公开(公告)号：WO2016015720A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/DE2015/100322

申请日：2015-07-31

申请人： CHRISTIAN-ALBRECHTS-UNIVERSITÄT ZU KIEL

发明人： BAYTEKIN-GERNGROSS, Melike ,  GERNGROSS, Mark-Daniel ,  ADELUNG, Rainer ,  CARSTENSEN, Jürgen

IPC分类号： C23F1/26 ,  A61L27/06 ,  A61F2/30 ,  B08B7/00 ,  C25F3/08 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C23F1/26 ,  A61F2002/30925 ,  A61L27/06 ,  A61L27/56 ,  A61L2400/18 ,  A61L2430/02 ,  C22C14/00 ,  C23F1/30 ,  H01L2924/01022

摘要： Die Erfindung betrifft ein oberflächenbehandeltes metallisches Werkstück aus Titan und/oder Titan-Legierungen mit Titan als Hauptbestandteil und/oder Nickel-Titan-Legierungen sowie Nitinol, wobei das Metall an der behandelten Oberfläche frei von Einschlüssen, Ausscheidungen anderer Metalle, Anlagerungen von Alkali-, Erdalkalimetallen und/oder Aluminium, intermetallischen Phasen, und/oder mechanisch stark defektreichen Bereichen ist, und die Oberfläche über eine erste Rauigkeit und eine zweite Rauigkeit verfügt, wobei die erste Rauigkeit durch Vertiefungen in Form von Poren gegeben ist, wobei die Poren einen Durchmesser im Bereich zwischen 0,5 und 50 μm haben- in Richtung der Oberfläche offen und in Richtung des Werkstücks geschlossen sind, und wenigstens ein Teil der Poren einen Hinterschnitt aufweisen und die zweite Rauigkeit durch statistisch verteilte Erhöhungen und Vertiefungen im Bereich von 100nm und weniger gegeben ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein oberflächenbehandelten Werkstück.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有钛由钛和/或钛合金的作为主要成分和/或镍 - 钛合金和镍钛诺的表面处理金属工件，其中所述金属，从夹杂物自由处理过的表面，析出物等金属，碱添加的 碱土金属和/或铝，金属间相，和/或机械强富含缺陷区域，并且该表面具有第一粗糙度和第二表面粗糙度，其中所述第一粗糙结构由凹部中的孔的形式给出，其中所述孔中的具有直径 50范围为0.5至微米朝向表面有─被打开，并在工件的方向闭合，并且所述孔的至少一部分具有在100纳米和更低的范围内的底切和所述第二粗糙度随机分布的凸起和凹陷，给出 ， 此外，本发明涉及一种用于表面处理工件的制造方法。

公开(公告)号：WO2015134456A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/US2015/018434

申请日：2015-03-03

申请人： H.C. STARCK INC. ,  HOGAN, Patrick ,  MOORE, John ,  BREWER, Alex ,  PETTIT, Jared

发明人： HOGAN, Patrick ,  MOORE, John ,  BREWER, Alex ,  PETTIT, Jared

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  C23F1/02 ,  C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/103 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78669

摘要： In various embodiments, etchants featuring (i) mixtures of hydrochloric acid, methanesulfonic acid, and nitric acid, or (ii) mixtures of phosphoric acid, methanesulfonic acid, and nitric acid, are utilized to etch metallic bilayers while minimizing resulting etch discontinuities between the layers of the bilayer.

摘要翻译： 在各种实施方案中，使用特征为（i）盐酸，甲磺酸和硝酸的混合物或（ii）磷酸，甲磺酸和硝酸的混合物的蚀刻剂来蚀刻金属双层，同时最小化所得到的蚀刻不连续性 双层的层。

公开(公告)号：WO2015053800A3

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：PCT/US2013074356

申请日：2013-12-11

申请人： EKC TECHNOLOGY INC

发明人： CUI HUA

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： An aqueous removal composition having a pH in the range of from 2 to 14 and method for selectively removing an etching mask consisting essentially of TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, or alloy of Ti or W relative to low-k materials from a semiconductor substrate comprising said low-k materials having a TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, or alloy of Ti or W etching mask thereon wherein the removal composition comprises at least one oxidizing agent and a carboxylate compound.

摘要翻译： 一种pH值在2至14范围内的含水去除组合物以及用于选择性地去除基于TiN，TaN，TiNxOy，TiW，W或Ti或W合金相对于来自 包括具有TiN，TaN，TiNxOy，TiW，W或其上的Ti或W蚀刻掩模的合金的所述低k材料的半导体衬底，其中所述去除组合物包含至少一种氧化剂和羧酸盐化合物。

公开(公告)号：WO2015054460A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/US2014/059840

申请日：2014-10-09

申请人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  EKC TECHNOLOGY INC

发明人： CUI, Hua

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D3/39 ,  C11D3/395 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

摘要： The present disclosure relates to a removal composition for selectively removing an hard mask consisting essentially of TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti and alloys of Ti and W relative to low-k dielectric material from a semiconductor substrate. The semiconductor substrate comprises a low-k dielectric material having a TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti or alloy of Ti or W hard mask thereon. The removal composition comprises 0.1 wt% to 90 wt% of an oxidizing agent; 0.0001 wt% to 50 wt% of a carboxylate; and the balance up to 100 wt% of the removal composition comprising deionized water.

