公开(公告)号：WO2011161958A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/JP2011/003558

申请日：2011-06-22

申请人： パナソニック株式会社 ,  今中 崇 ,  相澤 宏幸 ,  山本 賢作

发明人： 今中　崇 ,  相澤　宏幸 ,  山本　賢作

IPC分类号： G01P15/08 ,  G01C19/56 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18

CPC分类号： G01P3/02 ,  G01C19/5719 ,  G01C19/5733 ,  G01P15/123 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0842

摘要： 　慣性力検出素子は、枠部と、可撓部と、支持体と、検出部と、を有する。枠部は、第１面とこの第１面の裏側の第２面とを有するとともに、内側に中空領域が形成されることで内縁を有する。可撓部は枠部の中空領域内に設けられ、枠部の内縁に接続されている。支持体は枠部に接着部にて接着され、枠部の第１面または第２面に対向して設けられている。検出部は可撓部に設けられている。枠部の接着部と可撓部との間には貫通孔が設けられている。

摘要翻译： 所公开的惯性力检测元件具有框架，柔性部件，支撑件和检测单元。 框架具有与第一表面相对的第一表面和第二表面。 在框架内部形成中空区域，使框架成为内边缘。 柔性部分设置在框架中的中空区域的内部并连接到框架的内边缘。 支撑件在接合部分中结合到框架并且面向框架的第一表面或第二表面。 检测单元设置在柔性部分上。 在框架的柔性部分和接合部分之间提供通孔。

公开(公告)号：WO2011110295A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/EP2011/000975

申请日：2011-02-28

申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  KÜLLS, Robert ,  NAU, Siegfried

发明人： KÜLLS, Robert ,  NAU, Siegfried

IPC分类号： G01P15/12

CPC分类号： G01P15/123

摘要： Beschrieben wird ein piezoresistiver Wandler mit einem Fachwerk, das ein Trägerelement aufweist, an dem ein Biegeelement angebracht ist, das relativ zum Trägerelement bei einer Krafteinwirkung eine Verformung erfährt, das eine neutrale Faser besitzt, deren Länge bei der Verformung unveränderlich ist, und an dem ein piezoresistives Material aufweisender Dehnkörper angebracht ist, der die Verformung des Biegelementes in eine elektrisch detektierbare Widerstandsänderung umwandelt. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass das Trägerelement und das Biegeelement zumindest bereichsweise einen Spalt zumindest zweiseitig begrenzen, dass wenigstens ein Dehnkörper vorgesehen ist, der das Trägerelement und das Biegeelement im Bereich des Spaltes brückenartig freitragend lokal verbindet, und dass der wenigstens eine Dehnkörper über eine Dehnkörperlängserstreckung verfügt, die die neutrale Faser unter einem Winkel α schneidet, mit 35° ≤ α ≤ 145°, insbesondere α = 90°.

摘要翻译： 公开的是具有其具有到其上的弯曲构件安装在所述支撑构件中，当施加具有中性轴，其长度为不可改变的在变形过程中的变形力而经历相对于所述承载元件的木材压阻传感器，和到其上 压阻具有材料方向上的膨胀构件被附接，其Biegelementes的变形转换在电阻电可检测的变化。 本发明的特征在于，所述支撑构件和所述弯曲构件至少部分地限定至少两个侧面的间隙，即膨胀元件至少设置连接所述支撑部件和在间隙的区域中的弯曲件桥接局部悬臂，并且所述至少一个通孔膨胀体 一个Dehnkörperlängserstreckung已经以一定角度相交的一中性轴，具有= 35°= 145°，尤其是A = 90°。

公开(公告)号：WO2011079078A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/US2010/061350

申请日：2010-12-20

申请人： SILICON MICROSTRUCTURES, INC. ,  DOERING, Holger ,  CHOLEWA, Rainer

发明人： DOERING, Holger ,  CHOLEWA, Rainer

IPC分类号： G01P15/12

CPC分类号： G01L9/0047 ,  G01L9/0054

摘要： Pressure sensors having a topside boss and a cavity formed using deep reactive-ion etching (DRIE) or plasma etching. Since the boss is formed on the topside, the boss is aligned to other features on the topside of the pressure sensor, such as a Wheatstone bridge or other circuit elements. Also, since the boss is formed as part of the diaphragm, the boss has a reduced mass and is less susceptible to the effects of gravity and acceleration. These pressure sensors may also have a cavity formed using a DRIE or plasma etch. Use of these etches result in a cavity having edges that are substantially orthogonal to the diaphragm, such that pressure sensor die area is reduced. The use of these etches also permits the use of p-doped wafers, which are compatible with conventional CMOS technologies.

