하는 단계; (b) 단계(a) 과정의 일부 인듐이 용융 제거된 상태의 로터리 타겟을 염산용액에 일정시간 담가두어 인듐과 메디아 파우더를 부식시키는 단계; (c) 단계(b) 과정의 염산용액을 통해 인듐과 메디아 파우더를 부식시킨 상태의 로터리 타겟을 인듐의 융점온도 이상으로 가열하여 나머지의 인듐을 용융 제거하는 단계; 및 (d) 단계(c) 과정의 가열을 통해 인듐을 용융 제거한 다음 백킹튜브의 외주면으로부터 타겟을 일측으로 밀어 분리하는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다. 본 발명은 제품의 생산단가를 줄일 수 있다.
摘要翻译:
根据本发明的一个旋转靶的靶分离方法是从所述背衬管使用旋转靶的后的目标被由氧化铟构成的粘合剂并且平均粉末粘合并固定至背衬管的外周面分离所述目标 (A)通过将旋转靶加热至铟的熔点温度以上的温度来熔化并除去一部分铟; (B)步骤(a)将铟的一部分的步骤是铟和腐蚀介质一定的时间浸泡粉末在旋转靶熔化物的过程中的盐酸溶液被去除; (C)步骤(b)通过经由旋转靶材侵蚀的铟和媒体状态加热盐酸溶液的处理温度铟所述方法包括在去除剩余的铟熔体的熔点以上的粉末; (d)在步骤(c)中通过加热熔化铟,然后通过将靶推向一侧而将铟从背衬管的外周表面分离。 本发明可以降低产品的生产成本。 P>
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公开(公告)号:WO2011043881A1
公开(公告)日:2011-04-14
申请号:PCT/US2010/047284
申请日:2010-08-31
申请人: MACDERMID. INCORPORATED , FENG, Kesheng , KAPADIA, Nilesh , CASTALDI, Steven, A. , GANJEI, John
IPC分类号: C23F1/30
摘要: A nickel-chromium alloy etching composition comprising sulfuric acid, a source of chloride ions, including hydrochloric acid or sodium, potassium or ammonium chloride, and a sulfur compound comprising a sulfur atom with an oxidation state between -2 to +5 such as thiosulfate, sulfide, sulfite, bisulfite, rnetabisulfite and phosphorus pentasulfide that can efficiently remove nickel-chromium alloy in the presence of copper circuits Is disclosed.
摘要翻译: 一种镍铬合金蚀刻组合物,其包含硫酸,氯离子源,包括盐酸或钠,氯化钾或氯化铵,以及包含氧化态在-2至+5之间的硫原子的硫化合物,例如硫代硫酸盐, 公开了可在铜电路存在下有效去除镍铬合金的硫化物,亚硫酸盐,亚硫酸氢盐,焦亚硫酸氢盐和五硫化磷。
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公开(公告)号:WO2005019499A1
公开(公告)日:2005-03-03
申请号:PCT/JP2004/012144
申请日:2004-08-18
IPC分类号: C23F1/30
摘要: フッ化水素、有機溶媒及び水を含み、フッ化水素:有機溶媒:水の重量比が0.001~10重量%:70~99.998重量%:0.001~20重量%である、導電性金属上に形成された金属変質層を除去するための除去液。
摘要翻译: 公开了一种用于除去形成在导电金属上的退化金属层的液体,其含有氟化氢,有机溶剂和水,使得氟化氢:有机溶剂:水的重量比为0.001-10重量%:70-99.998重量% %:0.001-20重量%。
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公开(公告)号:WO2022050273A1
公开(公告)日:2022-03-10
申请号:PCT/JP2021/031941
申请日:2021-08-31
申请人: 富士フイルム株式会社
IPC分类号: C23F1/30 , C23F1/40 , C11D1/62 , C11D3/04 , C11D3/26 , C11D7/08 , C11D7/18 , C11D7/32 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要: 本発明は、遷移金属含有物に対する溶解能に優れる組成物、及び、基板の処理方法を提供する。本発明の組成物は、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、臭素酸、及び、それらの塩からなる群から選択される少なくとも1つのオキソハロゲン酸化合物と、式(1)で表される化合物とを含み、式(1)で表される化合物の含有量が、組成物の全質量に対して、1.0~25.0質量%である。
