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    半導体装置
    1.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2009034863A1

    公开(公告)日：2009-03-19

    申请号：PCT/JP2008/065652

    申请日：2008-09-01

    Applicant: ローム株式会社 ,  須永 武史

    Inventor： 須永 武史

    IPC: G01P15/12 ,  H01L29/84

    CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/075 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0842

    Abstract: 　小型化を図ることが可能な半導体装置を提供する。この半導体装置（５０）は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されたシリコンからなるセンサ素子（１０）と、センサ素子（１０）を収納するパッケージ（２０）とを備えている。そして、センサ素子（１０）は、枠体部（１１）と、枠体部（１１）の内側に配置される重り部（１２）と、重り部（１２）を枠体部（１１）に揺動可能に支持する撓み部（１３）とを含んでいる。また、重り部（１２）の上面領域（１ｄ）および枠体部（１１）の上面領域（１ｅ）には、センサ素子（１０）と電気的に接続される集積回路（１５（１５ａ、１５ｂ））が形成されている。

    Abstract translation: 提供的是减少半导体器件的尺寸。 一种半导体器件（50）设置有通过使用MEMS技术形成的由硅制成的传感器元件（10）和存储传感器元件（10）的封装（20）。 传感器元件（10）包括框架部分（11），布置在框架部分（11）内部的配重部分（12）和用于将重量部分（12）可摆动地支撑到框架部分的柔性部分（13） 11）。 在重量部分（12）的上表面区域（1d）和框架部分（11）的上表面区域（1e）中，集成电路（15（15a，15b））电连接到传感器元件 ） 形成了。

    METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CMOS CIRCUITS OR TRANSDUCERS CONTAINING CMOS CIRCUITS
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CMOS CIRCUITS OR TRANSDUCERS CONTAINING CMOS CIRCUITS 审中-公开
    用于生产包含CMOS电路的集成CMOS电路或传感器的方法

    公开(公告)号：WO1998011602A1

    公开(公告)日：1998-03-19

    申请号：PCT/EP1997004931

    申请日：1997-09-09

    Applicant: PHYSICAL ELECTRONICS LABORATORY ,  HAEBERLI, Andreas ,  HORNUNG, Mark ,  MUELLER, Thomas ,  SCHNEIDER, Michael

    Inventor： PHYSICAL ELECTRONICS LABORATORY

    IPC: H01L21/3063

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C2203/0728 ,  B81C2203/075 ,  C25F3/12 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/3063 ,  H01L27/11803 ,  H01L29/0657

    Abstract: According to the invention at least part of a CMOS circuit is decoupled from the bulk of the substrate by positioning this at least part of the CMOS circuit on a secondary substrate (2) with considerably less bulk than the original substrate (1) and by decoupling the secondary substrate (2) at least partly from the substrate (1). This is realised by a combination of multi-well technology and etching with electro-chemical etch stop either from the back or from the front of the wafer (e.g. anisotropic etching). A multi-well is a region consisting of a well diffusion (p- or n-doped) (2) which at least partially contains at least one further well diffusion (3), whereby the deepest well (2) or another well of the multi-well structure is designed to function as a secondary substrate.

    Abstract translation: 根据本发明，CMOS电路的至少一部分通过将该CMOS电路的至少一部分定位在次级衬底（2）上，与原始衬底（1）相比体积小得多，并通过去耦 所述第二衬底（2）至少部分地来自所述衬底（1）。 这通过多孔技术和来自晶片的背面或前面的电化学蚀刻停止（例如各向异性蚀刻）的蚀刻来实现。 多孔是由阱扩散（p-或n-掺杂）（2）组成的区域，其至少部分地包含至少一个另外的阱扩散（3），由此最深井（2）或另一井 多孔结构设计用作二次基板。

