LINEAR TEMPERATURE SENSOR
    81.
    发明申请
    LINEAR TEMPERATURE SENSOR 审中-公开
    线性温度传感器

    公开(公告)号:WO00037892A2

    公开(公告)日:2000-06-29

    申请号:PCT/US1999/030093

    申请日:1999-12-16

    CPC classification number: G01K7/10

    Abstract: A linear temperature sensor that incorporates passive bipolar semiconductor devices (D1, D2, D3, D4, C1) and is capable of high accuracy over a very wide temperature range. The passive bipolar semiconductor device splits a voltage drop between the bipolar semiconductor and a resistor (R1) such that the voltage drop varies approximately linearly in negative dependence on temperature. Optionally, the linearity may be improved by providing sufficient current to produce a self-heating effect which compensates for non-linear deviations in performance at low temperatures.

    Abstract translation: 线性温度传感器,采用无源双极型半导体器件(D1,D2,D3,D4,C1),能够在非常宽的温度范围内实现高精度。 无源双极半导体器件分离双极半导体和电阻器(R1)之间的电压降,使得电压降在大约线性上随着温度的负相关而变化。 可选地,可以通过提供足够的电流来产生补偿低温下性能的非线性偏差的自发热效应来改善线性度。

    THERMOPHOTOVOLTAIC SEMICONDUCTOR DEVICE
    82.
    发明申请
    THERMOPHOTOVOLTAIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    热电偶极半导体器件

    公开(公告)号:WO99007021A1

    公开(公告)日:1999-02-11

    申请号:PCT/IB1998/001130

    申请日:1998-07-27

    CPC classification number: H02S10/30

    Abstract: A technique for enhancing the generation of carriers (ex. Electrons and/or holes) in semiconductor devices such as photovoltaic cells and the like, receiving radiation from a heated surface, through the use of micron juxtaposition of the surface of the device and the heated surface and with the gap thereinbetween preferably evacuated.

    Abstract translation: 一种用于增强在诸如光伏电池等的半导体器件中的载流子(例如电子和/或空穴)的产生的技术,其通过使用器件表面的微米并置和加热的 表面,并且其间的间隙优选被抽真空。

    熱電発電素子、熱電発電池、及び発電の安定化方法

    公开(公告)号:WO2022191101A1

    公开(公告)日:2022-09-15

    申请号:PCT/JP2022/009619

    申请日:2022-03-07

    Abstract: 本発明の目的は、優れた電池特性を有する熱電発電池を提供することである。 前記課題は、本発明の熱励起電子及び正孔を生成する半導体を含む第1部分、電荷輸送イオン対が移動できる電解質を含む第2部分、及び電極となる物質を含む第3部分が、この順番で接しており、前記第1部分の半導体の価電子帯電位が前記電荷輸送イオン対の酸化還元電位よりも正であり、前記第1部分及び前記第2部分の界面で前記2つのイオンのうち、より酸化されやすいイオンの酸化反応が生じ、前記第3部分及び前記第2部分の界面で前記2つのイオンのうち、より還元されやすいイオンの還元反応が生じる、温度勾配を必要としない熱電発電素子であって、下記式(I):L/IDT=1~20(I)(式中、Lは、「第1部分及び第3部分の最短距離」であり、そしてIDTは、「イオン拡散厚」である)を満たす、温度勾配を必要としない熱電発電素子によって解決することができる。

    APPARATUS INCLUDING THERMAL ENERGY HARVESTING THERMIONIC DEVICE, AND RELATED METHODS

    公开(公告)号:WO2021257424A1

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:PCT/US2021/037166

    申请日:2021-06-14

    Abstract: Embodiments relate to a method in which electrical energy is supplied to a heat generating source to convert the electrical energy to heat. A thermal energy harvesting thermionic device proximal to the heat generating source to receive the heat from the heat generating source is heated and an electrical output is generated. The thermal energy harvesting thermionic device includes at least an emitter electrode, a collector electrode spaced from the emitter electrode to provide an inter-electrode gap between the emitter electrode and the collector electrode, and a plurality of nanoparticles suspended in a fluid medium contained in the inter-electrode gap. The temperature of the thermal energy harvesting thermionic device is monitored, and a source of the electrical energy is activated to supply the electrical energy to the heat generating source in response to a change in the temperature of the thermal energy harvesting thermionic device. Also provided are related apparatus.

    ボロメータ材料、赤外線センサー、及び、その製造方法

    公开(公告)号:WO2021240660A1

    公开(公告)日:2021-12-02

    申请号:PCT/JP2020/020795

    申请日:2020-05-26

    Abstract: 本発明の目的の一つは、高いTCR値を有するボロメータ薄膜、赤外線センサー、及び赤外線センサーの製造方法を提供することである。ボロメータ薄膜は、半導体型カーボンナノチューブと負熱膨張材料を含んでいる。赤外線センサーは、基板と、前記基板上の第1電極と、前記基板上にあって、前記第1電極から離れている第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに電気的に接続されているボロメータ薄膜を備えている。

    発電機能付半導体集積回路装置
    90.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020184235A1

    公开(公告)日:2020-09-17

    申请号:PCT/JP2020/008579

    申请日:2020-03-02

    Abstract: 【課題】回路基板の大型化を抑制可能な発電機能付半導体集積回路装置を提供すること。 【解決手段】発電機能付半導体集積回路装置200は、半導体集積回路装置と、熱電素子1と、を有する。半導体集積回路装置は、半導体集積回路チップ230を収容するパッケージ210を含む。半導体集積回路チップ230は、回路基板と対向される下面、及び前記搭載面と対向した上面を有する。熱電素子1は、収容部を有する筐体部と、収容部内に設けられた第1電極部と、収容部内に設けられ、第1電極部と第1方向に離間して対向し、第1電極部とは異なった仕事関数を有する第2電極部と、収容部内の、第1電極部と第2電極部との間に設けられ、第1電極部の仕事関数と第2電極部の仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子を含む中間部と、を含む。筐体部は、回路基板260の中に設けられている。

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