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    感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    73.
    发明申请
    感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 审中-公开
    活性光敏或辐射敏感组合物，耐蚀膜，图案形成方法，耐光涂布掩模，生产光电子产品的方法，光电子产品，制造电子器件的方法和电子设备，其中每个使用有效的敏感或辐射敏感性 组成

    公开(公告)号：WO2015045876A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：PCT/JP2014/073959

    申请日：2014-09-10

    申请人： 富士フイルム株式会社

    发明人： 山口　修平

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F1/50 ,  G03F1/78 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/322

    摘要： 　本発明は、（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｐ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物、及び、（Ｎ）下記〔Ｎ－Ａ〕、〔Ｎ－Ｂ〕及び〔Ｎ－Ｃ〕からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性組成物により、極微細（例えば、線幅５０ｎｍ以下）なパターンの形成において、高い解像力、優れたパターン形状及び低いラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を同時に高次元で満足できる感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。　〔Ｎ－Ａ〕　酸、活性光線若しくは放射線、又は、活性種の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が減少する樹脂　〔Ｎ－Ｂ〕　活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、かつ酸、活性光線若しくは放射線、又は、活性種の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が減少する化合物　〔Ｎ－Ｃ〕　酸、活性光線若しくは放射線、又は、活性種の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が減少する低分子化合物

    摘要翻译： 本发明提供：主动光敏或辐射敏感组合物，其包含（A）通过活性光或辐射的照射产生酸的化合物，（P）化合物，其在碱性显影液中的溶解度增加， 酸和（N）至少一种选自化合物[NA]，[NB]和[NC]的化合物的作用，并且能够形成超细图案（例如，具有线宽度 50nm以下），同时满足高分辨率，优异的图案形状和低线宽粗糙度（LWR）; 抗蚀剂膜，图案形成方法，抗蚀剂涂布掩模毛坯，光掩模的制造方法，光掩模，电子器件的制造方法和电子器件，其中每个使用该有源光敏或辐射 敏感组成。 [NA]通过酸，活性光，辐射或活化物质的作用，其在碱性显影液中的溶解度降低。[NB]通过照射活性光或辐射产生酸的化合物，以及 在碱性显影液中的酸性，活性光，辐射或活性物质[NC]低分子量化合物的作用降低，其在碱性显影液中的溶解度通过酸活性降低 光，辐射或活化物种

    感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ＥＬ表示装置
    74.
    发明申请
    感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ＥＬ表示装置 审中-公开
    感光性树脂组合物，固化膜的制造方法，固化膜，液晶显示装置和有机EL显示装置

    公开(公告)号：WO2015033879A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：PCT/JP2014/072871

    申请日：2014-09-01

    申请人： 富士フイルム株式会社

    发明人： 山田　悟 ,  真崎　慶央

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/311 ,  H01L27/3258

    摘要： 　高い感度を維持しつつ、耐薬品性を良好にし、かつ保存安定性に優れる感光性樹脂組成物、ならびに、これを用いた硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ＥＬ表示装置の提供。　（Ａ）（１）および（２）の少なくとも一方を満たす重合体を含む重合体成分、（１）（ａ１）酸基がアセタール基で保護された基を有する構成単位、および（ａ２）架橋性基を有する構成単位を有する重合体、（２）上記構成単位（ａ１）を有する重合体および上記構成単位（ａ２）を有する重合体、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）エーテル結合および／またはエステル結合を有し、アルコール性水酸基を有さない溶剤、を含み、全溶剤量に対するアルコール性水酸基を有する溶剤の含有量が１～５０ｐｐｍである感光性樹脂組成物。

    摘要翻译： 提供：具有改善的耐药性和优异的储存稳定性，同时保持高灵敏度的感光性树脂组合物; 使用该感光性树脂组合物的固化膜的制造方法; 固化膜; 液晶显示装置; 和有机EL显示装置。 一种感光性树脂组合物，其含有（A）含有属于下述（1）和/或（2）类别的聚合物的聚合物组分，（B）光酸产生剂和（C）具有醚键的溶剂 和/或酯键，但不具有醇羟基。 具有醇羟基的溶剂相对于溶剂总量的含量为1-50ppm。 （1）具有（a1）具有酸基被缩醛基保护的基团的构成单元的聚合物，（a2）具有交联性基团的构成单元（2）具有构成单元（a1）的聚合物和 具有构成单元（a2）的聚合物

    積層体
    75.
    发明申请
    積層体 审中-公开
    层压体

    公开(公告)号：WO2015025949A1

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：PCT/JP2014/071977

    申请日：2014-08-22

    申请人： 富士フイルム株式会社

    发明人： 加持　義貴 ,  小山　一郎 ,  岩井　悠 ,  中村　敦

    IPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11

    CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325

    摘要： 　有機半導体上に良好なパターンを形成可能な積層体の提供。　有機半導体膜の表面に、少なくとも水溶性樹脂膜および化学増幅型感光性樹脂組成物からなるレジスト膜をこの順に有する積層体であって、化学増幅型感光性樹脂組成物は、波長３６５ｎｍにおいて１００ｍJ／ｃｍ 2 以上露光すると８０モル％以上分解する光酸発生剤を含有し、露光部が有機溶剤を含む現像液に難溶となることでマスクパターンを形成でき、マスクパターンを形成後エッチングのマスクとして利用する、積層体。

    摘要翻译： 本发明提供能够在有机半导体上形成优异图案的层叠体。 在有机半导体膜的表面上具有至少具有以下顺序的至少水溶性树脂膜和抗蚀剂膜的层叠体，所述抗蚀剂膜包含化学增幅感光性树脂组合物，其中，所述化学增幅感光性树脂组合物含有光致酸产生剂， 当以100mJ / cm 2或更高的速率暴露于波长365nm的光时溶解80mol％或更多，允许当暴露部分在含有机溶剂的显影剂中不溶时形成掩模图案， 形成后的掩模图案用作蚀刻掩模。

    パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    76.
    发明申请
    パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 审中-公开
    图案形成方法，主动感光或辐射敏感性树脂组合物，耐蚀膜，使用其的电子器件的制造方法和电子设备

    公开(公告)号：WO2015015946A1

    公开(公告)日：2015-02-05

    申请号：PCT/JP2014/066448

    申请日：2014-06-20

    申请人： 富士フイルム株式会社

    发明人： 滝沢　裕雄 ,  鶴田　拓也 ,  土村　智孝

    IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F212/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/325 ,  C08F12/22 ,  C08F12/32 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2059

    摘要： 　（１）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を活性光線又は放射線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することと、を含んだパターン形成方法であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、芳香環を有する特定構造の繰り返し単位と、酸分解性基を有する特定構造の繰り返し単位と、架橋性基を有する特定構造の繰り返し単位とを有する樹脂を含有する、パターン形成方法により、超微細領域（例えば線幅５０ｎｍ以下の領域）において、高感度、高解像性（高解像力など）、高いラフネス性能、膜べり低減性能、高い露光ラチチュード、及び、高いドライエッチング耐性を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、これに供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。

    摘要翻译： 提供了一种图案形成方法，其包括：（1）使用有源光敏性或辐射敏感性树脂组合物形成膜，（2）将膜暴露于活性光或辐射，以及（3）显影已经被 使用含有有机溶剂的显影液暴露于光; 利用包含具有芳环的特定结构的重复单元的树脂组合物，具有酸分解性基团的具体结构的重复单元和重复单元的活性的光敏性或辐射敏感性树脂组合物 具有可交联基团的具体结构; 同时实现高精度，高分辨率（高清晰度等），高粗糙度性能，薄膜变薄降低性能，高曝光宽容度，以及超精细区域中极高水平的高耐干蚀刻性（例如， 线宽度为50nm以下的区域）。 还提供了主动感光或辐射敏感性树脂组合物，抗蚀剂膜，使用其的电子器件的制备方法和利用图案形成方法的电子器件。

    半導体製造プロセス用レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
    78.
    发明申请
    半導体製造プロセス用レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス 审中-公开
    半导体制造工艺的耐蚀组合物; 耐腐蚀薄膜，耐光漆面膜，照相机和电阻图案使用耐磨组合物; 电子设备制造方法; 和电子设备

    公开(公告)号：WO2015008594A1

    公开(公告)日：2015-01-22

    申请号：PCT/JP2014/066876

    申请日：2014-06-25

    申请人： 富士フイルム株式会社

    发明人： 土村　智孝 ,  崎田　享平

    IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F1/50 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

    摘要： 　線幅５０ｎｍ以下の極微細なパターン形成において、感度及び解像力が高く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない半導体製造プロセス用レジスト組成物を提供する。　（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物。上記一般式（Ｉ）中、　Ｒ １ は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ ２ は、１価の有機基を表す。Ｒ ３ ～Ｒ ６ は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ ３ とＲ ４ 、Ｒ ４ とＲ ５ 、又はＲ ５ とＲ ６ が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于半导体制造工艺的抗蚀剂组合物。 当形成线宽度为50nm以下的超细纹图案时，所述抗蚀剂组合物产生优异的图案形状并且显示出高灵敏度和分辨率，低线边缘粗糙度（LER），优异的稳定性随时间推移，并且少量除气。 所述抗蚀剂组合物含有可由通式（I）表示的化合物（A）。 在通式（I）中，R 1表示烷基，环烷基或芳基; R2表示一价有机基团; R 3至R 6各自表示氢原子，烷基，环烷基，芳基或卤素原子; R 3和R 4，R 4和R 5，或R 5和R 6可以彼此结合以形成脂环或芳环; X表示氧原子或硫原子。

    リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法
    80.
    发明申请
    リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 审中-公开
    用于使用相同的图形和图案形成方法的冲洗液

    公开(公告)号：WO2014181748A1

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：PCT/JP2014/062046

    申请日：2014-05-01

    申请人： アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

    发明人： 松浦　裕里子 ,  露木　紗羅 ,  能谷　剛

    IPC分类号： G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0276

    摘要： 　下記式（Ｉ）で表されるノニオン系界面活性剤（式中、Ｒ １ 、Ｒ ２ は、同一でも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基を表し、Ｒ ３ 、Ｒ ４ は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｒ ５ は、二重結合または三重結合を含む炭素数２～５の炭化水素基またはフェニレン基を表し、Ｒ ６ 、Ｒ ７ は同一でも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基を表す。）と水とを含むリソグラフィー用リンス液を用い、感光性樹脂を露光、現像して得られた微細レジストパターンをリンスすることにより、パターン倒れ、パターン欠陥、線幅バラツキ、パターンメルティングのないレジストパターンを形成する。 式（Ｉ）：

    摘要翻译： 通过使用含有非离子表面活性剂的光刻用清洗液冲洗通过曝光和显影感光性树脂获得的精细抗蚀剂图案，形成没有图案塌陷，图案缺陷，线宽变化和图案熔化的抗蚀剂图案。 由式（I）表示的表面活性剂和水。 （式中，R 1和R 2可以相同或不同，各自表示氢原子或甲基; R 3和R 4可以相同或不同，表示氢原子，甲基或乙基; R 5 表示具有2-5个碳原子并含有双键或三键的烃基或亚苯基; R 6和R 7可以相同或不同，各自表示氢原子或甲基。