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    VARIABLE PATTERN SEPARATION GRID FOR PLASMA CHAMBER
    1.
    发明申请
    VARIABLE PATTERN SEPARATION GRID FOR PLASMA CHAMBER 审中-公开
    等离子体室可变模式分离网格

    公开(公告)号：WO2017123589A1

    公开(公告)日：2017-07-20

    申请号：PCT/US2017/012940

    申请日：2017-01-11

    Applicant: MATTSON TECHNOLOGY, INC.

    Inventor： NAGORNY, Vladimir ,  MA, Shawming ,  VANIAPURA, Vijay M. ,  PAKULSKI, Ryan M.

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273

    Abstract: Systems, methods, and apparatus for processing a substrate in a plasma processing apparatus using a variable pattern separation grid are provided. In one example implementation, a plasma processing apparatus can have a plasma chamber and a processing chamber separated from the plasma chamber. The apparatus can further include a variable pattern separation grid separating the plasma chamber and the processing chamber. The variable pattern separation grid can include a plurality grid plates. Each grid plate can have a grid pattern with one or more holes. At least one of the plurality of grid plates is movable relative to the other grid plates in the plurality of grid plates such that the variable pattern separation grid can provide a plurality of different composite grid patterns.

    Abstract translation: 提供了用于使用可变图案分离栅格在等离子体处理设备中处理衬底的系统，方法和设备。 在一个示例实施方式中，等离子体处理装置可具有等离子体室和与等离子体室分离的处理室。 该设备可以进一步包括分离等离子体腔室和处理腔室的可变图案分离栅格。 可变图案分离网格可以包括多个网格板。 每个网格板可以具有带有一个或多个孔的网格图案。 多个格栅板中的至少一个可相对于多个格栅板中的其他格栅板移动，使得可变图案分离格栅可提供多个不同的复合格栅图案。

    パターン構造の処理方法、電子デバイスの製造方法およびパターン構造の倒壊抑制用処理液
    2.
    发明申请
    パターン構造の処理方法、電子デバイスの製造方法およびパターン構造の倒壊抑制用処理液 审中-公开
    用于处理图案结构的方法，制造电子器件的方法以及用于抑制图案结构褶皱的处理方案

    公开(公告)号：WO2017010321A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：PCT/JP2016/069663

    申请日：2016-07-01

    Applicant: 富士フイルム株式会社

    Inventor： 水谷　篤史 ,  稲葉　正

    IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00

    CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B3/08 ,  B81C1/00 ,  C08K3/16 ,  C08K5/17 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/304

    Abstract: パターン構造の倒壊を抑制できるパターン構造の処理方法、上記処理方法を含む電子デバイスの製造方法およびパターン構造の倒壊抑制用処理液を提供する。上記パターン構造の処理方法は、無機材料によって構成されたパターン構造に、フッ素原子を含む繰り返し単位を有するフッ素系ポリマーを含有する処理液を付与する。

    Abstract translation: 提供了一种处理图案结构以防止图案结构塌缩的方法，包括所述方法的电子装置的制造方法和用于抑制图案结构塌陷的处理液。 在图案结构的处理方法中，将含有含有氟原子的重复单元的含氟聚合物的处理液涂布在由无机材料形成的图案结构体上。

    基板処理方法および基板処理装置
    4.
    发明申请
    基板処理方法および基板処理装置 审中-公开
    基板加工方法和基板加工装置

    公开(公告)号：WO2015141468A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：PCT/JP2015/056362

    申请日：2015-03-04

    Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

    Inventor： 奥谷　学

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742

    Abstract: 　基板処理装置では、一方の主面を上側に向けた状態で基板（９）が保持される。純水供給部（１８４）は、基板（９）の上面に純水を供給して上面上に純水の液膜を形成し、冷却ガス供給部（１８７）は、冷却ガスを上面に供給して液膜を凍結させる。溶剤含有ガス供給部（１８５）は、純水に対する可溶性を有し、融点が純水よりも低く、かつ、液体状態における蒸気圧が純水よりも高い溶剤の蒸気またはミストを含む溶剤含有ガスを生成し、凍結した液膜である凍結膜の表面に連続的に供給する。溶剤含有ガスを凍結膜に供給する際に、冷却プレートにより基板（９）の下面が冷却される。これにより、凍結膜の表面のみが徐々に融解して気化し、基板（９）上のパターンに対する純水の表面張力の影響を抑制しつつ、基板（９）上の純水を乾燥させることができる。