摘要翻译： 压力传感器具有顶侧凸台和使用深反应离子蚀刻（DRIE）或等离子体蚀刻形成的空腔。 由于凸台形成在顶侧上，所以凸台与压力传感器顶部的其他特征（例如惠斯通电桥或其他电路元件）对准。 此外，由于凸台形成为隔膜的一部分，所以凸台具有减小的质量，并且不易受到重力和加速度的影响。 这些压力传感器也可以具有使用DRIE或等离子体蚀刻形成的空腔。 使用这些蚀刻导致具有基本上垂直于隔膜的边缘的空腔，使得压力传感器管芯面积减小。 这些蚀刻的使用也允许使用与常规CMOS技术兼容的p掺杂晶片。

公开(公告)号：WO2011024449A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/JP2010/005235

申请日：2010-08-25

申请人： ミツミ電機株式会社 ,  松本隆志 ,  手島康博

发明人： 松本隆志 ,  手島康博

IPC分类号： G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01P15/123 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0842

摘要： 　センサ感度を下げることなく、また交差部角にも応力を集中させずに最大応力を抑制して、耐衝撃性を上げることができる加速度センサを提供する。加速度センサ（１００）は、枠部（１１１）と、錘部（１１２）と、枠部（１１１）と錘部（１１２）とを連結する梁部（１１３）と、梁部（１１３）上に形成された加速度検出部と、梁部（１１３）と錘部（１１２）又は枠部（１１１）との連結部に近接するに従って広がるフィレット部（１１６）と、連結部（１１５）の下側に円弧状又は楕円形状で形成され、かつ連結部（１１５）から離れる方向に奥行きを有する応力緩和部（１１７）とを備え、応力緩和部（１１７）は、梁幅Ｗ、交差部幅Ｌ、奥行きＯとしたとき、Ｌ≧１００μｍ、３０μｍ≦Ｗ≦６０μｍ、１０μｍ≦Ｏ≦４０μｍに形成する。

摘要翻译： 公开了一种加速度传感器，其通过抑制最大应力而改善了抗冲击性，而不降低传感器的灵敏度，而不会将应力集中到交叉角。 加速度传感器（100）设置有：框架部（111）; 重物部分（112）; 将框架部分和重量部分连接在一起的梁部分; 形成在所述梁部（113）上的加速度检测部; 一个朝向梁部分（113）和重量部分（112）或框架部分（111）之间的连接部分扩展的圆角部分（116）。 以及在所述连接部（115）的下侧形成为圆弧状或椭圆形的应力缓和部（117），并且具有朝向所述连接部（115）的另一侧的深度。 应力缓和部（117）形成为满足以下不等式：L =100μm，30μm= W =60μm，10μm= O =40μm，其中（W）是光束宽度，（L ）是交叉部分的宽度，（O）是深度。

公开(公告)号：WO2010146818A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/JP2010/003910

申请日：2010-06-11

申请人： ミツミ電機株式会社 ,  永渡実

发明人： 永渡実

IPC分类号： G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  G01P21/00 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01P15/123 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0842

摘要： 　３軸加速度センサ１０のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の加速度検出用ピエゾ抵抗素子ｘ１～ｘ４，ｙ１～ｙ４，ｚ１～ｚ４は、梁１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの長手方向に亘って形成されている。これに加えて、感度調整用ピエゾ抵抗素子２１～２４が、梁１４ａ，１４ｃの長手方向にほぼ直交する方向に亘って形成されており、感度調整用ピエゾ抵抗素子２１～２４は、加速度検出用ピエゾ素子ｘ１～ｘ４に電気的に接続されている。

