公开(公告)号：WO2019106052A1

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：PCT/EP2018/082904

申请日：2018-11-28

申请人： REFRATECHNIK HOLDING GMBH

发明人： JANSEN, Helge ,  ANEZIRIS, Christos Georgios ,  JAHN, Constantin

IPC分类号： C04B35/482 ,  C04B35/626 ,  C04B35/66 ,  B22D41/00 ,  B22D41/02 ,  F23M5/00 ,  F27D1/00 ,  C01G25/00 ,  C01G25/02 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/66 ,  B22D41/02 ,  B22D41/32 ,  C01G25/00 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/48 ,  C04B35/482 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6583 ,  F23M5/00 ,  F27B14/10 ,  F27D1/0006

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Syntheseverfahren zur Herstellung eines feuerfesten oxidkeramischen Werkstoffes aus CaZrO 3 , insbesondere in Form einer feuerfesten, vorzugsweise mechanisch zerkleinerten, insbesondere gebrochenen und/oder gemahlenen, Körnung, sowie einen Versatz und ein grobkeramisches geformtes oder ungeformtes feuerfestes Erzeugnis enthaltend zumindest eine vorsynthetisierte calciumzirkonathaltige feuerfeste Körnung.

公开(公告)号：WO2018062694A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/KR2017/009262

申请日：2017-08-24

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 김종우 ,  백두현 ,  류창석 ,  손부원 ,  최광욱

IPC分类号： H01M8/124

CPC分类号： H01M8/1246 ,  B32B18/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/26 ,  C04B35/488 ,  C04B35/50 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5445 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/124 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2250/10 ,  H01M2250/20 ,  H01M2300/0077 ,  Y02P70/56

摘要： 본 명세서는 고체 산화물 연료전지의 전해질, 이를 포함하는 고체 산화물 연료전지, 상기 전해질용 조성물 및 상기 전해질의 제조방법에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明涉及固体氧化物燃料电池的电解质，包含该固体氧化物燃料电池的固体氧化物燃料电池，用于该电解质的组合物以及用于制造该电解质的方法。

公开(公告)号：WO2018011645A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/IB2017/053577

申请日：2017-06-16

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： YAMAZAKI, Shunpei ,  NAKASHIMA, Motoki ,  BABA, Haruyuki

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B28B1/008 ,  B28B11/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/02 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel metal oxide or a novel sputtering target is provided. A sputtering target includes a conductive material and an insulating material. The insulating material includes an oxide, a nitride, or an oxynitride including an element M1. The element M1 is one or more kinds of elements selected from Al, Ga, Si, Mg, Zr, Be, and B. The conductive material includes an oxide, a nitride, or an oxynitride including indium and zinc. A metal oxide film is deposited using the sputtering target in which the conductive material and the insulating material are separated from each other.

摘要翻译： 提供了一种新型金属氧化物或新型溅射靶。 溅射靶包括导电材料和绝缘材料。 绝缘材料包括包含元素M1的氧化物，氮化物或氮氧化物。 元素M1是选自Al，Ga，Si，Mg，Zr，Be和B中的一种或多种元素。导电材料包括包含铟和锌的氧化物，氮化物或氮氧化物。 使用其中导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶沉积金属氧化物膜。

公开(公告)号：WO2017114777A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/EP2016/082536

申请日：2016-12-23

申请人： DENTSPLY SIRONA INC. ,  DEGUDENT GMBH

发明人： WONDRACZEK, Lothar ,  MÜLLER, Lenka

IPC分类号： A61C13/00 ,  C04B35/486

CPC分类号： C04B41/457 ,  A61C5/10 ,  A61C13/0003 ,  A61C13/0022 ,  B28B3/00 ,  B28B11/24 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5042 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/616

摘要： The invention relates to a method for the production of a shaped body comprising at least the method steps of producing a blank having an open porosity by pressing and treating pourable material in a first heat treatment step comprising or consisting of a metal oxide, such as zirconium dioxide, infiltrating the blank with an infiltration fluid containing a precursor of the metal oxide, precipitating hydroxide of the metal from the infiltration fluid by treating the blank with a basic solution, forming the metal oxide from the hydroxide by treating the blank in a second heat treatment step, wherein the blank is processed before or after the second heat treatment step to achieve a shape that corresponds to the shaped body.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产成型体的方法，该方法至少包括以下方法步骤：通过在第一热处理步骤中对可倾倒材料进行压制和处理来生产具有开孔率的坯料，所述第一热处理步骤包括或组成 的金属氧化物如二氧化锆，用含有金属氧化物前体的渗透流体渗透坯料，通过用碱性溶液处理坯料使金属的氢氧化物从渗透流体中沉淀，由氢氧化物形成金属氧化物 通过在第二热处理步骤中处理坯件，其中在第二热处理步骤之前或之后处理坯件以获得与成形体相对应的形状。

公开(公告)号：WO2017114776A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/EP2016/082531