摘要翻译： 本发明涉及一种去除组合物，用于从半导体衬底相对于低k介电材料选择性地去除基本上由TiN，TaN，TiN x O y，TiW，W，Ti以及Ti和W的合金组成的硬掩模。 半导体衬底包括具有TiN，TaN，TiN x O y，TiW，W，Ti或其上的Ti或W硬掩模的合金的低k电介质材料。 去除组合物包含0.1重量％至90重量％的氧化剂; 0.0001重量％至50重量％的羧酸酯; 并且其余至多100重量％的去除组合物包含去离子水。

公开(公告)号：WO2015053800A2

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/US2013/074356

申请日：2014-11-14

申请人： EKC TECHNOLOGY, INC.

发明人： CUI, Hua

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： An aqueous removal composition having a pH in the range of from 2 to 14 and method for selectively removing an etching mask consisting essentially of TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, or alloy of Ti or W relative to low-k materials from a semiconductor substrate comprising said low-k materials having a TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, or alloy of Ti or W etching mask thereon wherein the removal composition comprises at least one oxidizing agent and a carboxylate compound.

摘要翻译： pH为2〜14的水性去除组合物，以及相对于低k材料从基本上由TiN，TaN，TiNxOy，TiW，W或Ti或W的合金选择性地除去的蚀刻掩模的方法 包括具有TiN，TaN，TiN x O y，TiW，W或其上的Ti或W蚀刻掩模的合金的所述低k材料的半导体衬底，其中所述去除组合物包含至少一种氧化剂和羧酸盐化合物。

公开(公告)号：WO2014014124A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/JP2013/069960

申请日：2013-07-17

申请人： FUJIFILM CORPORATION

发明人： KAMIMURA, Tetsuya ,  INABA, Tadashi ,  MURO, Naotsugu ,  NISHIWAKI, Yoshinori

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  C23G1/106 ,  C23G1/205 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6704

摘要： A method of etching a semiconductor substrate, having the steps of: preparing an etching liquid by mixing a first liquid with a second liquid to be in the range of pH from 8.5 to 14, the first liquid containing a basic compound, the second liquid containing an oxidizing agent; and then applying the etching liquid to a semiconductor substrate on a timely basis for etching a Ti-containing layer in or on the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种蚀刻半导体衬底的方法，具有以下步骤：通过将第一液体与第二液体混合在pH为8.5至14的范围内来制备蚀刻液体，所述第一液体含有碱性化合物，所述第二液体含有 氧化剂; 然后及时将蚀刻液施加到半导体衬底上，以蚀刻半导体衬底中或其上的含Ti层。

公开(公告)号：WO2013025003A2

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/KR2012006329

申请日：2012-08-09

申请人： ENF TECHNOLOGY CO LTD ,  SHIN HYOSEOP ,  JEONG JINBAE ,  KIM SEHOON ,  LEE EUNKYUNG

发明人： SHIN HYOSEOP ,  JEONG JINBAE ,  KIM SEHOON ,  LEE EUNKYUNG

IPC分类号： H01L21/3063 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： The present invention relates to a method for increasing the etching capacity of a copper/molybdenum alloy film used in the manufacture of TFT-LCD. The method of the present invention can increase the etching capacity of an etchant by recovering the degradation of etching properties such as an etch rate, a taper profile, and etch linearity which are generated when etching is repeated using the etchant with the copper/molybdenum alloy film, thereby substantially reducing production costs for TFT-LCD, and the like.

摘要翻译： 本发明涉及一种提高TFT-LCD制造中使用的铜/钼合金膜的蚀刻能力的方法。 本发明的方法可以通过回收蚀刻特性的降低来提高蚀刻剂的蚀刻能力，例如蚀刻速率，锥形轮廓和蚀刻线性度，当使用蚀刻剂与铜/钼合金重复蚀刻时产生 膜，从而大大降低了TFT-LCD的生产成本等。

公开(公告)号：WO2012121136A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/JP2012/055346