    Abstract translation: 在该基板处理装置中，将基板（9）保持为一个主面朝上。 纯水供给单元（184）向基板（9）的上表面供给纯水，在上表面形成纯水的液膜，冷却气体供给单元（187）向 上表面并冻结液膜。 含有溶剂的气体供给单元（185）产生含有溶剂的气体，其含有可溶于纯水并且熔点低于纯水的溶剂的蒸气或雾状物，液体中的蒸气压 状态高于纯水，并且将含溶剂的气体连续供给到作为冷冻液体的冷冻膜的表面。 当将含溶剂的气体供给到冷冻膜时，通过冷却板冷却基板（9）的下表面。 因此，只有冷冻膜的表面逐渐熔化并蒸发，使得能够干燥基材（9）上的纯水，同时抑制纯水对基材上的图案的表面张力的影响（ 9）。

    ENCAPSULATED CONFORMAL ELECTRONIC SYSTEMS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME
    6.
    发明申请
    ENCAPSULATED CONFORMAL ELECTRONIC SYSTEMS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME 审中-公开
    封装的同形电子系统和器件，以及制造和使用该器件的方法

    公开(公告)号：WO2015103580A2

    公开(公告)日：2015-07-09

    申请号：PCT/US2015/010236

    申请日：2015-01-06

    Applicant: MC10, INC.

    Inventor： MCMAHON, Nicholas ,  WANG, Xianyan ,  ELOLAMPI, Brian ,  KEEN, Bryan, D. ,  GARLOCK, David, G.

    IPC: H01L23/29

    CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L22/20 ,  H01L23/293 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5387 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Encapsulated conformal electronic devices, encapsulated conformal integrated circuit (IC) sensor systems, and methods of making and using encapsulated conformal electronic devices are presented herein. A conformal integrated circuit device is disclosed which includes a flexible substrate with electronic circuitry attached to the flexible substrate. A flexible encapsulation layer is attached to the flexible substrate. The flexible encapsulation layer encases the electronic circuitry between the flexible substrate and the encapsulation layer. For some configurations, the encapsulation layer and flexible substrate are fabricated from stretchable and bendable non-conductive polymers. The electronic circuitry may comprise an integrated circuit sensor system with multiple device islands that are electrically and physically connected via a plurality of stretchable electrical interconnects.

    Abstract translation: 本文给出了封装的保形电子器件，封装的保形集成电路（IC）传感器系统以及制造和使用封装的保形电子器件的方法。 公开了一种共形集成电路器件，其包括具有附接到柔性衬底的电子电路的柔性衬底。 柔性封装层附接到柔性衬底。 柔性封装层将柔性衬底和封装层之间的电子电路包围。 对于一些配置，封装层和柔性衬底由可拉伸和可弯曲的非导电聚合物制成。 电子电路可以包括具有多个器件岛的集成电路传感器系统，所述多个器件岛经由多个可拉伸电互连电和物理地连接。

    CLEANING FORMULATION FOR REMOVING RESIDUES ON SURFACES
    7.
    发明申请
    CLEANING FORMULATION FOR REMOVING RESIDUES ON SURFACES 审中-公开
    用于清除表面残留物的清洁配方

    公开(公告)号：WO2015084921A1

    公开(公告)日：2015-06-11

    申请号：PCT/US2014/068294

    申请日：2014-12-03

    Applicant: FUJIFILM ELECTRONIC MATERIALS U.S.A., INC.

    Inventor： TAKAHASHI, Tomonori ,  DU, Bing ,  WOJTCZAK, William A. ,  DORY, Thomas ,  KNEER, Emil A.