申请日：2016-12-23

申请人： DENTSPLY SIRONA INC. ,  DEGUDENT GMBH

发明人： VÖLKL, Lothar ,  FECHER, Stefan ,  KUTZNER, Martin ,  OEFNER, Tanja

IPC分类号： A61C13/00 ,  A61C13/083 ,  A61C13/09 ,  A61C5/73 ,  A61C5/77 ,  C04B35/48

CPC分类号： A61C13/0022 ,  A61C5/73 ,  A61C5/77 ,  A61C8/0013 ,  A61C13/081 ,  A61C13/082 ,  A61C13/083 ,  A61C13/09 ,  B28B3/021 ,  B32B18/00 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/84

摘要： The invention relates to a method for the preparation of a blank of a ceramic material, wherein a first ceramic material and then a second ceramic material of different compositions are filled into a die and wherein the materials are pressed and after pressing are sintered. A layer of the first ceramic material is thereby filled into the die and a first cavity formed in the layer, the second ceramic material is then filled into the first open cavity and the materials pressed together and then heat-treated.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制备陶瓷材料坯件的方法，其中将第一陶瓷材料和不同组成的第二陶瓷材料填充到模具中，并且其中材料被压制 并在压制后烧结。 由此将第一陶瓷材料层填充到模具中，并在该层中形成第一空腔，然后将第二陶瓷材料填充到第一空腔中，并将材料压制在一起然后进行热处理。

公开(公告)号：WO2017089575A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：PCT/EP2016/078867

申请日：2016-11-25

申请人： THALES

发明人： LEBOURGEOIS, Richard ,  QASSYM, Lilia

IPC分类号： C01G49/00 ,  C01F17/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/626 ,  H01F1/34 ,  H01F10/24

CPC分类号： C01G49/0018 ,  C01G49/0036 ,  C01G49/0054 ,  C01P2002/30 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/2675 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/77 ,  H01F1/346 ,  H01F10/24

摘要： L'invention a pour objet un matériau ferrite de structure grenat à très faible aimantation à saturation caractérisé en ce qu'il répond à la formule chimique suivante : Y a TR b Bi b' Fe c Al d ln e Ca f Cu g Zr h V i CO j Si k O 12±γ avec TR : une terre rare ou une combinaison de terres rares et : -1 ≤ γ ≤ 1; 3 (a+b+b'+c+d+e) + 2 (f+g+j) + 4 (h+k) + 5i = 24±2γ 1 ≤ a ≤ 3,5; 0 ≤ b ≤ 1,5; 0

摘要翻译： 本发明的主题是石榴石结构的铁氧体材料。 非常低的磁化强度＆amp; 饱和度特征＆eacute; 因为它重置 化学式如下：Y _{B b d LN <子>电子的Ca <子>˚F铜<子>克锆<子>ħ V <子> I CO <子> j如果 <12>与TR：稀土元素或稀土元素的组合，并且：-1≤γ≤1; 3（a + b + b'+ c + d + e）+2（f + g + j）+4（h + k）+ 5i = 24 +2γ1≤a≤3.5; 0≤b≤1.5; 0 < b'≤1; 4≤c≤5; 0≤d≤1.5; 0≤e≤0.8; 0≤f≤1; 0 < g < 0.05; 0≤i≤0.8; 0≤j≤0.5; 0≤k≤0.5。 b + d≥1.2。 本发明还涉及包含所述本发明材料和石榴石结构的磁性铁氧体材料的组件。}

公开(公告)号：WO2017087474A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/US2016/062210

申请日：2016-11-16

申请人： COORSTEK, INC.

发明人： SIMPSON, Matthew ,  DIVAKAR, Ramesh ,  FILER, Alan

IPC分类号： B32B18/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C04B35/645

CPC分类号： H01J37/32477 ,  B32B18/00 ,  C04B35/10 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2235/9669 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/567 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719

摘要： A corrosion-resistant component (100) configured for use with a semiconductor processing reactor, the corrosion-resistant component comprising: a) a ceramic insulating substrate(110); and, b) a corrosion-resistant non-porous layer (120) associated with the ceramic insulating substrate, the corrosion-resistant non-porous layer having a composition comprising at least 15% by weight of a rare earth compound based on total weight of the corrosion-resistant non-porous layer; and, the corrosion-resistant non-porous layer characterized by a microstructure substantially devoid of microcracks and fissures, and having an average grain size of at least about 100 nm and at most about 100 μm. Assemblies including corrosion-resistant components and methods of making are also disclosed.

摘要翻译： （100），所述耐腐蚀组件（100）被配置为与半导体处理反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a）陶瓷绝缘衬底（110）; 和b）与所述陶瓷绝缘基底相关的耐腐蚀无孔层（120），所述耐腐蚀无孔层具有包含基于所述陶瓷绝缘基底的总重量的至少15重量％的稀土化合物 耐腐蚀无孔层; 和耐腐蚀无孔层b，其特征在于微观结构基本上没有微裂纹和裂缝，并且具有至少约100nm并且至多约100μm的平均晶粒尺寸。 还公开了包括耐腐蚀组件和制造方法的组件。

公开(公告)号：WO2017059838A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/DE2016/000332