摘要翻译： 分别在X轴方向，Y轴方向和Z轴方向上的三维的加速度检测压电元件（x1〜x4），（y1〜y4），（z1〜z4） 相应地，在梁（14a），（14b），（14c）和（14d）的纵向上形成有加速度传感器（10）。 除了上述之外，灵敏度调节压电元件（21至24）形成在与梁（14a）和（14c）的纵向方向相交的方向上，相应地大致成直角。 此外，压电电阻元件（21〜24）分别与加速度检测压电元件（x1〜x4）电连接。

公开(公告)号：WO2009034863A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/JP2008/065652

申请日：2008-09-01

申请人： ローム株式会社 ,  須永 武史

发明人： 須永 武史

IPC分类号： G01P15/12 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01P15/18 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/075 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0842

摘要： 　小型化を図ることが可能な半導体装置を提供する。この半導体装置（５０）は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されたシリコンからなるセンサ素子（１０）と、センサ素子（１０）を収納するパッケージ（２０）とを備えている。そして、センサ素子（１０）は、枠体部（１１）と、枠体部（１１）の内側に配置される重り部（１２）と、重り部（１２）を枠体部（１１）に揺動可能に支持する撓み部（１３）とを含んでいる。また、重り部（１２）の上面領域（１ｄ）および枠体部（１１）の上面領域（１ｅ）には、センサ素子（１０）と電気的に接続される集積回路（１５（１５ａ、１５ｂ））が形成されている。

摘要翻译： 提供的是减少半导体器件的尺寸。 一种半导体器件（50）设置有通过使用MEMS技术形成的由硅制成的传感器元件（10）和存储传感器元件（10）的封装（20）。 传感器元件（10）包括框架部分（11），布置在框架部分（11）内部的配重部分（12）和用于将重量部分（12）可摆动地支撑到框架部分的柔性部分（13） 11）。 在重量部分（12）的上表面区域（1d）和框架部分（11）的上表面区域（1e）中，集成电路（15（15a，15b））电连接到传感器元件 ） 形成了。

公开(公告)号：WO2008038537A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/JP2007/068048

申请日：2007-09-18

申请人： 日立金属株式会社 ,  秦野 弘之 ,  三重野 敦司 ,  斎藤 正勝 ,  池田 由夫

发明人： 秦野 弘之 ,  三重野 敦司 ,  斎藤 正勝 ,  池田 由夫

IPC分类号： G01P15/12 ,  G01P15/18

CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084

摘要： 　過剰な衝撃・加速度が作用しても、オフセット電圧が変動することのないピエゾ抵抗素子型加速度センサーを開示している。加速度センサーの可撓部と錘上面の金属配線を、可撓部上面／錘上面に形成した溝の中に設けて、錘が上部規制板に衝突した際にも、金属配線が上部規制板に衝突しない構造をしており、オフセット電圧の変動を防止できる。

摘要翻译： 提供了一种压阻元件型加速度传感器，其中即使当操作了过大的冲击/加速度时，偏移电压也不会波动。 在加速度传感器中，主轴上表面上的柔性部分和金属布线布置在形成在柔性部分上表面/主轴上表面上的凹槽中。 因此，加速度传感器具有这样的结构，其中即使当主轴撞击上调节板时金属布线也不会碰到上调节板，并且可以消除偏移电压波动。

公开(公告)号：WO2007141944A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/JP2007/054201

申请日：2007-03-05

申请人： 株式会社 村田製作所 ,  持田 洋一

发明人： 持田 洋一

IPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084

摘要： 　加速度センサ１は、基台２のＸＹ基板面上に浮いた状態で配置される枠状の梁部４と、梁部４を支持部５ａ，５ｂを介して基台２に両持ち梁状に支持する梁部支持固定部を有する。また、加速度センサ１は、基台２のＸＹ基板面上に浮いた状態で配置される錘部７と、錘部７を梁部４に片持ち梁状に支持する連結部８とを有する。錘部７は、枠状の梁部４の撓み変形によってＸ軸方向とＹ軸方向とＺ軸方向の三軸方向に変位可能な構成と成す。梁部４には、Ｘ軸方向の加速度を検出するためのＸ軸方向加速度検出部と、Ｙ軸方向の加速度を検出するためのＹ軸方向加速度検出部と、Ｚ軸方向の加速度を検出するＺ軸方向加速度検出部とを設ける。梁部４のＹ軸方向伸長部位４ａ，４ｂにおいて、伸長基端側にＺ軸方向加速度検出部を、先端側にＹ軸方向加速度検出部を設ける。

