中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

943 records (took 0.019 seconds)

    薄膜晶体管及其制作方法
    4.
    发明申请
    薄膜晶体管及其制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018014385A1

    公开(公告)日：2018-01-25

    申请号：PCT/CN2016/094682

    申请日：2016-08-11

    Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

    Inventor： 刘洋

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869

    Abstract: 一种薄膜晶体管，其包括：在基板（1）上的栅极（2）、栅极绝缘层（3）、设置于栅极绝缘层（3）的凸起部（31）的两端的第一有源层（4a）和第二有源层（4b）、分别与第一有源层（4a）和第二有源层（4b）接触的第一源极（5a）和第二源极（5b）、钝化层（6）、钝化层（6）中的第一过孔（6a）和第二过孔（6b）、在所述钝化层（6）上且分别通过第一过孔（6a）和第二过孔（6b）与第一有源层（4a）和第二有源层（4b）接触的漏极（7），漏极（7）与第一有源层（4a）的接触平面与第一源极（5a）与第一有源层（4a）的接触平面之间的距离等于凸起部（31）的高度，漏极（7）与第二有源层（4b）的接触平面与第二源极（5b）与第二有源层（4b）的接触平面之间的距离等于凸起部（31）的高度。

    COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR AND TRANSISTOR
    6.
    发明申请
    COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR AND TRANSISTOR 审中-公开
    复合氧化物半导体和晶体管

    公开(公告)号：WO2017199130A1

    公开(公告)日：2017-11-23

    申请号：PCT/IB2017/052714

    申请日：2017-05-10

    Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： YAMAZAKI, Shunpei ,  HOSAKA, Yasuharu ,  SHIMA, Yukinori ,  KOEZUKA, Junichi ,  OKAZAKI, Kenichi

    IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08

    CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    Abstract: A novel material is provided. A composite oxide semiconductor includes a first region and a second region. The first region contains indium. The second region contains an element M (the element M is one or more of Ga, Al, Hf, Y, and Sn). The first region and the second region are arranged in a mosaic pattern. The composite oxide semiconductor further includes a third region. The element M is gallium. The first region contains indium oxide or indium zinc oxide. The second region contains gallium oxide or gallium zinc oxide. The third region contains zinc oxide.

    Abstract translation:

    提供了一种新型材料。 复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。 第一个区域包含铟。 第二区域包含元素M（元素M是Ga，Al，Hf，Y和Sn中的一种或多种）。 第一区域和第二区域以马赛克图案排列。 复合氧化物半导体还包括第三区域。 元素M是镓。 第一区域包含氧化铟或氧化铟锌。 第二区域含有氧化镓或氧化镓锌。 第三个区域含有氧化锌。

    薄膜トランジスタ
    8.
    发明申请
    薄膜トランジスタ 审中-公开
    薄膜晶体管

    公开(公告)号：WO2017179504A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：PCT/JP2017/014516

    申请日：2017-04-07

    Applicant: シャープ株式会社

    Inventor： 宮本　忠芳 ,  織田　明博

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    Abstract: ゲートドライバＴＦＴ３０は、ゲート電極３０ａと、ゲート電極３０ａに対してゲート絶縁膜１６を介して重畳し半導体膜である酸化物半導体膜１７からなるチャネル部３０ｄと、チャネル部３０ｄの一端側に接続されるソース電極３０ｂと、チャネル部３０ｄの他端側に接続されるドレイン電極３０ｃと、チャネル部３０ｄのうち、ソース電極３０ｂまでの距離Ｌ２よりもドレイン電極３０ｃまでの距離Ｌ１の方が大きくなる位置に接続される中間電極２２と、を備える。

    Abstract translation:

    TFT30具有栅极电极30A，由氧化物半导体膜17的沟道部30d栅极驱动器通过栅极叠加半导体膜绝缘膜16与栅电极30A中，信道 源电极30B被连接到部分30d的一端，和漏极电极30C被连接到通道部分30d的另一端，通道部分30d的，到漏电极30c的比距离L2到源电极30b的 并且连接到距离L1较大的位置的中间电极22。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
    9.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    半导体装置和包括半导体装置的显示装置