    振動素子及び振動素子の製造方法
    5.
    发明申请
    振動素子及び振動素子の製造方法 审中-公开
    振动元件和振动元件的制造方法

    公开(公告)号：WO2013002207A1

    公开(公告)日：2013-01-03

    申请号：PCT/JP2012/066243

    申请日：2012-06-26

    Applicant: 株式会社Ingen MSL ,  李 昇穆

    Inventor： 李　昇穆

    IPC: H04R19/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

    CPC classification number: H02N1/00 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/075 ,  G01H11/06 ,  G01N29/2406 ,  H01L29/84

    Abstract: 【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。 【解決手段】基板側電極２に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板１を配置し、上部板１に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、ＩＣ回路の不純物領域である集積回路部５を設け、振動素子１０にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。

    Abstract translation: [问题]为了提供一种振动元件，其包括设置在绝缘基板的一个表面上的基板侧电极和具有与基板侧电极相对配置的相对电极的相对板，所述振动元件执行阻抗降低 ，电容转换和信号放大，而元件本身可以减小尺寸。 还提供了一种用于制造振动元件的方法。 [解决方案]由硅单晶制成的上板（1）与基板侧电极（2）相对配置。 上板（1）设置有例如通过热扩散法或离子注入法形成的集成电路部（5），集成电路部是IC电路的杂质区。 因此，利用该振动元件（10），转换效率和生产率提高，并且安装系统的尺寸减小。

    STRUCTURES AND METHODS FOR ELECTRICALLY AND MECHANICALLY LINKED MONOLITHICALLY INTEGRATED TRANSISTOR AND MEMS/NEMS DEVICES
    6.
    发明申请
    STRUCTURES AND METHODS FOR ELECTRICALLY AND MECHANICALLY LINKED MONOLITHICALLY INTEGRATED TRANSISTOR AND MEMS/NEMS DEVICES 审中-公开
    电力和机械连接的单相集成晶体管和MEMS / NEMS器件的结构和方法

    公开(公告)号：WO2012075272A3

    公开(公告)日：2012-08-16

    申请号：PCT/US2011062871

    申请日：2011-12-01

    Applicant: UNIV CORNELL ,  LAL AMIT ,  AMPONSAH KWAME

    Inventor： LAL AMIT ,  AMPONSAH KWAME

    IPC: H01L25/16 ,  B81B7/02

    CPC classification number: H01L25/16 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/075 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/735 ,  H01L29/8086 ,  H01L29/8126 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A device including a NEMS/MEMS machine(s) and associated electrical circuitry. The circuitry includes at least one transistor, preferably JFET, that is used to: (i) actuate the NEMS/MEMS machine; and/or (ii) receive feedback from the operation of the NEMS/MEMS machine The transistor (e.g., the JFET) and the NEMS/MEMS machine are monolithically integrated for enhanced signal transduction and signal processing. Monolithic integration is preferred to hybrid integration (e.g., integration using wire bonds, flip chip contact bonds or the like) due to reduce parasitics and mismatches. In one embodiment, the JFET is integrated directly into a MEMS machine, that is in the form of a SOI MEMS cantilever, to form an extra-tight integration between sensing and electronic integration. When a cantilever connected to the JFET is electrostatically actuated; its motion directly affects the current in the JFET through monolithically integrated conduction paths (e.g., traces, vias, etc.) In one embodiment, devices according to the present invention were realized in 2?m thick SOI cross-wire beams, with a MoSi2 contact metallization for stress minimization and ohmic contact. In this embodiment, the pull-in voltage for the MEMS cantilever was 21V and the pinch-off voltage of the JFET was -19V.

