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    PTC THERMISTOR MATERIAL
    52.
    发明申请
    PTC THERMISTOR MATERIAL 审中-公开
    PTC热敏材料

    公开(公告)号：WO1998011568A1

    公开(公告)日：1998-03-19

    申请号：PCT/JP1997003227

    申请日：1997-09-12

    Applicant: TDK CORPORATION ,  OKADA, Masuo ,  SAWAGUCHI, Takahiro ,  YODOGAWA, Masatada ,  MATSUOKA, Dai

    Inventor： TDK CORPORATION

    IPC: H01C07/02

    CPC classification number: C04B35/475 ,  C01G29/00 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2006/40 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C22C29/04 ,  C22C29/12 ,  C22C29/16 ,  H01C7/022 ,  H01C7/023 ,  H01C17/06553

    Abstract: A PTC thermistor material in which a conductive phase having a specific resistance which is lower than that of a matrix phase and abruptly changes near the melting point of the conductive phase is nearly uniformly distributed in the matrix phase. The matrix phase is made of a polycrystalline ceramic, glass-polycrystalline ceramic composite material, glass, crystallized glass, high polymer material, etc., and the conductive phase is made of a metal composed mainly of Bi. Therefore, various characteristics of the thermistor material, such as the PTCR characteristic appearing temperature, rate of change in specific resistance, etc., can be controlled and the material can be applied to such circuit parts that are normally subject to large currents. In addition, the material can be manufactured easily and a stable PTCR characteristic can be obtained from the material. Moreover, the rated current and degree of freedom in shape of the material can be increased even when the size of the material is reduced.

    Abstract translation: 一种PTC热敏电阻材料，其中比电阻低于基体相的电阻并且在导电相的熔点附近突然变化的导电相几乎均匀地分布在基体相中。 基体相由多晶陶瓷，玻璃 - 多晶陶瓷复合材料，玻璃，结晶玻璃，高分子材料等制成，导电相由主要由Bi组成的金属制成。 因此，可以控制热敏电阻材料的各种特性，例如PTCR特性出现温度，电阻率变化率等，并且可以将材料应用于通常经受大电流的电路部件。 此外，可以容易地制造材料，并且可以从材料获得稳定的PTCR特性。 此外，即使当材料的尺寸减小时，材料的额定电流和自由度也可以增加。

    DIELECTRIC COMPOSITION, DIELECTRIC ELEMENT, ELECTRONIC COMPONENT AND LAMINATED ELECTRONIC COMPONENT
    55.
    发明申请
    DIELECTRIC COMPOSITION, DIELECTRIC ELEMENT, ELECTRONIC COMPONENT AND LAMINATED ELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
    介电组合物，电介质元件，电子元件和层压电子元件

    公开(公告)号：WO2017012790A1

    公开(公告)日：2017-01-26

    申请号：PCT/EP2016/063850

    申请日：2016-06-16

    Applicant: EPCOS AG

    Inventor： HIROSE, Masakazu ,  TAUCHI, Goushi ,  IMURA, Tomoya ,  TERADA, Tomohiro

    IPC: H01G4/12 ,  C04B35/475 ,  C04B35/47 ,  C04B35/462 ,  C04B35/465

    CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/1218

    Abstract: The problem addressed lies in providing a dielectric composition which has a good dielectric constant when a DC bias is applied and good DC bias characteristics, and which also has a good high- temperature load lifespan and good mechanical strength; and also in providing a dielectric element employing said dielectric composition, an electronic component and a laminated electronic component. A dielectric composition comprising particles having a perovskite crystal structure including at least Bi, Na, Sr and Ti. Said dielectric composition includes between 0.5 molar parts and 11.1 molar parts of at least one selected from among La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Yb, Ba, Ca, Mg and Zn, taking Ti as 100 molar parts. 0.17 ≤ α ≤ 2.83, where α is the molar ratio of Bi with respect to Sr. At least some of the particles include a low-Bi phase having a Bi concentration of no greater than 0.8 times the mean Bi concentration of the dielectric composition as a whole. The total surface area of the low-Bi phase within the particles is between 0.1% and 15% of the total surface area of the particles.

    Abstract translation: 所提出的问题在于提供一种介电组合物，其在施加直流偏压时具有良好的介电常数，并具有良好的直流偏压特性，并且还具有良好的高温负载寿命和良好的机械强度; 并且还提供采用所述电介质组合物，电子部件和层压电子部件的电介质元件。 一种电介质组合物，其包含具有至少包含Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的颗粒。 所述电介质组合物包含0.5摩尔份和11.1摩尔份的选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Yb，Ba，Ca，Mg和Zn中的至少一种， Ti为100摩尔份。 0.17≤α≤2.83，其中α是Bi相对于Sr的摩尔比。至少一些颗粒包括Bi浓度不大于电介质组合物的平均Bi浓度的0.8倍的低Bi相， 整个。 颗粒内的低Bi相的总表面积在颗粒的总表面积的0.1％至15％之间。

    誘電体磁器組成物、および誘電体素子
    59.
    发明申请
    誘電体磁器組成物、および誘電体素子 审中-公开
    电介质陶瓷组合物和电介质元件

    公开(公告)号：WO2014156301A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/JP2014/052479

    申请日：2014-02-04

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 田内　剛士 ,  井村　友哉 ,  古川　正仁

    IPC: C04B35/475 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/77 ,  G06F17/10 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

    Abstract: 【課題】１５０℃以上の高温度下において３０００以上の高い誘電率を有し、さらに直流印加電界２Ｖ／μｍにおける比誘電率が実用上十分大きい誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた誘電体素子を提供すること。 【解決手段】下記式（１）で表される複合酸化物である誘電体磁器組成物。　｛［（Ｂｉ ｓ Ｎａ ｔ ） ａ 　（Ｂｉ ｕ Ｋ ｖ ） ｂ Ｂａ ｃ ］ １－ｄ Ｎａ ｄ ｝ ｘ Ｔｉ １－ｄ Ｎｂ ｄ Ｏ ３ …（１）　［式（１）中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ及びｘは、それぞれ、下記式を満たす数である。］　０．２０≦ａ＜０．９５　０．００＜ｂ≦０．５０　０．２０＜ａ＜０．７０のとき、ｂ＜（１．２０－ａ）／２　０．０５≦ｃ＜０．６０　０．２０＜ａ＜０．７０のとき、ｃ＞（０．８０－ａ）／２　ａ＋ｂ＋ｃ＝１　０．０２≦ｄ＜０．１０　０．９０≦ｓ＋ｕ≦１．００　０．４５≦ｔ≦０．５０　０．４５≦ｖ≦０．５０　０．９５≦ｘ≦１．０５

    Abstract translation: 本发明提供：在150℃以上的高温下具有3000以上的高介电常数且在2V /μm的直流施加电场下具有足够的相对介电常数的电介质陶瓷组合物， 以及使用该介电陶瓷组合物的电介质元件。 [溶液]作为由式（1）表示的复合氧化物的电介质陶瓷组合物。 {[（BisNat）a（BiuKv）bBac] 1-dNad} xTi1-dNbdO3 ...（1）[式1中，a，b，c，d，s，t，u，v和x分别为 ]0.20≤a<0.95 0.00 （0.80-a）/ 2时， a <0.70 a + b + c = 10.02≤d<0.100.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05

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