申请日：2016-08-27

申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH

发明人： MA, Qianli ,  TIETZ, Frank ,  NAQASH, Sahir ,  GUILLON, Olivier

IPC分类号： C01B25/30 ,  C01B33/32 ,  C04B35/16 ,  C04B35/447 ,  H01B1/06 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0562

CPC分类号： H01B1/06 ,  C01B25/26 ,  C01B33/32 ,  C04B35/16 ,  C04B35/447 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0562

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Elektrolytmaterial mit einer NASICON-Struktur basierend auf einer Na 2+x Sc x Zr 2.x (S i 0 4 ) 2 (P0 4 )-Verbindung mit 0 ≤, x 2+x Sc x Zr 2-x (Si0 4 ) 2 (P0 4 )-Verbindung mit 0 ≤ x ≤ 0,6, weist eine Partikelgröße kleiner als 0,1 μm und vorteilhaft eine ionische Leitfähigkeit von mehr als 1 · 10 -3 S/cm bei 25 °C auf. Für Natriumionen-leitendes Pulver mit 0,3 ≤ x ≤, 0,6 konnten sogar ionische Leitfähigkeiten von mehr als 3 · 10 3 S/cm bei 25 °C ermittelt werden. Das so hergestellte Pulver kann vorteilhaft anschließend gemahlen und verpresst werden. Als dichte Membran findet dieses Material insbesondere vorteilhaft Verwendung für Feststoff-Natriumionenbatterien.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产具有基于NA2 + xScxZr2.x（的SiO 4）2（PO 4）化合物，其中0≤X <2，其中最初设置的酸性水溶液钠超离子导体结构的电解材料的， 溶解于钠，钪，并且在根据以溶解形式的期望的化学计量的水溶性硝酸盐，乙酸盐或碳酸盐，以及可溶性硅酸盐或邻 - 硅酸或有机硅化合物的形式锆。 然后，磷酸或磷酸铵二氢或其它可溶性磷酸盐根据期望的化学计量，其中Zirkoniumdioxidphosphate复杂的形式如胶态的沉淀物加入。 然后将含有沉淀的混合物，干燥并煅烧。 因此，钠离子导电粉末制备具有钠超离子导体结构包括NA2 + xScxZr2-X（的SiO 4）2（PO 4）化合物与0≤X≤0.6，具有粒径大于0.1微米小，并且有利的离子 大于1×10 -3 S / cm的电导率在25℃下 对于钠离子导电粉末与0.3≤X≤可确定0.6在25℃超过3·103 S /厘米甚至离子电导率。 由此制得的粉末可以有利地然后研磨和挤压。 作为致密膜，该材料是特别有利的用途的固体钠离子电池。

公开(公告)号：WO2017026285A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/JP2016/072041

申请日：2016-07-27

申请人： 日本電気硝子株式会社

发明人： 池尻　純一 ,  山内　英郎 ,  佐藤　史雄

IPC分类号： H01M10/0562 ,  C04B35/113 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M10/054

CPC分类号： H01M10/0562 ,  C04B35/10 ,  C04B35/113 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/604 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M10/054 ,  H01M2300/0071

摘要： イオン伝導値が高い薄型のベータアルミナ系固体電解質シートを提供する。　β－アルミナ及び／またはβ''－アルミナを含有し、厚みが１ｍｍ以下であり、かつ空隙率が２０％以下であることを特徴とする固体電解質シート。

摘要翻译： 提供具有高离子传导值的薄型β-氧化铝基固体电解质片。 固体电解质片的特征在于含有厚度为1mm以下，空隙率为20％以下的β-氧化铝和/或β“ - 氧化铝。

公开(公告)号：WO2016194416A9

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/JP2016055376

申请日：2016-02-24

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： DANDA MAYU ,  OKAMURA KATSUMI ,  KUKINO SATORU

IPC分类号： C04B35/583 ,  B23B27/14

CPC分类号： C04B35/5831 ,  B23B27/14 ,  B23B27/148 ,  B23B2224/04 ,  B23B2226/125 ,  B23B2228/44 ,  B23C5/20 ,  B23C2224/04 ,  B23C2226/125 ,  B23C2228/49 ,  C01F7/34 ,  C01F7/36 ,  C01G25/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/4885 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567

摘要： This sintered body has a first material, a second material, and a third material. The first material is a cubic boron nitride. The second material is a compound including zirconium. The third material is an aluminum oxide which includes fine aluminum oxide. The sintered body has a first region in which the fine aluminum oxide is dispersed in an amount of 5% to 50% by volume in the second material. Along any straight line in the first region, an average value of a continuous distance occupied by the fine aluminum oxide is 0.08 μm or less, and a standard deviation of the continuous distance occupied by the fine aluminum oxide is 0.1 μm or less.

摘要翻译： 该烧结体具有第一材料，第二材料和第三材料。 第一种材料是立方氮化硼。 第二种材料是包括锆的化合物。 第三种材料是包括细氧化铝的氧化铝。 所述烧结体具有在所述第二材料中分散有5〜50体积％的微细氧化铝的第一区域。 沿着第一区域的任何直线，由氧化铝微粒占据的连续距离的平均值为0.08μm以下，由氧化铝微粉所占的连续距离的标准偏差为0.1μm以下。