    Abstract translation: 包括NEMS / MEMS机器和相关联的电路的装置。 该电路包括至少一个晶体管，优选JFET，其用于：（i）致动NEMS / MEMS机器; 和/或（ii）从NEMS / MEMS机器的操作接收反馈晶体管（例如，JFET）和NEMS / MEMS机器是单片集成的，用于增强的信号传导和信号处理。 由于减少寄生和失配，整体集成优于混合集成（例如，使用引线键合，倒装芯片接触键等的集成）。 在一个实施例中，JFET直接集成在MEMS机器中，其是以SOI MEMS悬臂的形式，以形成感测和电子集成之间的非常紧密的集成。 当连接到JFET的悬臂被静电驱动时; 其运动通过单片集成导电路径（例如，迹线，通孔等）直接影响JFET中的电流。在一个实施例中，根据本发明的器件在2μm厚的SOI交叉线束中实现，其中MoSi 2 接触金属化用于应力最小化和欧姆接触。 在本实施例中，MEMS悬臂的拉入电压为21V，JFET的截止电压为-19V。

    STRUCTURES AND METHODS FOR ELECTRICALLY AND MECHANICALLY LINKED MONOLITHICALLY INTEGRATED TRANSISTOR AND MEMS/NEMS DEVICES
    7.
    发明申请
    STRUCTURES AND METHODS FOR ELECTRICALLY AND MECHANICALLY LINKED MONOLITHICALLY INTEGRATED TRANSISTOR AND MEMS/NEMS DEVICES 审中-公开
    用于电和机械连接的单晶体集成晶体管和MEMS / NEMS器件的结构和方法

    公开(公告)号：WO2012075272A2

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：PCT/US2011/062871

    申请日：2011-12-01

    Applicant: CORNELL UNIVERSITY ,  LAL, Amit ,  AMPONSAH, Kwame

    Inventor： LAL, Amit ,  AMPONSAH, Kwame

    IPC: H01L25/16 ,  B81B7/02

    CPC classification number: H01L25/16 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/075 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/735 ,  H01L29/8086 ,  H01L29/8126 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A device including a NEMS/MEMS machine(s) and associated electrical circuitry. The circuitry includes at least one transistor, preferably JFET, that is used to: (i) actuate the NEMS/MEMS machine; and/or (ii) receive feedback from the operation of the NEMS/MEMS machine The transistor (e.g., the JFET) and the NEMS/MEMS machine are monolithically integrated for enhanced signal transduction and signal processing. Monolithic integration is preferred to hybrid integration (e.g., integration using wire bonds, flip chip contact bonds or the like) due to reduce parasitics and mismatches. In one embodiment, the JFET is integrated directly into a MEMS machine, that is in the form of a SOI MEMS cantilever, to form an extra-tight integration between sensing and electronic integration. When a cantilever connected to the JFET is electrostatically actuated; its motion directly affects the current in the JFET through monolithically integrated conduction paths (e.g., traces, vias, etc.) In one embodiment, devices according to the present invention were realized in 2?m thick SOI cross-wire beams, with a MoSi2 contact metallization for stress minimization and ohmic contact. In this embodiment, the pull-in voltage for the MEMS cantilever was 21V and the pinch-off voltage of the JFET was -19V.

    Abstract translation: 包括NEMS / MEMS机器和相关电路的设备。 该电路包括至少一个晶体管，优选JFET，其用于：（i）致动NEMS / MEMS机器; 和/或（ii）从NEMS / MEMS机器的操作接收反馈。晶体管（例如，JFET）和NEMS / MEMS机器单片集成以增强信号转换和信号处理。 由于减少了寄生和失配，单片集成优于混合集成（例如，使用引线键合，倒装芯片接触键等的集成）。 在一个实施例中，JFET直接集成到MEMS机器中，即以SOI MEMS悬臂的形式，以在感测和电子集成之间形成非常紧密的集成。 当连接到JFET的悬臂被静电致动时; 其运动通过单片集成传导路径（例如，迹线，过孔等）直接影响JFET中的电流。在一个实施例中，根据本发明的器件在2μm厚的SOI交叉线束中实现，其中MoSi2 用于应力最小化和欧姆接触的接触金属化。 在此实施例中，MEMS悬臂的拉入电压为21V，JFET的夹断电压为-19V。

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