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公开(公告)号:WO2021117478A1
公开(公告)日:2021-06-17
申请号:PCT/JP2020/043660
申请日:2020-11-24
申请人: 株式会社ADEKA
IPC分类号: C23F1/30 , H01L21/308 , H05K3/06
摘要: サイドエッチング及び残渣の発生を抑制しながら、銀含有層をエッチングすることが可能なエッチング液組成物を提供する。銀含有層をエッチングするために用いられるエッチング液組成物である。(A)成分:酸化剤0.1~20質量%、(B)成分:(i)ジカルボン酸のアンモニウム塩、及び(ii)ジカルボン酸とアミン化合物若しくはアンモニウム化合物との組み合わせ、の少なくともいずれかの成分0.5~40質量%、並びに水を含有し、ジカルボン酸が、シュウ酸、又は無置換若しくは水酸基で置換された炭素数2以下のアルキレン鎖を有する有機酸である。
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公开(公告)号:WO2020193548A1
公开(公告)日:2020-10-01
申请号:PCT/EP2020/058152
申请日:2020-03-24
摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum mindestens bereichsweise Entfernen einer eutektischen Phase aus einer metallischen Schutzschicht auf Zink-Magnesium-Basis, sowie ein Stahl-Flachprodukt, das an der Oberfläche Eutektikum-freie und/oder Magnesium-freie Bereiche aufweist.
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公开(公告)号:WO2020171051A1
公开(公告)日:2020-08-27
申请号:PCT/JP2020/006218
申请日:2020-02-18
申请人: DIC株式会社
摘要: 本発明は、カルボン酸、過酸化水素及びアルコールを含有する水溶液である銀用エッチング液を提供する。また、絶縁性基材(A)上に、めっき下地層として銀層(M1)を形成した後、不要となった前記銀層(M1)を上記の銀用エッチング液で除去する工程を有するプリント配線板の製造方法を提供する。当該銀用エッチング液を用いることで、銀をめっき下地層に用いるプリント配線板の製造において、不要なめっき下地層を効率よく除去することができ、プリント配線板の配線部にサイドエッチやアンダーカットの少ないプリント配線板が得られる。
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公开(公告)号:WO2020159771A1
公开(公告)日:2020-08-06
申请号:PCT/US2020/014609
申请日:2020-01-22
摘要: The present disclosure is directed to etching compositions that are useful for, e.g., selectively removing titanium nitride (TiN) from a semiconductor substrate without substantially forming a cobalt oxide hydroxide layer. The present disclosure is based on the unexpected discovery that certain etching compositions can selectively etch TiN without forming a CoOx hydroxide layer on a Co layer in the semiconductor device, thereby enabling a subsequent Co etch without delay.
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公开(公告)号:WO2020080178A1
公开(公告)日:2020-04-23
申请号:PCT/JP2019/039614
申请日:2019-10-08
申请人: 株式会社ADEKA
摘要: より速い速度で銀含有材料をエッチングすることができ、かつ、腹部の細り幅が少ない細線を形成することが可能な銀含有材料用のエッチング液組成物、及びこれを用いるエッチング方法を提供する。銀含有材料をエッチングするために用いられるエッチング液組成物、及びこのエッチング液組成物を用いて銀含有材料をエッチングする工程を有するエッチング方法である。エッチング液組成物は、(A)過酸化水素0.1~30質量%、(B)有機カルボン酸塩0.05~60質量%、及び水を含有し、pHが2.5以上である。
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