摘要翻译： 加速度传感器（1）具有以漂浮在基座（2）的XY板表面上的方式放置的框架形梁（4），用于将梁（4）支撑在基座（2）处的梁支撑/固定部分 ）通过支撑部分（5a，5b）以类似于在两端支撑的梁的方式，以浮动在基座（2）的XY板表面上的方式放置的配重部分（7）和连接部分（8） 用于以悬臂方式支撑梁（4）处的重物（7）。 框状梁（4）的偏转变形使得重量（7）能够沿着X轴方向，Y轴方向和Z轴方向的三个轴的方向移位。 在光束（4）上设置有用于检测X轴方向的加速度的部分，用于检测Y轴方向的加速度的部分和用于检测Z轴方向的加速度的部分。 在沿Y轴方向延伸的部分（4a，4b）处，在延伸部的基端侧设置用于检测Z轴方向的加速度的部分，并且设置用于检测Y轴方向的加速度的部分 在前端。

公开(公告)号：WO2005078458A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/US2005/001729

申请日：2005-01-20

申请人： ANALOG DEVICES, INC. ,  CHAU, Kevin, H.-L. ,  FELTON, Lawrence, E. ,  GEEN, John, A. ,  JUDY, Michael, W. ,  MARTIN, John, R.

发明人： CHAU, Kevin, H.-L. ,  FELTON, Lawrence, E. ,  GEEN, John, A. ,  JUDY, Michael, W. ,  MARTIN, John, R.

IPC分类号： G01P15/12

CPC分类号： B81B7/0041 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/019 ,  G01K1/08 ,  G01P1/023 ,  G01P15/008 ,  G01P15/0802

摘要： A sensor element is capped by bonding or otherwise forming a cap on a sensor element. The sensor may be hermetically sealed by using a hermetic cap and hermetic bonding material or by applying a hermetic coating. The sensor may be filled with a gas at an elevated pressure. The sensor may alternatively or additionally be filled with a special gas, such as a gas having a density-to-viscosity ratio above approximately 0.2.

摘要翻译： 传感器元件通过在传感器元件上接合或以其他方式形成盖而被盖住。 传感器可以通过使用密封盖和密封接合材料或通过施加气密涂层而气密密封。 传感器可以在升高的压力下填充气体。 传感器可以替代地或另外填充特殊气体，例如密度 - 粘度比高于约0.2的气体。

公开(公告)号：WO2004092746A1

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：PCT/US2004/011084

申请日：2004-04-09

申请人： THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY

发明人： KENNY, Thomas, W. ,  PARK, Woo-Tae

IPC分类号： G01P15/12

CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0136 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0817

摘要： A miniaturized micromachined (MEMS) accelerometer-based sensor (310) suitable for use in biological applications, such as a middle ear implant (350), is provided. An encapsulation layer is deposited on top of an accelerometer proof mass (420) and flexure (430) prior to release of the proof mass (420) and flexure (430). The encapsulation layer protects the proof mass (420) and flexure (430) from subsequent processing steps, such as dicing and packaging, which enables fabrication of finished devices having reduced size. Surfaces within the accelerometer (310) may be passivated after releasing the proof mass and flexure. Remote piezoresistive sensing is performed in order to provide low noise and reduced sensor head size.

摘要翻译： 提供了一种适用于生物应用的微型加速度计（MEMS）加速计传感器（310），例如中耳植入物（350）。 在释放出质量块（420）和弯曲（430）之前，将封装层沉积在加速度计质量块（420）和挠曲件（430）的顶部上。 封装层保护了后续处理步骤（例如切割和封装）的证明物质（420）和挠曲（430），这使得能够制造尺寸减小的成品装置。 加速度计（310）中的表面可以在释放证明质量和弯曲之后被钝化。 执行远程压阻感测以提供低噪声和减小的传感器头尺寸。