申请日：2012-03-02

申请人： シャープ株式会社 ,  吉安 健太朗 ,  池田 昌隆

发明人： 吉安　健太朗 ,  池田　昌隆

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259

摘要： 本発明に係るエッチング方法は、フッ酸溶液が包含されたマイクロカプセル８０が酢酸溶液中に分散された複合エッチング溶液７０を用いてエッチングを行う方法であって、基板上にチタンを成膜して第１の層を形成する工程と、チタン層上に銅を成膜して第２の層を形成する工程と、基板を複合エッチング溶液７０中に浸漬させ、マイクロカプセル８０を破壊させることなく、酢酸溶液によって銅の一部をウェットエッチングにより除去する工程と、ガラス基板を複合エッチング溶液中に浸漬させた状態でマイクロカプセル８０を破壊する工程と、破壊されたマイクロカプセル８０内から流出したフッ酸溶液によってチタン層の一部をウェットエッチングにより除去する工程とを備える。

摘要翻译： 该蚀刻方法使用其中包围盐酸溶液的微胶囊（80）分散在乙酸溶液中的复合蚀刻溶液（70）。 蚀刻方法包括：通过在基板上钛的成膜形成第一层的步骤; 通过钛层上的铜的膜生长形成第二层的步骤; 将基板浸渍在复合蚀刻溶液（70）中并通过用乙酸溶液的湿蚀刻除去部分铜而不破坏微胶囊（80）的步骤; 在将玻璃基板浸渍在复合蚀刻液中的状态下破碎微胶囊（80）的工序; 以及通过从破碎的微胶囊（80）流出的盐酸溶液进行湿蚀刻来消除钛层的一部分的步骤。

公开(公告)号：WO2011019209A3

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/KR2010005277

申请日：2010-08-11

申请人： DONGWOO FINE CHEM CO LTD ,  YANG SEUNG-JAE ,  LEE SUCK-JUN ,  JANG SANG-HOON ,  LEE JOON-WOO ,  LIM MIN-KI ,  KWON O-BYOUNG ,  PARK YOUNG-CHUL

发明人： YANG SEUNG-JAE ,  LEE SUCK-JUN ,  JANG SANG-HOON ,  LEE JOON-WOO ,  LIM MIN-KI ,  KWON O-BYOUNG ,  PARK YOUNG-CHUL

IPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/20

CPC分类号： C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： The present invention provides an etchant composition for a metal film comprising at least one film selected from an indium-based transparent conductive film, an aluminum-based metal film and a titanium-based metal film, used for the interconnect of a pixel electrode, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode. The etchant composition is excellent in etching characteristics to an indium-based transparent conductive film, an aluminum-based metal film and a titanium-based metal film, respectively, and particularly to an Al-La-based alloy film. In addition, the etchant composition can effectively etch a tri-layered film comprising an indium-based transparent conductive film, an Al-La-based alloy film and a titanium-based metal film at a time.

摘要翻译： 本发明提供一种用于金属膜的蚀刻剂组合物，其包括用于像素电极的互连的铟基透明导电膜，铝基金属膜和钛基金属膜中的至少一种膜， 栅电极，源电极和漏电极。 蚀刻剂组成对于铟基透明导电膜，铝基金属膜和钛基金属膜，特别是Al-La系合金膜的蚀刻特性优异。 此外，蚀刻剂组合物可以一次有效地蚀刻包含铟系透明导电膜，Al-La系合金膜和钛系金属膜的三层膜。

公开(公告)号：WO2011010877A3

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/KR2010004807

申请日：2010-07-22

申请人： DONGWOO FINE CHEM CO LTD ,  LIM MIN-KI ,  YANG SEUNG-JAE ,  LEE YU-JIN ,  PARK YOUNG-CHUL ,  KWON O-BYOUNG

发明人： LIM MIN-KI ,  YANG SEUNG-JAE ,  LEE YU-JIN ,  PARK YOUNG-CHUL ,  KWON O-BYOUNG

IPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/10

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

摘要： The present invention relates to an etchant composition for the formation of a metal line. The etchant composition can wet-etch, in a batch, a single-layer film formed of one or more metals selected from a group consisting of titanium, titanium alloy, aluminum, and an aluminum alloy, or a multilayer film including a double-layer film, thus simplifying the etching process and improving productivity. Further, the etchant composition of the present invention has a high etching rate, prevents damage to a lower film and equipment, enables uniform etching, provides excellent etching characteristics, eliminates the need for expensive equipment, is advantageous when used for large display devices, and provides remarkable economical advantages.

摘要翻译： 本发明涉及用于形成金属线的蚀刻剂组合物。 蚀刻剂组合物可以批量湿法蚀刻由选自由钛，钛合金，铝和铝合金组成的组中的一种或多种金属形成的单层膜，或者包括双层的多层膜 从而简化蚀刻工艺并提高生产率。 此外，本发明的蚀刻剂组合物具有高蚀刻速率，防止对下层膜和设备的损伤，能够均匀蚀刻，提供优异的蚀刻特性，不需要昂贵的设备，当用于大型显示​​装置时是有利的，并且 提供显着的经济优势。