로터리 타겟의 타겟 분리방법
    22.
    发明申请
    로터리 타겟의 타겟 분리방법 审中-公开
    如何从旋转目标上分离目标

    公开(公告)号:WO2012070894A2

    公开(公告)日:2012-05-31

    申请号:PCT/KR2011/009032

    申请日:2011-11-24

    IPC分类号: C23F1/30 C23C14/34

    CPC分类号: C23C14/3407

    摘要: 본 발명에 따른 로터리 타겟의 타겟 분리방법은 인듐과 메디아 파우더로 이루어진 접합제에 의해 백킹튜브의 외주면에 타켓이 접착 고정된 로터리 타겟의 사용 후 백킹튜브로부터 타겟을 분리하는 방법에 있어서, (a) 인듐의 융점온도 이상으로 로터리 타겟의 가열을 통해 인듐의 일부를 용융시켜 제거하는 단계; (b) 단계(a) 과정의 일부 인듐이 용융 제거된 상태의 로터리 타겟을 염산용액에 일정시간 담가두어 인듐과 메디아 파우더를 부식시키는 단계; (c) 단계(b) 과정의 염산용액을 통해 인듐과 메디아 파우더를 부식시킨 상태의 로터리 타겟을 인듐의 융점온도 이상으로 가열하여 나머지의 인듐을 용융 제거하는 단계; 및 (d) 단계(c) 과정의 가열을 통해 인듐을 용융 제거한 다음 백킹튜브의 외주면으로부터 타겟을 일측으로 밀어 분리하는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다. 본 발명은 제품의 생산단가를 줄일 수 있다.

    摘要翻译:

    根据本发明的一个旋转靶的靶分离方法是从所述背衬管使用旋转靶的后的目标被由氧化铟构成的粘合剂并且平均粉末粘合并固定至背衬管的外周面分离所述目标 (A)通过将旋转靶加热至铟的熔点温度以上的温度来熔化并除去一部分铟; (B)步骤(a)将铟的一部分的步骤是铟和腐蚀介质一定的时间浸泡粉末在旋转靶熔化物的过程中的盐酸溶液被去除; (C)步骤(b)通过经由旋转靶材侵蚀的铟和媒体状态加热盐酸溶液的处理温度铟所述方法包括在去除剩余的铟熔体的熔点以上的粉末; (d)在步骤(c)中通过加热熔化铟,然后通过将靶推向一侧而将铟从背衬管的外周表面分离。 本发明可以降低产品的生产成本。

    NICKEL-CHROMIUM ALLOY STRIPPER FOR FLEXIBLE WIRING BOARDS
    23.
    发明申请
    NICKEL-CHROMIUM ALLOY STRIPPER FOR FLEXIBLE WIRING BOARDS 审中-公开
    用于柔性布线板的镍铬合金剥线钳

    公开(公告)号:WO2011043881A1

    公开(公告)日:2011-04-14

    申请号:PCT/US2010/047284

    申请日:2010-08-31

    IPC分类号: C23F1/30

    CPC分类号: C23F1/26 C23F1/02 C23F1/44

    摘要: A nickel-chromium alloy etching composition comprising sulfuric acid, a source of chloride ions, including hydrochloric acid or sodium, potassium or ammonium chloride, and a sulfur compound comprising a sulfur atom with an oxidation state between -2 to +5 such as thiosulfate, sulfide, sulfite, bisulfite, rnetabisulfite and phosphorus pentasulfide that can efficiently remove nickel-chromium alloy in the presence of copper circuits Is disclosed.

    摘要翻译: 一种镍铬合金蚀刻组合物,其包含硫酸,氯离子源,包括盐酸或钠,氯化钾或氯化铵,以及包含氧化态在-2至+5之间的硫原子的硫化合物,例如硫代硫酸盐, 公开了可在铜电路存在下有效去除镍铬合金的硫化物,亚硫酸盐,亚硫酸氢盐,焦亚硫酸氢盐和五硫化磷。

    エッチング液組成物及びエッチング方法

    公开(公告)号:WO2021117478A1

    公开(公告)日:2021-06-17

    申请号:PCT/JP2020/043660

    申请日:2020-11-24

    IPC分类号: C23F1/30 H01L21/308 H05K3/06

    摘要: サイドエッチング及び残渣の発生を抑制しながら、銀含有層をエッチングすることが可能なエッチング液組成物を提供する。銀含有層をエッチングするために用いられるエッチング液組成物である。(A)成分:酸化剤0.1~20質量%、(B)成分:(i)ジカルボン酸のアンモニウム塩、及び(ii)ジカルボン酸とアミン化合物若しくはアンモニウム化合物との組み合わせ、の少なくともいずれかの成分0.5~40質量%、並びに水を含有し、ジカルボン酸が、シュウ酸、又は無置換若しくは水酸基で置換された炭素数2以下のアルキレン鎖を有する有機酸である。

    銀用エッチング液、及びそれを用いたプリント配線板の製造方法

    公开(公告)号:WO2020171051A1

    公开(公告)日:2020-08-27

    申请号:PCT/JP2020/006218

    申请日:2020-02-18

    申请人: DIC株式会社

    IPC分类号: C23F1/30 H05K3/06

    摘要: 本発明は、カルボン酸、過酸化水素及びアルコールを含有する水溶液である銀用エッチング液を提供する。また、絶縁性基材(A)上に、めっき下地層として銀層(M1)を形成した後、不要となった前記銀層(M1)を上記の銀用エッチング液で除去する工程を有するプリント配線板の製造方法を提供する。当該銀用エッチング液を用いることで、銀をめっき下地層に用いるプリント配線板の製造において、不要なめっき下地層を効率よく除去することができ、プリント配線板の配線部にサイドエッチやアンダーカットの少ないプリント配線板が得られる。

    ETCHING COMPOSITIONS
    29.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020159771A1

    公开(公告)日:2020-08-06

    申请号:PCT/US2020/014609

    申请日:2020-01-22

    摘要: The present disclosure is directed to etching compositions that are useful for, e.g., selectively removing titanium nitride (TiN) from a semiconductor substrate without substantially forming a cobalt oxide hydroxide layer. The present disclosure is based on the unexpected discovery that certain etching compositions can selectively etch TiN without forming a CoOx hydroxide layer on a Co layer in the semiconductor device, thereby enabling a subsequent Co etch without delay.

    エッチング液組成物及びエッチング方法

    公开(公告)号:WO2020080178A1

    公开(公告)日:2020-04-23

    申请号:PCT/JP2019/039614

    申请日:2019-10-08

    申请人: 株式会社ADEKA

    IPC分类号: C23F1/30 H05K3/06

    摘要: より速い速度で銀含有材料をエッチングすることができ、かつ、腹部の細り幅が少ない細線を形成することが可能な銀含有材料用のエッチング液組成物、及びこれを用いるエッチング方法を提供する。銀含有材料をエッチングするために用いられるエッチング液組成物、及びこのエッチング液組成物を用いて銀含有材料をエッチングする工程を有するエッチング方法である。エッチング液組成物は、(A)過酸化水素0.1~30質量%、(B)有機カルボン酸塩0.05~60質量%、及び水を含有し、pHが2.5以上である。