    IPC: B08B3/04 ,  C11D7/60

    CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5022 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31133

    Abstract: This disclosure relates to a cleaning composition that contains 1) at least one redox agent; 2) at least one first chelating agent, the first chelating agent being a polyaminopolycarboxylic acid; 3) at least one second chelating agent different from the first chelating agent, the second chelating agent containing at least two nitrogen-containing groups; 4) at least one metal corrosion inhibitor, the metal corrosion inhibitor being a substituted or unsubstituted benzotriazole; 5) at least one organic solvent selected from the group consisting of water soluble alcohols, water soluble ketones, water soluble esters, and water soluble ethers; 6) water; and 7) optionally, at least one pH adjusting agent, the pH adjusting agent being a base free of a metal ion. This disclosure also relates to a method of using the above composition for cleaning a semiconductor substrate.

    Abstract translation: 本公开涉及一种清洁组合物，其包含1）至少一种氧化还原剂; 2）至少一种第一螯合剂，所述第一螯合剂是聚氨基多羧酸; 3）至少一种不同于第一螯合剂的第二螯合剂，所述第二螯合剂含有至少两个含氮基团; 4）至少一种金属腐蚀抑制剂，金属腐蚀抑制剂是取代或未取代的苯并三唑; 5）至少一种选自水溶性醇，水溶性酮，水溶性酯和水溶性醚的有机溶剂; 6）水; 和7）任选的至少一种pH调节剂，所述pH调节剂是不含金属离子的碱。 本公开还涉及使用上述组合物来清洁半导体衬底的方法。

    PROCESS GAS GENERATION FOR CLEANING OF SUBSTRATES
    9.
    发明申请
    PROCESS GAS GENERATION FOR CLEANING OF SUBSTRATES 审中-公开
    过程气体产生用于清洁基板

    公开(公告)号：WO2014055218A1

    公开(公告)日：2014-04-10

    申请号：PCT/US2013/059601

    申请日：2013-09-13

    Applicant: TOKYO ELECTRON LIMITED ,  TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.

    Inventor： BROWN, Ian, J.

    IPC: B08B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

    CPC classification number: H01L21/67017 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    Abstract: Provided are a method and system for cleaning a substrate (6, 14, 224, 932) with a cleaning system (902, 1004) comprising a pre-treatment system and a wet clean system. One or more objectives for the pre-treatment system are selected, and two or more pre-treatment operating variables including UV dose, substrate temperature, oxygen partial pressure, oxygen and ozone partial pressure, and/or total pressure, are optimized to meet the pre-treatment objectives, using metrology measurements. The substrate (6, 14, 224, 932) includes a layer (204, 208) to be cleaned and an underlying dielectric layer (212) having a k-value. A pre-treatment gas comprising oxygen and/or ozone is delivered onto a surface of the substrate (6, 14, 224, 932) and irradiated with a UV device, generating oxygen radicals. Cleaning of the substrate (6, 14, 224, 932) in the pre-treatment process is set at less than 100 % in order to ensure the change in It- value of the substrate (6, 14, 224, 932) is within a set range for the substrate application.

    Abstract translation: 提供了一种用包括预处理系统和湿清洁系统的清洁系统（902,1004）清洁衬底（6,14,224,932）的方法和系统。 选择预处理系统的一个或多个目标，并且优化两个或更多个预处理操作变量，包括UV剂量，衬底温度，氧分压，氧气和臭氧分压和/或总压力，以满足 预处理目标，使用度量测量。 衬底（6,14,224,932）包括待清洁的层（204,208）和具有k值的下面的介电层（212）。 将包含氧气和/或臭氧的预处理气体输送到衬底（6,14,224,932）的表面上并用UV装置照射，产生氧自由基。 为了确保衬底（6,14,24,932）的It值发生变化，将预处理过程中的衬底（6,14,24,932）的清洁度设定为小于100％ 基板应用的设定范围。

    NOR Flash器件制作方法
    10.
    发明申请
    NOR Flash器件制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2013020474A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：PCT/CN2012/079460

    申请日：2012-07-31

    Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 ,  陈亚威 ,  简志宏

    Inventor： 陈亚威 ,  简志宏

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11521

    Abstract: 本发明实施例公开了一种NOR Flash器件制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层覆盖所述第一开口的底部及侧壁；采用自对准工艺对第二硬掩膜层进行刻蚀形成第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；采用自对准工艺对第一多晶硅层进行刻蚀形成浮栅。本发明所提供的NOR Flash器件制作方法，可提高NOR Flash器件的良品率。

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