    公开(公告)号：WO2017115214A1

    公开(公告)日：2017-07-06

    申请号：PCT/IB2016/057801

    申请日：2016-12-20

    Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： MIYAKE, Hiroyuki ,  OKAZAKI, Kenichi ,  HOSAKA, Yasuharu ,  SHIMA, Yukinori

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/005

    Abstract: Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device comprises a first transistor and a second transistor. The first transistor comprises a first gate electrode; a first insulating film over the first gate electrode; a first oxide semiconductor film over the first insulating film; a first source electrode and a first drain electrode over the first oxide semiconductor film; a second insulating film over the first oxide semiconductor film, the first source electrode, and the first drain electrode; and a second gate electrode over the second insulating film. The second transistor comprises a first drain electrode; the second insulating film over the second drain electrode; a second oxide semiconductor film over the second insulating film; a second source electrode and a second drain electrode over the second oxide semiconductor film; a third insulating film over the second oxide semiconductor film, the second source electrode, and the second drain electrode; and a third gate electrode over the third insulating film. The first oxide semiconductor film partly overlaps with the second oxide semiconductor film.

    Abstract translation: 提供了一种新颖的半导体器件。 该半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管包括第一栅电极; 在第一栅电极上的第一绝缘膜; 在第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜; 在所述第一氧化物半导体膜上的第一源电极和第一漏电极; 在第一氧化物半导体膜，第一源电极和第一漏电极之上的第二绝缘膜; 以及在第二绝缘膜上的第二栅电极。 第二晶体管包括第一漏电极; 在第二漏电极上的第二绝缘膜; 在第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜; 所述第二氧化物半导体膜上的第二源电极和第二漏电极; 在所述第二氧化物半导体膜，所述第二源电极和所述第二漏电极之上的第三绝缘膜; 以及在第三绝缘膜上的第三栅电极。 第一氧化物半导体膜部分地与第二氧化物半导体膜重叠。

    半導体装置の製造方法及び半導体装置
    10.
    发明申请
    半導体装置の製造方法及び半導体装置 审中-公开
    制造半导体器件和半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2017081727A1

    公开(公告)日：2017-05-18

    申请号：PCT/JP2015/081495

    申请日：2015-11-09

    Applicant: ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド ,  舛岡 富士雄 ,  中村 広記 ,  原田 望

    Inventor： 舛岡　富士雄 ,  中村　広記 ,  原田　望

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

    Abstract: ゲート電極を形成後、柱状半導体層を形成する半導体装置の製造方法もしくは、その結果としての半導体装置を提供することを目的とする。　基板上に形成された平面状半導体層上に第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を堆積し、前記第２の絶縁膜にゲート電極を形成するための第１の孔を形成し、前記第１の孔に第１の金属を埋め込むことにより前記ゲート電極を形成し、前記ゲート電極の上面且つ前記第１の孔の側面に第３の絶縁膜からなるサイドウォールを形成し、前記第３の絶縁膜からなるサイドウォールをマスクとしてエッチングをすることにより前記ゲート電極と前記第１の絶縁膜に第２の孔を形成し、前記第２の孔の側面にゲート絶縁膜を形成し、前記第２の孔に前記平面状半導体層から半導体層をエピタキシャル成長させることにより第１の柱状半導体層を形成することを特徴とすることにより上記課題を解決する。

    Abstract translation: 在形成后

    栅电极，制造半导体器件的用于形成柱状半导体层或一个目的是提供一种半导体器件的结果的方法。 第一绝缘膜和所述第二绝缘膜被沉积在衬底上形成的平面状半导体层上，形成用于形成在所述第二绝缘膜上的栅电极的第一孔，其中 栅电极是通过在第一孔中嵌入第一金属，以形成侧壁和第三绝缘膜的上表面的侧表面和栅电极的第一孔，所述第三上形成 由形成在所述栅电极和通过蚀刻作为掩膜的第一绝缘膜中的第二孔的绝缘膜的侧壁的，以形成一栅极上的第二孔的侧表面上的绝缘膜，所述 并且通过在第二孔中从平面半导体层外延生长半导体层来形成第一柱状半导体层。

Patent Agency Ranking